【技术实现步骤摘要】
半导体封装和制造半导体封装的方法
本公开总体上涉及一种半导体封装以及一种用于制造半导体封装的方法。
技术介绍
半导体封装,特别是适合于双侧冷却的半导体封装,可以包括两个彼此相对布置以形成“夹心结构”的载体以及布置在载体之间的一个或多个半导体芯片,特别是功率半导体芯片。此外,载体可以被配置用于将诸如散热器的冷却结构附接到其外表面。为了满足例如严格的热性能要求,载体必须具有较高的平面度。表面不规则性增加了载体和冷却结构之间的平均距离,从而增加了半导体封装的热阻。提供令人满意的平面度可以包括研磨载体的外侧以去除表面不规则性。表面不规则性越大,必须从载体上研磨掉的材料越多。改进的半导体封装和改进的用于制造半导体封装的方法可以减少甚至消除载体的表面不规则性。因此,可能必须研磨掉的材料较少,甚至可以完全省去研磨。此外,在安装半导体封装时,例如通过使用诸如焊料之类的相对较厚的安装化合物,需要补偿由于粗糙度或制造公差引起的厚度不准确性。这可以导致从半导体封装向外的热传导减少。因此,期望具有精确厚度且具有良好制造公差的半导体封装。通过 ...
【技术保护点】
1.一种用于双侧冷却的半导体封装(100、200、300、400),所述半导体封装(100、200、300、400)包括:/n彼此面对的第一载体(110)和第二载体(120),/n布置在所述第一载体和所述第二载体(110、120)之间的至少一个功率半导体芯片(130),/n至少部分地布置在所述第一载体和所述第二载体(110、120)之间的外部接触部(140),以及/n布置在所述第一载体和所述第二载体(110、120)之间的弹簧元件(150);/n其中,所述第一载体和所述第二载体(110、120)均包括绝缘层(112、122)、外部导电层(113,123)和面对所述至少一个功 ...
【技术特征摘要】
20190611 DE 102019115857.51.一种用于双侧冷却的半导体封装(100、200、300、400),所述半导体封装(100、200、300、400)包括:
彼此面对的第一载体(110)和第二载体(120),
布置在所述第一载体和所述第二载体(110、120)之间的至少一个功率半导体芯片(130),
至少部分地布置在所述第一载体和所述第二载体(110、120)之间的外部接触部(140),以及
布置在所述第一载体和所述第二载体(110、120)之间的弹簧元件(150);
其中,所述第一载体和所述第二载体(110、120)均包括绝缘层(112、122)、外部导电层(113,123)和面对所述至少一个功率半导体芯片(130)的内部导电层(111、121),
其中,所述第一载体和所述第二载体(110、120)包括相对的凹陷(310),在所述凹陷(310)中不存在所述第一载体和所述第二载体(110、120)的所述内部导电层(111、121);并且
其中,每个弹簧元件(150)布置在凹陷(310)中。
2.根据权利要求1所述的半导体封装(100、200、300、400),其中,所述外部接触部(140)和所述弹簧元件(150)是引线框架(210)的部分。
3.根据权利要求1或2所述的半导体封装(100、200、300、400),其中,每个弹簧元件(150)与所述外部接触部(140)之一一体形成,特别是整体形成。
4.根据前述权利要求中的一项所述的半导体封装(100、200、300、400),其中,所述弹簧元件(150)基板上具有S形。
5.根据权利要求4所述的半导体封装(100、200、300、400),其中,所述外部接触部(140)布置在公共平面中,并且其中,所述弹簧元件(150)从所述平面向上和向下弯曲。
6.根据权利要求4或5所述的半导体封装(300),其中,所述S形的第一弧形(151)接触所述第一载体(110)的所述绝缘层(112),并且其中,所述S形的第二弧形(152)接触所述第二载体(120)的所述绝缘层(122)。
7.根据权利要求6所述的半导体封装(300),其中,所述第一弧形(151)和所述第二弧形(152)中的一个或多个被配置为沿着相应的绝缘层(112、122)滑动。
8.根据前述权利要求中的一项所述的半导体封装(100、200、300、400),其中,每个所述弹簧元件(150)布置在所...
【专利技术属性】
技术研发人员:J·赫格尔,B·贝茨,S·布拉德尔,D·奥伯迈尔,
申请(专利权)人:英飞凌科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:德国;DE
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