摄像装置及摄像方法制造方法及图纸

摄像装置(100)具备像素阵列(PA)。在1个帧中，第1期间、第3期间和第2期间按照该第1期间、第3期间和第2期间的顺序出现。在第1期间中，进行像素阵列(PA)中的第1至少1个行的像素信号读出。在第2期间中，进行像素阵列(PA)中的第2至少1个行的像素信号读出。第1至少1个行及第2至少1个行的至少一方包含像素阵列(PA)中的2个行。在第3期间中，不进行像素阵列(PA)的任何行的像素信号读出。第1期间及第2期间是高灵敏度曝光期间及低灵敏度曝光期间中的一方。第3期间是高灵敏度曝光期间及低灵敏度曝光期间中的另一方。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】摄像装置及摄像方法
本公开涉及摄像装置及摄像方法。
技术介绍
以往，对从摄像装置输出的图像的亮度值进行调整。亮度值的调整例如与被摄体的照度等相应地进行。亮度值的调整例如能够通过摄像元件的入射光量的调整来实现。入射光量的调整例如能够通过透镜的光阑的调整、快门对曝光时间的调整、基于ND(中性密度：NeutralDensity)滤波器(滤光片)的减光等来实现。亮度值的调整也能够通过摄像元件的灵敏度自身的调整来实现。如果调整了摄像元件的灵敏度，则从摄像元件读出的正或者负的电荷的量被调整。通过电荷的量的调整，输出图像的亮度值被调整。在专利文献1及2中，记载了能够调整灵敏度的摄像元件。在专利文献1及2的摄像元件中，向光电转换层施加电压。通过控制该电压施加的时间宽度，调整摄像元件的灵敏度。现有技术文献专利文献专利文献1:日本特开2007－104114号公报专利文献2:日本特开2017－135704号公报专利文献3:日本特开2017－005051号公报专利
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种摄像装置，具备像素阵列，/n在1个帧中，第1期间、第3期间和第2期间按照该第1期间、第3期间和第2期间的顺序出现，/n在所述第1期间中，进行所述像素阵列中的第1至少1个行的像素信号读出，/n在所述第2期间中，进行所述像素阵列中的第2至少1个行的像素信号读出，/n所述第1至少1个行及所述第2至少1个行的至少一方包含所述像素阵列中的2个行，/n所述第1期间及所述第2期间是高灵敏度曝光期间及低灵敏度曝光期间中的一方，/n所述第3期间是所述高灵敏度曝光期间及所述低灵敏度曝光期间中的另一方。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180914 JP 2018-1728781.一种摄像装置，具备像素阵列，
在1个帧中，第1期间、第3期间和第2期间按照该第1期间、第3期间和第2期间的顺序出现，
在所述第1期间中，进行所述像素阵列中的第1至少1个行的像素信号读出，
在所述第2期间中，进行所述像素阵列中的第2至少1个行的像素信号读出，
所述第1至少1个行及所述第2至少1个行的至少一方包含所述像素阵列中的2个行，
所述第1期间及所述第2期间是高灵敏度曝光期间及低灵敏度曝光期间中的一方，
所述第3期间是所述高灵敏度曝光期间及所述低灵敏度曝光期间中的另一方。


2.如权利要求1所述的摄像装置，
所述第1至少1个行及所述第2至少1个行的双方各包含所述像素阵列中的2个行。


3.如权利要求2所述的摄像装置，
构成所述第1至少1个行的行的数量与构成所述第2至少1个行的行的数量相同。


4.如权利要求1至3中任一项所述的摄像装置，
所述第1期间及所述第2期间是所述高灵敏度曝光期间，
所述第3期间是所述低灵敏度曝光期间。


5.如权利要求1至3中任一项所述的摄像装置，
所述第1期间及所述第2期间是所述低灵敏度曝光期间，
所述第3期间是所述高灵敏度曝光期间。


6.如权利要求1至3中任一项所述的摄像装置，
所述摄像装置的控制模式具备第1模式和第2模式，
在所述第1模式中，
所述第1期间及所述第2期间是所述高灵敏度曝光期间，
所述第3期间是所述低灵敏度曝光期间，
在所述第2模式中，
所述第1期间及所述第2期间是所述低灵敏度曝光期间，
所述第3期间是所述高灵敏度曝光期间。


7.如权利要求1至6中任一项所述的摄像装置，
在所述1个帧中，所述高灵敏度曝光期间的总期间为所述低灵敏度曝光期间的总期间以上。


8.如权利要求1至6中任一项所述的摄像装置，
在所述1个帧中，所述高灵敏度曝光期间的总期间小于所述低灵敏度曝光期间的总期间。


9.如权利要求1至8中任一项所述的摄像装置，
所述摄像装置还具备半导体基板和光电转换部，
所述光电转换部具备光电转换层、第1电极和第2电极，
所述半导体基板、所述第1电极、所述光电转换层和所述第2电极按照所述半导体基板、所述第1电极、所述光电转换层和所述第2电极的顺序层叠。


10.如权利要求9所述的摄像装置，
所述摄像装置具有以下的特征(i)及(ii)中的至少一方：
(i)所述摄像装置还具备第3电极，
所述半导体基板、所述第3电极、所述光电转换层和所述第2电极按照所述半导体基板、所述第3电极、所述光电转换层和所述第2电极的顺序层叠，
将所述第3电极在所述高灵敏度曝光期间与所述低灵敏度曝光期间中控制为相互不同的电压；
(ii)将所述第2电极在所述高灵敏度曝光期间与所述低灵敏度曝光期间中控制为相互不同的电压。


11.如权利要求10所述的摄像装置，
所述摄像装置具有以下的特征(I)及(II)中的至少一方：
(I)所述摄像装置具有所述特征(i)和第3时间常数，该第3时间常数用于依照所述第3时间常数使所述第3电极的电压变化，所述第3期间是所述第3时间常数的2倍以上；
(II)所述摄像装置具有所述特征(ii)和第2时间常数，该第2时间常数用于依照所述第2时间常数使所述第2电极的电压变化，所述第3期间是所述第2时间常数的2倍以上。

【专利技术属性】
技术研发人员：冈田雄介，德原健富，佐藤嘉晃，三宅康夫，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP