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本申请提供了一种位错缺陷分析方法，涉及半导体材料位错分析技术领域。首先利用等离子体处理设备对待分析样品进行离子氧化处理，以在待分析样品的表面形成氧化物薄层；其中，待分析样品包括缺陷区与非缺陷区，且缺陷区的氧化物薄层的厚度大于非缺陷区的氧化物...
该专利属于广东省科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过广东省科学院半导体研究所授权不得商用。

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