一种紫外半导体并联的UVC LED全无机或半无机封装结构制造技术

本发明专利技术提供了一种紫外半导体并联的UVC LED全无机或半无机封装结构，包括基板、设置于所述基板上的至少两个UVC芯片，所述基板包括设置有UVC芯片的上表面和与所述上表面相对的下表面，所述上表面设置有与所述UVC芯片对应的焊盘对，每个所述UVC芯片设置于一对所述焊盘对之间并与其电性连接，所述UVC芯片之间相互并联。本发明专利技术提供的紫外半导体并联的UVC LED全无机或半无机封装结构提高了UVC LED的光功率，增大杀菌消毒功能；UVC芯片之间互不干扰，提高UVC LED的工作寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种紫外半导体并联的UVCLED全无机或半无机封装结构
本专利技术涉及LED封装领域，尤其涉及一种紫外半导体并联的UVCLED全无机或半无机封装结构。
技术介绍
UVLED是指采用LED发光原理的紫外半导体光源，包括200nm～400nm之间的所有电磁辐射波长，根据其发光波长可进一步区分为UVA(320nm～400nm，长波紫外线)、UVB(280nm～315nm，中波紫外线)和UVC(200nm～280nm，短波紫外线)波段。其中，UVC波段由于其在杀菌消毒方面的优异表现，UVCLED在杀菌消毒领域具有明显的技术优势和广泛的应用前景。由于UVCLED电光转换效率问题，现有技术中的UVCLED器件具有光功率不足的情况，市场已有采用多颗UVC芯片串联的UVCLED器件，此类器件只要有一个UVC芯片坏掉，其他UVC芯片均处于不可用的状况，造成浪费。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术提出了一种紫外半导体并联的UVCLED全无机或半无机封装结构以改善上述问题。第一方面，本专利技术提供了一种紫外半导体并联的UVCLED全无机或半无机封装结构，包括基板、设置于所述基板上的至少两个UVC芯片，所述基板包括设置有UVC芯片的上表面和与所述上表面相对的下表面，所述上表面设置有与所述UVC芯片对应的焊盘对，每个所述UVC芯片设置于一对所述焊盘对之间并与其电性连接，所述UVC芯片之间相互并联。优选地，所述UVC芯片数为两个，所述焊盘对由焊盘正极和与所述焊盘正极间隔设置的焊盘负极组成，所述焊盘对包括第一焊盘对、与所述第一焊盘对间隔设置的第二焊盘对，所述焊盘正极和所述焊盘负极之间形成的间隔与所述第一焊盘对和所述第二焊盘对之间形成的间隔相等。优选地，两对所述焊盘对形成间隔设置的四等分圆，两个所述UVC芯片相对称设置且位于一对所述焊盘对的中间位置。优选地，所述下表面设置有与所述焊盘对相对应的电极对，所述基板贯穿设有连通所述焊盘对与所述电极对的导电部。优选地，所述UVC芯片为倒装UVC芯片或垂直UVC芯片。优选地，还包括固定于所述基板上且围绕所述UVC芯片的金属框、设置于所述金属框远离所述基板一侧的玻璃件，所述玻璃件靠近所述基板一侧设置有金属层，所述金属层与所述金属框之间通过焊接层焊接。优选地，所述金属层为Ag层或多金属合金，所述焊接层为锡膏合金。优选地，所述金属层的厚度为5μm～500μm，所述焊接层的厚度为5μm～500μm。优选地，所述焊盘对的焊盘正极或焊盘负极上设有缺口标记或图形标记。优选地，还包括设置于所述基板且与所述UVC芯片数量对应的齐纳二极管，每个所述齐纳二极管分别与一个所述UVC芯片并联。本专利技术的技术效果为：本专利技术提供的紫外半导体并联的UVCLED全无机或半无机封装结构提高了UVCLED的光功率，增大杀菌消毒功能；UVC芯片之间互不干扰，提高UVCLED的工作寿命。另外，本专利技术中UVC芯片与焊盘对的相对设置利用圆等分结构使得UVCLED光功率的一致性高，发光均匀。附图说明图1为本专利技术一实施例中紫外半导体并联的UVCLED全无机或半无机封装内部结构俯视图；图2为本专利技术一实施例中紫外半导体并联的UVCLED全无机或半无机封装结构仰视图；图3为图1中A-A面结合玻璃件整体的截面图；图4为A-A面在另一实施例中结合玻璃件整体的截面图；图5为本专利技术另一实施例中紫外半导体并联的UVCLED全无机或半无机封装内部结构俯视图。基板1上表面11下表面12绝缘区121散热区122UVC芯片2齐纳二极管3金属框4焊盘对5第一焊盘对51第二焊盘对52电极对6第一电极对61第二电极对62焊接层7导电部8玻璃件9金属层91具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术提供了一种紫外半导体并联的UVCLED全无机或半无机封装结构，如图1-5所示，包括基板1、UVC芯片2、齐纳二极管3、金属框4、和玻璃件9。其中，UVC芯片2设置于基板1上且至少两个，且UVC芯片2之间相互并联，优选地，UVC芯片2为倒装UVC芯片或垂直UVC芯片。齐纳二极管3的数量与UVC芯片2对应设置且与UVC芯片2并联为其提供静电保护。金属框4固定于基板1上且围绕UVC芯片2、齐纳二极管3设置。基板1上靠近UVC芯片2的一侧设置有与UVC芯片2对应的焊盘对5，每个UVC芯片2设置于一对焊盘对5之间并与焊盘对5电性连接，基板1另一侧设置有与焊盘对5相对应导通的电极对6，如图2所示。玻璃件9设置于金属框4远离基板1一侧且与基板1形成空腔，玻璃件9靠近基板1一侧设置有用于焊接的金属层91，金属层91与金属框4之间通过焊接层7焊接。其中，玻璃件9优选为玻璃透镜，金属层91的厚度优选为5μm～500μm，焊接层7的厚度优选为5μm～500μm。本专利技术提供紫外半导体并联的UVCLED全无机或半无机封装结构可以替代市场上现有的UVC芯片功率不足的产品，大大增加封装灯珠的功效，提高UVCLED的光功率，增大杀菌消毒功能；且UVC芯片2之间采用相互并联的方式可以使得每个UVC芯片2之间互不干扰，相对现有技术中的UVCLED增加了其使用寿命，具有独立电压，独立电流且独立控制。同时，采用全无机或半无机封装结构的UVCLED稳定性高、寿命较长。基板1包括设置有UVC芯片2的上表面11和与上表面11相对的下表面12，上表面11设置有与UVC芯片2对应的焊盘对5，下表面12设置有绝缘区121、散热区122、与焊盘对5相对应的电极对6，其中，散热区122为热电分离层，基板1贯穿设有连通焊盘对5与电极对6的导电部8。每对焊盘对5由焊盘正极和焊盘负极组成且焊盘正极与焊盘负极间隔设置，UVC芯片2设置于一对焊盘正极和焊盘负极的间隔上且与焊盘对5之间电性连接。基板1上开设有上下贯通的通孔对，用于填充导通焊盘对5与电极对6的导电部8，导电部8为导电金属，且导电金属贯穿基板1。焊盘对之间形成间隔设置的圆等分结构，使各个UVC芯片之间均匀分布于基板。在一个实施例中，如图1-3所示，UVC芯片2和齐纳二极管3均有两个，两个UVC芯片2并联，且两个齐纳二极管3各自与对应电路中的UVC芯片2并联，其中，两个相互并联的UVC芯片2可以使得产品的光功率增加一倍，使其空气净化的功率增加一倍。焊盘对5包括第一焊盘对51、与第一焊盘对51间隔设置的第二焊盘对52，同一个焊盘对的焊盘正极和焊盘本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种紫外半导体并联的UVC LED全无机或半无机封装结构，其特征在于，包括基板、设置于所述基板上的至少两个UVC芯片，所述基板包括设置有UVC芯片的上表面和与所述上表面相对的下表面，所述上表面设置有与所述UVC芯片对应的焊盘对，每个所述UVC芯片设置于一对所述焊盘对之间并与其电性连接，所述UVC芯片之间相互并联。/n

【技术特征摘要】
1.一种紫外半导体并联的UVCLED全无机或半无机封装结构，其特征在于，包括基板、设置于所述基板上的至少两个UVC芯片，所述基板包括设置有UVC芯片的上表面和与所述上表面相对的下表面，所述上表面设置有与所述UVC芯片对应的焊盘对，每个所述UVC芯片设置于一对所述焊盘对之间并与其电性连接，所述UVC芯片之间相互并联。


2.根据权利要求1所述的紫外半导体并联的UVCLED全无机或半无机封装结构，其特征在于，所述UVC芯片数为两个，所述焊盘对由焊盘正极和与所述焊盘正极间隔设置的焊盘负极组成，所述焊盘对包括第一焊盘对、与所述第一焊盘对间隔设置的第二焊盘对，所述焊盘正极和所述焊盘负极之间形成的间隔与所述第一焊盘对和所述第二焊盘对之间形成的间隔相等。


3.根据权利要求2所述的紫外半导体并联的UVCLED全无机或半无机封装结构，其特征在于，两对所述焊盘对形成间隔设置的四等分圆，两个所述UVC芯片相对称设置且位于一对所述焊盘对的中间位置。


4.根据权利要求1所述的紫外半导体并联的UVCLED全无机或半无机封装结构，其特征在于，所述下表面设置有与所述焊盘对相对应的电极对，所述基板贯穿设有连通所述焊盘对与所述电极对的导电部。


5.根据权利要求1所述的紫外半...

【专利技术属性】
技术研发人员：周孔礼，
申请(专利权)人：山西华微紫外半导体科技有限公司，周孔礼，
类型：发明
国别省市：山西;14