发光纳米颗粒和含有其的发光太阳能集中器制造技术

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【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光纳米颗粒和含有其的发光太阳能集中器
本专利技术涉及在大面积、中性色发光太阳能集中器的形成中及其它用途中可以应用的核-壳纳米颗粒。
技术介绍
在本说明书中的在先公开文件的列出或讨论不应当被理解为所述文件是现有技术的一部分或者是公知常识。光伏技术接近其发展极限。晶体硅太阳能电池技术和薄膜碲化镉技术已经报道功率转换效率分别为26.1％和22.1％(参见NREL.NRELEfficiencyChart,<www.nrel.gov/pv/assets/images/efficiency-chart.png>(2018))，其接近它们由Shockley和Queisser定义的理论极限(Shockley,W.&Queisser,H.J.JournalofAppliedPhysics32,510-519(1961))，并且拥有超过20年的使用寿命。因此，太阳能研究的新前沿在于可以无缝地集成在用于产生能量的建筑物和立面中的非侵入式透明太阳能模块的开发。发光太阳能集中器(LSC)在该方面具有重大前景，并且1977年由Goetzber本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光纳米颗粒，其包含：/nIn

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180404 US 62/652,4811.一种发光纳米颗粒，其包含：
In1-xZnxAs；和
In1-yZnyP，其中
x为0至0.5，例如0.02至0.33；
y为0至0.6，例如0.02至0.5；和
In1-xZnxAs与In1-yZnyP的摩尔比为1:4至1:5000，例如1:10至1:1000，例如1:25至1:200(例如1:50)。


2.根据权利要求1所述的纳米颗粒，其中x为0和/或y为0。


3.根据权利要求1或权利要求2所述的纳米颗粒，其中所述纳米颗粒进一步包含ZnSeS、ZnSe、和ZnS中的一种或多种。


4.根据权利要求3所述的纳米颗粒，其中In与Zn的摩尔比为0.1～1～10:1，例如0.5～1～2:1，例如1:1，任选地其中：
(a)当ZnSeS、ZnSe、和ZnS中之一存在时，In与Zn的摩尔比为0.1～1～10:1，例如0.5～1～3:1，例如2:1；
(b)当ZnSeS、ZnSe、和ZnS中的两种存在时，In与Zn的摩尔比为0.1～1～10:1，例如0.5～1～2:1，例如1:1；或
(c)当ZnSeS、ZnSe、和ZnS三者全部存在时，In与Zn的摩尔比为0.1～1～10:1，例如0.5～1～2:1，例如1:2。


5.根据前述权利要求中任一项所述的纳米颗粒，其中所述纳米颗粒包含：
(a)InAs和InP；
(b)InAs、InP和ZnSe；
(c)InAs、InP和ZnS；
(d)InAs、InP、ZnSe和ZnS；和
(e)In1-xZnxAs、In1-yZnyP和ZnSeS，其中x为0.02至0.33和y为0.02至0.5。


6.根据前述权利要求中任一项所述的纳米颗粒，其中所述纳米颗粒具有光致发光峰和吸收边，其中所述光致发光峰从所述吸收边红移开50至250nm，例如75至150nm，例如100nm。


7.根据权利要求6所述的纳米颗粒，其中所述光致发光峰为700至1100nm，例如800至1000nm。


8.根据权利要求6或权利要求7所述的核-壳纳米颗粒，其中所述吸收边为600至1000nm，例如700至900nm。


9.根据前述权利要求中任一项所述的纳米颗粒，其中所述纳米颗粒为核-壳纳米颗粒。


10.根据权利要求9所述的纳米颗粒，其中所述纳米颗粒包含：
In1-xZnxAs核和包围In1-xZnxAs核的In1-yZnyP壳层，其中In1-xZnxAs与In1-yZnyP的摩尔比为1:4至1:5000，例如1:10至1:1000，例如1:25至1:200(例如1:50)；或
In1-yZnyP核和包围In1-yZnyP核的In1-xZnxAs壳层，其中In1-yZnyP与In1-xZnxAs的摩尔比为1:4至1:5000，例如1:10至1:1000，例如1:25至1:200(例如1:50)，其中：
x为0至0.5，例如0.02至0.33；和
y为0至...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈致匡，H·魏加亚，车瑞琦，
申请(专利权)人：新加坡国立大学，
类型：发明
国别省市：新加坡;SG