氧化铝陶瓷基板上围坝的共晶焊接方法技术

本发明专利技术公开了一种氧化铝陶瓷基板上围坝的共晶焊接方法，包括如下步骤：第一步，将氧化铝陶瓷基板通过厚膜印刷技术印刷出金属线路涂层，该金属线路涂层形状与需要焊接到氧化铝陶瓷上的围坝的形状适配；第二步，将所述氧化铝陶瓷基板和所述围坝放入到共晶焊接装置中；第三步，在所述氧化铝陶瓷基板的金属线路涂层上印刷或放置合金焊料，再将所述围坝隔着所述合金焊料印刷或放置到所述氧化铝陶瓷基板上，所述围坝与所述金属线路涂层的形状对应；第四步，启动所述共晶焊接装置进行焊接，且焊接的温度为150℃‑500℃；第五步，焊接完成。本发明专利技术针对氧化铝陶瓷的围坝焊接采用共晶焊接的方式进行焊接，相对于现有技术中采用磁控溅射，更加方便操作，成本更低。

Eutectic welding method of dam on alumina ceramic substrate

【技术实现步骤摘要】
氧化铝陶瓷基板上围坝的共晶焊接方法
本专利技术涉及玻璃封装
，特别涉及一种氧化铝陶瓷基板上围坝的共晶焊接方法。
技术介绍
氧化铝陶瓷呈白色，热导率为20W/(m·K)-30W/(m·K)，25℃-200℃温度范围内热膨胀系数为7.0×106/℃-8.0×106/℃，弹性模量约为300GPa，抗弯强度为300MPa-400MPa，介电常数为10。氧化铝陶瓷基片成型方法主要有轧膜法、流延法和凝胶注膜法等。其中后两种方法采用去离子水代替有机溶剂，既可降低成本，也有利于环保，是Al2O3陶瓷片制备主要研究方向之一。由于Al2O3晶格能较大，离子键较强，因此烧结温度较高，95％Al2O3陶瓷烧结温度为1650℃-1700℃，99％Al2O3陶瓷烧结温度则高达1800℃。如此高的烧结温度不仅导致制作成本偏高，而且所得到的产品晶粒粗大，气孔难以排除，导致Al2O3陶瓷气孔率增加，力学性能降低。研究表明，在原料中加入适量添加剂可降低烧结温度，降低陶瓷气孔率，提高陶瓷材料致密性与热导率。常用添加剂有生成液相型燃烧助剂(如SiO、CaO、SrO和Ba本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氧化铝陶瓷基板上围坝的共晶焊接方法，其特征在于包括如下步骤：/n第一步，将氧化铝陶瓷基板通过厚膜印刷技术印刷出金属线路涂层，该金属线路涂层形状与需要焊接到氧化铝陶瓷上的围坝的形状适配；/n第二步，将所述氧化铝陶瓷基板和所述围坝放入到共晶焊接装置中；/n第三步，在所述氧化铝陶瓷基板的金属线路涂层上印刷或放置合金焊料，再将所述围坝隔着所述合金焊料印刷或放置到所述氧化铝陶瓷基板上，所述围坝与所述金属线路涂层的形状对应；/n第四步，启动所述共晶焊接装置进行焊接，且焊接的温度为150℃-500℃；/n第五步，焊接完成。/n

【技术特征摘要】
20200515 CN 20201041428821.一种氧化铝陶瓷基板上围坝的共晶焊接方法，其特征在于包括如下步骤：
第一步，将氧化铝陶瓷基板通过厚膜印刷技术印刷出金属线路涂层，该金属线路涂层形状与需要焊接到氧化铝陶瓷上的围坝的形状适配；
第二步，将所述氧化铝陶瓷基板和所述围坝放入到共晶焊接装置中；
第三步，在所述氧化铝陶瓷基板的金属线路涂层上印刷或放置合金焊料，再将所述围坝隔着所述合金焊料印刷或放置到所述氧化铝陶瓷基板上，所述围坝与所述金属线路涂层的形状对应；
第四步，启动所述共晶焊接装置进行焊接，且焊接的温度为150℃-500℃；
第五步，焊接完成。


2.如权利要求1所述的氧化铝陶瓷基板上围坝的共晶焊接方法，其特征在于所...

【专利技术属性】
技术研发人员：周孔礼，
申请(专利权)人：山西华微紫外半导体科技有限公司，周孔礼，
类型：发明
国别省市：山西;14