一种负载状态检测电路及电源芯片制造技术

技术编号:26693250 阅读:49 留言:0更新日期:2020-12-12 02:48
本发明专利技术提供了一种负载状态检测电路及电源芯片,所述负载状态检测电路包括恒压源模块、供电模块和信号模块,所述信号模块的第一输入端和第二输入端分别与所述供电模块的第一电阻的第一端以及第二端连接,通过检测所述第一电阻的流经电流以及第二端的电压为依据判断当前负载的工作状态,驱使功率输出电路开启。如此配置,使得电源芯片能够在空载状态下关闭自身以最大程度降低能耗、在短路情况下关闭自身以保护不被短路电流损坏、在负载的短路状态去除时又能够自主启动,解决了现有技术中电源芯片无法同时满足在空载状态下降低能耗、在短路情况下保护自身以及在短路状态去除时自主启动这三个需求。

【技术实现步骤摘要】
一种负载状态检测电路及电源芯片
本专利技术涉及电源芯片
,特别涉及一种负载状态检测电路及电源芯片。
技术介绍
对于以电池作为供电电源的电源变换器设备来说,输出端空载状态下的损耗是一个重要的设计指标,因为电池的容量有限,而电源变换器设备应用的频次相对较少;以电动自行车上的USB口充电器为例,其大部分时间处于输出端空载状态,若其空载状态时消耗的电流为3mA,此电流虽然不大,但也会影响用户体验。若是应用在便携式电动工具上,问题更为突出,因为便携式电动工具的电池容量都比较小,放置一段时间,可能会造成电池电量被其消耗掉大部分,影响电动工具的正常使用。为避免电源变换器设备在长期空载状态下,因功耗较大把电池电量消耗完,需要一款低功耗的电源变换器解决方案;另外,在正常使用过程中,因操作不慎造成输出端出现短路,容易造成芯片因损耗较大而出现温度较高情况,严重的甚至会造成芯片损坏,给产品带来严重安全隐患。对于高压电池包作为电源的电源变换器设备方案,部分客户解决方式是通过采用进口的低功耗电源芯片来制作,其成本高,货期不稳定,重要的是做出来的产品在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种负载状态检测电路,其特征在于,包括恒压源模块、供电模块和信号模块,/n所述供电模块包括第一电阻和第一晶体管,所述第一晶体管为NPN型的三极管,所述第一电阻的第一端与所述恒压源模块的输出端连接,所述第一电阻的第二端与所述第一晶体管的集电极连接,所述第一晶体管的集电极和基极连接,所述第一晶体管的发射极用于连接负载;/n所述信号模块的第一输入端与所述第一电阻的第一端连接,所述信号模块的第二输入端与所述第一电阻的第二端连接,所述信号模块被配置为,当流经所述第一电阻的参考电流满足第一预设条件以及所述信号模块的第二输入端获取的参考电压满足第二预设条件时,所述信号模块的第一输出端输出工作信号以驱使功...

【技术特征摘要】
1.一种负载状态检测电路,其特征在于,包括恒压源模块、供电模块和信号模块,
所述供电模块包括第一电阻和第一晶体管,所述第一晶体管为NPN型的三极管,所述第一电阻的第一端与所述恒压源模块的输出端连接,所述第一电阻的第二端与所述第一晶体管的集电极连接,所述第一晶体管的集电极和基极连接,所述第一晶体管的发射极用于连接负载;
所述信号模块的第一输入端与所述第一电阻的第一端连接,所述信号模块的第二输入端与所述第一电阻的第二端连接,所述信号模块被配置为,当流经所述第一电阻的参考电流满足第一预设条件以及所述信号模块的第二输入端获取的参考电压满足第二预设条件时,所述信号模块的第一输出端输出工作信号以驱使功率输出电路开启。


2.根据权利要求1所述的负载状态检测电路,其特征在于,所述第一预设条件包括,所述参考电流大于0A且持续时间超过预设时长。


3.根据权利要求2所述的负载状态检测电路,其特征在于,所述第二预设条件包括,所述参考电压大于1.4V且持续时间超过所述预设时长。


4.根据权利要求3所述的负载状态检测电路,其特征在于,所述信号模块包括充放电子模块和电容器;
所述充放电子模块被配置为,当所述参考电流大于0A且所述参考电压大于1.4V时对所述电容器充电,否则,对所述电容器放电;
所述信号模块被配置为,当所述电容器的电压大于或等于预设电压时,输出所述工作信号。


5.根据权利要求4所述的负载状态检测电路,其特征在于,所述恒压源模块还用于提供偏置电流,所述充放电子模块包括第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第二电阻、第三电阻、第四电阻,所述信号模块还包括第八晶体管;
所述第二晶体管为PNP型的三极管,所述第二晶体管的发射极与所述第一电阻的第一端连接,所述第二晶体管的基极与所述第一电阻的第二端连接并用于获取所述参考电压;
所述第三晶体管为NPN型的三极管,所述第三晶体管的集电极与所述第二晶体管的集电极连接,所述第三晶体管的基极与自身的集电极连接;
所述第四晶体管为NPN型的三极管,所述第四晶体管的集电极与所述第三晶体管的发射极连接,所述第四晶体管的基极与自身的集电极连接;
所述第二电阻的一端与所述第二晶体管的集电极连接,另一端与所述第五晶体管的发射极连接;
所述第五晶体管为PNP型的三极管,所述第五晶体管的集电极接地;
所述第三电阻的一端与所述第四晶体管的发射极连接,另一端与所述第七晶体管的基极连接;
所述第四电阻的一端与所述第四晶体管的发射极连接,另一端接地;

【专利技术属性】
技术研发人员:刘彬李瑞平池伟陈博许锦龙
申请(专利权)人:上海芯龙半导体技术股份有限公司南京分公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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