一种位错缺陷分析方法技术

本申请提供了一种位错缺陷分析方法，涉及半导体材料位错分析技术领域。首先利用等离子体处理设备对待分析样品进行离子氧化处理，以在待分析样品的表面形成氧化物薄层；其中，待分析样品包括缺陷区与非缺陷区，且缺陷区的氧化物薄层的厚度大于非缺陷区的氧化物薄层的厚度，然后将待分析样品置于酸性溶液中，并利用酸性溶液腐蚀去除氧化物薄层，以在缺陷区的位置形成缺陷坑，最后依据缺陷坑的数量与位置对待分析样品的位错缺陷进行分析。本申请提供的位错缺陷分析方法具有能够更加方便的实现位错缺陷分析的效果。

【技术实现步骤摘要】
一种位错缺陷分析方法
本申请涉及半导体材料位错分析
，具体而言，涉及一种位错缺陷分析方法。
技术介绍
GaN及其他III族氮化物半导体材料(AlN、InN等二元化合物及相应三元化合物)具有优异的光电性能，在光电子与高速功率器件方面有着广泛的应用前景。目前III族氮化物的材料生长多采用异质外延技术，例如在硅衬底、蓝宝石衬底、碳化硅衬底上进行生长。由于异质衬底生长会带来晶格失配或热膨胀系数失配等问题，III族氮化物的材料中容易出现较多的位错。位错属于线缺陷，主要表现在原子未对齐或是沿位错线存在空位，它会引起晶格畸变。因此，对于半导体材料的位错缺陷检测与分析尤为重要，然而，目前对于位错的检测与分析的方法均较为复杂。
技术实现思路
本申请的目的在于提供一种位错缺陷分析方法，以解决现有技术中存在的对于位错的检测与分析的方法均较为复杂的问题。为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：本申请提供了一种位错缺陷分析方法，所述方法包括：利用等离子体处理设备对待分析样品进行离子氧化处理，以在所述待分本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种位错缺陷分析方法，其特征在于，所述方法包括：/n利用等离子体处理设备对待分析样品进行离子氧化处理，以在所述待分析样品的表面形成氧化物薄层；其中，所述待分析样品包括缺陷区与非缺陷区，且所述缺陷区的氧化物薄层的厚度大于所述非缺陷区的氧化物薄层的厚度；/n将所述待分析样品置于酸性溶液中，并利用酸性溶液腐蚀去除所述氧化物薄层，以在所述缺陷区的位置形成缺陷坑；/n依据所述缺陷坑的数量与位置对所述待分析样品的位错缺陷进行分析。/n

【技术特征摘要】
1.一种位错缺陷分析方法，其特征在于，所述方法包括：
利用等离子体处理设备对待分析样品进行离子氧化处理，以在所述待分析样品的表面形成氧化物薄层；其中，所述待分析样品包括缺陷区与非缺陷区，且所述缺陷区的氧化物薄层的厚度大于所述非缺陷区的氧化物薄层的厚度；
将所述待分析样品置于酸性溶液中，并利用酸性溶液腐蚀去除所述氧化物薄层，以在所述缺陷区的位置形成缺陷坑；
依据所述缺陷坑的数量与位置对所述待分析样品的位错缺陷进行分析。


2.如权利要求1所述的位错缺陷分析方法，其特征在于，所述待分析样品包括多层，且多层待分析样品中包括目标层；在所述利用等离子体处理设备对待分析样品进行离子氧化处理，以在所述待分析样品的表面形成氧化物薄层的步骤之前，所述位错缺陷分析方法还包括：
确定所述目标层与所述待分析样品的表面之间的厚度；
当所述厚度大于阈值时，对所述待分析样品进行干法刻蚀；
当所述厚度小于或等于阈值时，执行利用等离子体处理设备对待分析样品进行离子氧化处理，以在所述待分析样品的表面形成氧化物薄层的步骤。


3.如权利要求1所述的位错缺陷分析方法，其特征在于，在对所述缺陷坑的数量与位置对所述待分析样品的位错缺陷进行分析的步骤之前，所述方法还包括：
重复执行利用等离子体处理设备对待分析样品进行离子氧化处理，并将所述待分析样品置于酸性溶液中，并利用酸性溶液腐蚀去除所述氧化物薄层的步骤，直至执行的次数达到预设值。


4.如权利要求1所述的位错缺陷分析方法，其特征在于，所述酸性溶液包括盐酸溶液、氢氟酸溶液或者缓冲氧化物刻蚀液。


5.如权利要求4所述的位错缺陷分析方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：任远，刘宁炀，王君君，何晨光，陈志涛，程川，
申请(专利权)人：广东省科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：广东;44