晶体的镀膜方法技术

本发明专利技术提供了一种晶体的镀膜方法，涉及光学元件加工的技术领域，晶体的镀膜方法包括：沿着预设切割轮廓，利用激光从基片上表面入射在基片内部进行改质切割，得到第一中间产物；对第一中间产物的上表面和/或下表面进行镀膜，得到第二中间产物；沿着预设切割轮廓，利用激光在第二中间产物上表面进行划切操作，对晶圆进行裂片处理，从而将目标产物与边角料分离。因为第一中间产物中的目标产物与边角料并没有分离，所以镀膜时，不会对目标产物的周向侧面产生污染，周向侧面不需要进行保护胶处理，更无需进行除胶处理了，简化了加工步骤。

【技术实现步骤摘要】
晶体的镀膜方法
本专利技术涉及光学元件加工的
，尤其是涉及一种晶体的镀膜方法。
技术介绍
随着电子产业的高速发展，对精密光学元器件的加工精度表面质量，要求越来越高，光学用棱镜对性能的集成要求促使棱镜的形状向多边形，不规则的形状发展，因此突破传统的加工工艺，更加巧妙的设计加工流程至关重要。现有的晶体的镀膜方法包括：将大片晶体分割成等面积的中片晶体，然后将多个中块晶体堆叠，并将相邻两个中片晶体利用胶水粘合；将堆叠的中片晶体再次分隔成多组等面积的堆叠的小片晶体；取其中一摞小片晶体，多小片晶体的周向侧面进行抛光，从而得到截面为圆形的小片晶体；解胶，将粘合的多片晶体分离；取其中一个小片晶体，在小片晶体的周向侧壁上涂抹保护胶；对小片晶体的正面和/或反面进行镀膜；去除小片晶体周向侧面的保护胶，得到最终产品。现有的晶体镀膜加工方法需要对晶圆的周向侧壁进行涂胶保护，对于体积较小的晶圆而言，涂胶时很容易污染上下表面，并且操作不易，当晶体的正反面镀膜结束后，还需要将保护胶洗去，操作步骤繁琐。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种晶体的镀膜方法，其特征在于，所述晶体的镀膜方法包括：/n沿着预设切割轮廓(400)，利用激光(200)从基片(100)上表面入射在基片(100)内部进行改质切割，得到第一中间产物；/n对第一中间产物的上表面和/或下表面进行镀膜，得到第二中间产物；/n沿着预设切割轮廓(400)，利用激光(200)在第二中间产物上表面进行划切操作，对晶圆进行裂片处理，从而将目标产物与边角料分离。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶体的镀膜方法，其特征在于，所述晶体的镀膜方法包括：
沿着预设切割轮廓(400)，利用激光(200)从基片(100)上表面入射在基片(100)内部进行改质切割，得到第一中间产物；
对第一中间产物的上表面和/或下表面进行镀膜，得到第二中间产物；
沿着预设切割轮廓(400)，利用激光(200)在第二中间产物上表面进行划切操作，对晶圆进行裂片处理，从而将目标产物与边角料分离。


2.根据权利要求1所述的晶体的镀膜方法，其特征在于，所述目标产物的横截面积小于基片(100)的表面积，所述第一中间产物上具有多个不重叠的预设切割轮廓(400)。


3.根据权利要求1所述的晶体的镀膜方法，其特征在于，所述基片(100)的下表面包括与所述基片(100)的上表面平行的第一面(110)，所述基片(100)的下表面还包括沿第一方向延伸的第二面(120)，所述第一面(110)和第二面(120)相接，且沿所述第一面(110)朝向第二面(120)方向，所述第二面(120)到所述基片(100)的上表面之间的距离逐渐减小；
所述第一面(110)和第二面(120)相接的棱形成定位棱(130)；
所述预设切割轮廓(400)包括圆弧(410)和线段(420)，所述线段(420)的一端与所述圆弧(410)的一端连接，所述线段(420)的另一端与所述圆弧(410)的另一端连接；
且所述线段(420)与所述定位棱(130)平行。


4.根据权利要求3所述的晶体的镀膜方法，其特征在于，所述晶体的镀膜方法包括在所述沿着预设切割轮廓(400)，利用激光(200)从基片(100)上表面入射...

【专利技术属性】
技术研发人员：丁伟，尹群，张峰，余辉，刘风雷，
申请(专利权)人：浙江水晶光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33