一种陶瓷连接件及其制备方法和应用技术

技术编号:26683077 阅读:31 留言:0更新日期:2020-12-12 02:23
本发明专利技术属于陶瓷连接技术领域,公开了一种陶瓷连接件及其制备方法和应用。该方法是将Re

【技术实现步骤摘要】
一种陶瓷连接件及其制备方法和应用
本专利技术属于非氧化物陶瓷材料
,更具体地,涉及一种陶瓷连接件及其制备方法和应用。
技术介绍
精细陶瓷一般都具有耐高温、高硬度、抗磨损、耐腐蚀、高温强度高等优良特性,是航空航天、军工以及核能领域的关键材料,其中以SiC和Si3N4尤其突出。然而,由于陶瓷材料的脆性较大,且韧度较低,耐热冲击能力弱,而其加工性能差,制造尺寸大而形状复杂的零件较为困难。因此,需要通过陶瓷之间的连接技术来制取形状复杂的零部件。为了避免中间层与母材之间因材料差异使得连接后接头处存在热应力,广泛采用纳米瞬时液相工艺进行连接;然而该工艺需要在高温、高压条件下进行,不利于其推广应用。因此,继续开发一种连接方法能保证连接性能,同时也能促进其在低温和低压条件下实现高强连接。
技术实现思路
为了解决上述现有技术存在的不足和缺点,本专利技术首要目的在于提供一种陶瓷连接件的制备方法,该方法可在低温和低压下制备陶瓷连接件。本专利技术的另一目的在于提供上述方法制得的陶瓷连接件。本专利技术的再一目的在于提供上述陶瓷连本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种陶瓷连接件的制备方法,其特征在于,包括以下具体步骤:/nS1.将Re

【技术特征摘要】
1.一种陶瓷连接件的制备方法,其特征在于,包括以下具体步骤:
S1.将Re2O3溶解于无机酸中,得到含Re离子的溶液;
S2.将Al2O3加入含Re离子的溶液中球磨,然后与SiC或Si3N4纳米陶瓷粉体球磨混合后,制得连接材料;
S3.将连接材料置于两块抛光后的SiC或Si3N4陶瓷间形成三明治结构,在真空或保护气氛下,升温至1000~1200℃保温,然后升温至1300~1600℃煅烧,加压0.1~10MPa,制成陶瓷连接件。


2.根据权利要求1所述的陶瓷连接件的制备方法,其特征在于,步骤S1中所述Re2O3中Re为Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb或Lu,所述Re2O3粉的纯度为95~99.999%,所述Re2O3粉的粒径为0.1~10μm;所述无机酸为硝酸或盐酸,所述无机酸的浓度为1~6mol/L。


3.根据权利要求1所述的陶瓷连接件的制备方法,其特征在于,步骤S2中所述Al2O3的纯度为95~99.999%,所述Al2O3的粒径为0.01~1μm;所述纳米陶瓷粉体的纯度为99~99.999%,粒径为10~100nm。


4.根据权利要求1所述的陶瓷连接件的制备方法,其特征在于,步骤S1和S2中所述Al2O3和Re2O3质量为Al...

【专利技术属性】
技术研发人员:何盛金吴利翔郭伟明詹创添朱林林林华泰
申请(专利权)人:广东工业大学
类型:发明
国别省市:广东;44

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