摄像装置及摄像方法制造方法及图纸

摄像装置(100)具备像素阵列(PA)。在第1帧中，第1期间、第3期间和第2期间按照该第1期间、第3期间和第2期间的顺序出现。在第1期间中，进行像素阵列(PA)中的第1行的像素信号读出。在第2期间中，进行像素阵列(PA)中的第2行的像素信号读出。第1期间及第2期间是高灵敏度曝光期间。第3期间是低灵敏度曝光期间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】摄像装置及摄像方法
本公开涉及摄像装置及摄像方法。
技术介绍
以往，对从摄像装置输出的图像的亮度值进行调整。亮度值的调整例如与被摄体的照度等相应地进行。亮度值的调整例如能够通过摄像元件的入射光量的调整来实现。入射光量的调整例如能够通过透镜的光阑的调整、快门对曝光时间的调整、基于ND(中性密度：NeutralDensity)滤波器(滤光片)的减光等来实现。亮度值的调整也能够通过摄像元件的灵敏度自身的调整来实现。如果调整了摄像元件的灵敏度，则从摄像元件读出的正或者负的电荷的量被调整。如果调整了电荷的量，则输出图像的亮度值被调整。在专利文献1及2中，记载了能够调整灵敏度的摄像元件。在专利文献1及2的摄像元件中，向光电转换层施加电压。通过控制该电压施加的时间宽度，调整摄像元件的灵敏度。在先技术文献专利文献专利文献1:日本特开2007－104114号公报专利文献2:日本特开2017－135704号公报专利文献3:日本特开2017－005051号公报专利技术内容本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种摄像装置，具备像素阵列，/n在第1帧中，第1期间、第3期间和第2期间按照该第1期间、第3期间和第2期间的顺序出现，/n在所述第1期间中，进行所述像素阵列中的第1行的像素信号读出，/n在所述第2期间中，进行所述像素阵列中的第2行的像素信号读出，/n所述第1期间及所述第2期间是高灵敏度曝光期间，/n所述第3期间是低灵敏度曝光期间。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180914 JP 2018-1728811.一种摄像装置，具备像素阵列，
在第1帧中，第1期间、第3期间和第2期间按照该第1期间、第3期间和第2期间的顺序出现，
在所述第1期间中，进行所述像素阵列中的第1行的像素信号读出，
在所述第2期间中，进行所述像素阵列中的第2行的像素信号读出，
所述第1期间及所述第2期间是高灵敏度曝光期间，
所述第3期间是低灵敏度曝光期间。


2.如权利要求1所述的摄像装置，
在所述第1帧中，所述高灵敏度曝光期间的总期间是所述低灵敏度曝光期间的总期间以上。


3.如权利要求1或者权利要求2所述的摄像装置，
在第2帧中，第4期间、第6期间和第5期间按照该第4期间、第6期间和第5期间的顺序出现，
在所述第4期间中，进行所述像素阵列中的第4行的像素信号读出，
在所述第5期间中，进行所述像素阵列中的第5行的像素信号读出，
所述第4期间及所述第5期间是低灵敏度曝光期间，
所述第6期间是高灵敏度曝光期间。


4.如权利要求1至3中任一项所述的摄像装置，
所述摄像装置还具备半导体基板和光电转换部，
所述光电转换部具备光电转换层、第1电极和第2电极，
所述半导体基板、所述第1电极、所述光电转换层和所述第2电极按照所述半导体基板、所述第1电极、所述光电转换层和所述第2电极的顺序层叠。


5.如权利要求4所述的摄像装置，
所述摄像装置具有以下的特征(i)及(ii)中的至少一方：
(i)所述摄像装置还具备第3电极，
所述半导体基板、所述第3电极、所述光电转换层和所述第2电极按照所述半导体基板、所述第3电极、所述光电转换层和所述第2电极的顺序层叠，
将所述第3电极在所述高灵敏度曝光期间与所述低灵敏度曝光期间中控制为相互不同的电压；
(ii)将所述第2电极在所述高灵敏度曝光期间与所述低灵敏度曝光期间中控制为相互不同的电压。


6.如权利要求4或者5所述的摄像装置，
所述摄像装置在所述高灵敏度曝光期间中将所述第2电极的电压控制为第1电压，
所述摄像装置进行使用第1驱动电压作为所述第1电压的第1驱动、以及使用第2驱动电压作为所述第1电压的第2驱动，
所述第1驱动电压与所述第2驱动电压相互不同。


7.如权利要求4至6中任一项所述的摄像装置，
所述摄像装置还具备第3电极，
所述半导体基板、所述第3电极、所述光电转换层和所述第2电极按照所述半导体基板、所述第3电极、所述光电转换层和所述第2电极的顺序层叠，
所述摄像装置在所述高灵敏度曝光期间中将所述第3电极的电压控制为第3电压，
所述摄像装置进行使用第3驱动电压作为所述第3电压的第3驱动、以及使用第4驱动电压作为所述第3电压的第4驱动，
所述第3驱动电压与所述第4驱动电压相互不同。


8.如权利要求1至3中任一项所述的摄像装置，
所述摄像装置还具备半导体基板和光电转换部，
所述光电转换部是被嵌入于所述半导体基板的嵌入光电二极管。


9.如权利要求8所述的摄像装置，
所述摄像装置具备：
第1晶体管，将所述嵌入光电二极管复位；
电荷积蓄部，积蓄由所述嵌入光电二极管生成的电荷；以及
第2晶体管，从所述嵌入光电二极管向所述电荷积蓄部转送所述电荷，
所述高灵敏度曝光期间是从所述第1晶体管变为截止到所述第2晶体管变为截...

【专利技术属性】
技术研发人员：三宅康夫，冈田雄介，德原健富，佐藤嘉晃，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP