具有改进的晶须抑制的压配合端子制造技术

一种用于插入到基板的导电通孔中的压配合端子包括具有外表面和内表面的弹性变形部分，所述压配合端子依次包括铜或铜合金基体、镍或镍合金阻挡层、锡或锡合金层以及铟顶层。所述压配合端子显示出减少的晶须形成。

【技术实现步骤摘要】
具有改进的晶须抑制的压配合端子
本专利技术涉及一种具有改进的晶须抑制的压配合端子，其中所述压配合端子有待插入到基板的导电通孔中。更具体地，本专利技术涉及一种具有改进的晶须抑制的压配合端子，其中具有改进的晶须抑制的所述压配合端子有待插入到基板的导电通孔中，其中所述压配合端子包括具有外表面和内表面的线性弹性变形部分，所述压配合端子依次包括铜或铜合金基体、镍或镍合金阻挡层、锡或锡合金层以及铟顶层。
技术介绍
由于2006年7月欧洲有害物质限制指令(RoHS)法规的实施，认识到锡晶须对无铅电子部件或产品造成更为严重的可靠性威胁。电子器件日益复杂化和小型化的趋势加剧了这一状况。压配合连接是一种用于制作可靠电子接头的无焊料技术。当与焊接相比时，现代压配合顺应解决方案具有许多优点，诸如无焊料、低热应力、更佳的可靠性、更低的成本等，从而使其成为一种流行的互连技术。据报道，压配合连接器已经开始在电信、计算机印刷电路板(PCB)和汽车电子模块的高端连接器应用中占主导地位。压配合技术允许将压配合销或端子插入到印刷电路板(PCB)中的镀覆通孔(PTH)中，以在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有待插入到基板的导电通孔中的压配合端子，所述压配合端子包括：具有外表面和内表面的线性弹性变形部分，所述压配合端子依次包括铜或铜合金基体、镍或镍合金阻挡层、锡或锡合金层以及铟顶层。/n

【技术特征摘要】
20190610 US 62/8594961.一种有待插入到基板的导电通孔中的压配合端子，所述压配合端子包括：具有外表面和内表面的线性弹性变形部分，所述压配合端子依次包括铜或铜合金基体、镍或镍合金阻挡层、锡或锡合金层以及铟顶层。


2.如权利要求1所述的有待插入到基板的导电通孔中的压配合端子，其中所述镍或镍合金层具有0.5-5μm的厚度。


3.如权利要求1所述的有待插入到基板的导电通孔中的压配合端子，其中所述锡或锡合金层具有0.5-5μm的厚度。


4.如权利要求1所述的有待插入到基板的导电通孔中的压配合端子，其中所述铟顶层具有0.1-3μm的厚度。


5.如权利要求4所述的有待插入到基板的导电通孔中的压配合端子，其中所述铟顶层...

【专利技术属性】
技术研发人员：何莼，
申请(专利权)人：罗门哈斯电子材料有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US