电平移位电路制造技术

一种电平移位电路用于将第一电压域的信号转换为第二电压域的信号。电平移位电路包括第一电压域电路、中间电压域电路以及第二电压域电路。第一电压域电路接收处于第一电压域的输入信号。第一电压域的信号在第一高电平电位和第一低电平电位之间切换。中间电压域电路将输入信号转为中间电压域信号。中间电压域信号在第二高电平电位和第一低电平电位之间切换。第一高电平电位和第二高电平电位不同。第二电压域电路将中间电压域信号转换为第二电压域信号并输出。第二电压域信号在第二高电平电位和第二低电平电位之间切换。第一高电平电位和所述第二高电平电位均大于第一低电平电位和第二低电平电位，第二低电平电位和第二低电平电位不相同。

【技术实现步骤摘要】
电平移位电路
本专利技术涉及一种电平移位电路。
技术介绍
通常显示器包括显示面板和用于驱动显示面板显示图像的显示驱动电路。设置于非显示区域内的驱动电路通常具有电平移位电路。电平移位电路用于将低电压域的信号转换为高电压域的信号或将高电压域的信号转换为低电压域的信号，以实现不同电压域内的信号传递。电平移位电路包括输入电路、输出电路、连接于输入电路和输出电路之间的控制电路。输入电路包括正向输入端和反向输入端，其具有一对输入晶体管。输出电路包括正向输出端和反向输出端，其具有一对输出晶体管。现有电路架构中，电平移位电路主要应用于不同电压域间转换，例如实现第一电压域向第二电压域的电平转换，两个电压域通常是共用接地端，第一电压域的第一高电平电位与第二电压域的第二高电平电位不同。电平移位电路中的晶体管具有一定的耐压阈值。耐压阈值与较高的高压电压电位以及较高的高压电压电位与对应的接地电压之间的差值相关。转换后的高电平电位不能超过击穿电压(包括栅氧击穿、漏至衬底击穿、源漏击穿等)范围。一旦超过击穿电压范围，会造成器件击穿，需要通过更换器件类型(例如，低耐压MOS换本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电平移位电路，用于将第一电压域的信号转换为第二电压域的信号；其特征在于：所述电平移位电路包括：/n第一电压域电路，接收处于第一电压域的输入信号；所述第一电压域信号在第一高电平电位和第一低电平电位之间切换；/n中间电压域电路，用于将所述输入信号转为中间电压域信号；其中，所述中间电压域信号在第二高电平电位和所述第一低电平电位之间切换；所述第一高电平电位和所述第二高电平电位不同；/n第二电压域电路，用于将所述中间电压域信号转换为第二电压域信号并输出；其中，所述第二电压域信号在所述第二高电平电位和第二低电平电位之间切换；所述第一高电平电位和所述第二高电平电位均大于所述第一低电平电位和所述第二低...

【技术特征摘要】
1.一种电平移位电路，用于将第一电压域的信号转换为第二电压域的信号；其特征在于：所述电平移位电路包括：
第一电压域电路，接收处于第一电压域的输入信号；所述第一电压域信号在第一高电平电位和第一低电平电位之间切换；
中间电压域电路，用于将所述输入信号转为中间电压域信号；其中，所述中间电压域信号在第二高电平电位和所述第一低电平电位之间切换；所述第一高电平电位和所述第二高电平电位不同；
第二电压域电路，用于将所述中间电压域信号转换为第二电压域信号并输出；其中，所述第二电压域信号在所述第二高电平电位和第二低电平电位之间切换；所述第一高电平电位和所述第二高电平电位均大于所述第一低电平电位和所述第二低电平电位；所述第二低电平电位和所述第二低电平电位不相同。


2.如权利要求1所述的电平移位电路，其特征在于：所述第一高电平电位小于所述第二高电平电位；所述第一低电平电位小于所述第二低电平电位；所述中间电压域电路用于将所述第一电压域的所述第一高电平电位转换为所述第二电压域的所述第二高电平电位。


3.如权利要求2所述的电平移位电路，其特征在于：所述第一电压域电路输出第一输出信号和第二输出信号；其中，所述第一输出信号和所述第二输出信号互为反相信号；所述中间电压域电路包括第一输入晶体管、第二输入晶体管、第一控制晶体管、第二控制晶体管、第一输出晶体管以及第二输出晶体管；所述第一输入晶体管的栅极接收所述第一输出信号，所述第二输入晶体管的栅极接收所述第二输出信号；所述第一输入晶体管的源极和所述第二输入晶体管的源极同时接收所述第一低电平电位电性连接，所述第一输入晶体管的漏极通过所述第一控制晶体管第一结点与所述第一输出晶体管的漏极电性连接，所述第二输入晶体管的漏极通过所述第二控制晶体管和第二结点与所述第二输出晶体管的漏极电性连接；所述第一输出晶体管的栅极与所述第二结点电性连接，所述第二输出晶体管的栅极与所述第一结点电性连接，所述第一输出晶体管的源极和所述第二输出晶体管的源极接收第二高电平电位；所述第一控制晶体管的栅极和所述第二控制晶体管的栅极接收第二低电平电位，所述第一控制晶体管的源极与所述第一结点电性连接，所述第一控制晶体管的漏极与所述第一输入晶体管的漏极电性连接，所述第二控制晶体管的源极与所述第二结点电性连接，所述第二控制晶体管的漏极与所述第二输入晶体管的漏极电性连接。


4.如权利要求3所述的电平移位电路，其特征在于：所述电平移位电路还包括屏蔽单元；所述屏蔽单元包括第一屏蔽晶体管和第二屏蔽晶体管；所述第一屏蔽晶体管的栅极接收所述第一高电平电位，所述第一屏蔽晶体管的源极与所述第一输入晶体管的漏极电性连接，所述第一屏蔽晶体管的漏极与所述第一控制晶体管的漏极电性连接；所述第二屏蔽晶体管的栅极接收所述第一高电平电位，所述第二屏蔽晶体管的源极与所述第二输入晶体管的漏极电性连接，所述第二屏蔽晶体管的漏极与所述第二控制晶体管的漏极电性连接。


5.如权利要求4所述的电平移位电路，其特征在于：所述屏蔽单元进一步还包括第三屏蔽晶体管和第四屏蔽晶体管；所述第三屏蔽晶体管的栅极与所述第一输入晶体管的栅极电性连接，所述第三屏蔽晶体管的源极接收所述第一高电平电位，所述第三屏蔽晶体管漏极电性连接于所述第一屏蔽晶体管的源极和所述第一输入晶体管的漏极之间；所述第四屏蔽晶体管的栅极与所述第二输入晶体管的栅极电性连接，所述第四屏蔽晶体管的源极接收所述第一高电平电位，所述第三屏蔽晶体管的漏极电性连接于所述第二屏蔽晶体管的源极和所述第二输入晶体管的漏极之间。


6.如权利要求3所述的电平移位电路，其特征在于：所述第二电压域电路包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管以及第六晶体管；所述第一晶体管的栅极与所述第一结点电性连接，所述第一晶体管的漏极通过第三结点与所述第五晶体管的漏极，所述第一晶体管的源极与所述第三晶体管的漏极电性连接；所述第二晶体管的栅极与所述第二结点电性连接，所述第二晶体管的漏极通过第四结点与所述第六晶体管的漏极，所述第二晶体管的源极与所述第四晶体管的漏极电性连接；所述第一晶体管的衬底和所述第二晶体管的衬底接收所述第二低电平电位；所述第三晶体管的栅极与所述第四结点电性连接，所述第三晶体管的源极接收所述第二低电平电位；所述第四晶体管的栅极与所述第三结点电性连接，所述第四晶体管的源极接收所述第二低电平电位；所述第五晶体管的栅极与所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋新喜，孙天奇，程珍娟，张靖恺，
申请(专利权)人：敦泰电子深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44