硅场效应发射极制造技术

本发明专利技术涉及一种硅场效应发射极。本发明专利技术涉及一种X射线管、X射线装置、用于在阳极上以预先给定的空间分布产生X射线辐射的方法以及相关的计算机程序产品。根据本发明专利技术的X射线管具有：‑阳极，‑第一开关设备，‑第二开关设备，‑控制单元，以及‑具有多个场效应发射极针的发射极，其中，多个场效应发射极针中的至少一个场效应发射极针具有小于1μm的直径，并且具有硅，其中，可以借助第一开关设备接通或者断开多个场效应发射极针中的第一组，其中，可以借助第二开关设备接通或者断开多个场效应发射极针中的第二组，其中，第一组与第二组不同，以及其中，控制单元被构造为用于控制第一开关设备和第二开关设备。

【技术实现步骤摘要】
硅场效应发射极
本专利技术涉及一种X射线管、X射线装置、用于在阳极上以预先给定的空间分布产生X射线辐射的方法以及相关的计算机程序产品。
技术介绍
在X射线管中，通常通过利用电子轰击阳极来产生X射线辐射。X射线管的分辨能力通常由电子撞击到阳极上时的空间分布来确定。传统上，由热离子钨发射极、碳场效应发射极和/或具有扩散阴极的场效应发射极来发射电子。前面描述的发射极的共同之处在于，电子发射密度通常局限于大约3A/cm^2。然而，为了进行成像检查，通常需要大约10A/cm^2的电子发射密度，因此通常特别是借助偏转单元，使传统的发射极的电子聚焦在阳极上。电子的聚焦一般取决于具有发射极的阴极与阳极之间的加速电压以及电子的空间电荷密度。也就是说，电子的空间分布通常依据加速电压和/或电子束的强度而变化。从尚未公开的申请EP18158898中，已知一种具有至少一个电子发射极并且具有至少一个阻挡栅极的电子发射设备。尚未公开的申请EP18154147公开了一种具有平面发射极并且具有可接入的场效应电子发射极的热离子发射设备。Guerrera等人本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种X射线管(R)，具有：/n-阳极(A)，/n-第一开关设备，/n-第二开关设备，/n-控制单元(S)，以及/n-具有多个场效应发射极针(F1，F2，FN)的发射极(E)，/n其中，所述多个场效应发射极针(F1，F2，FN)中的至少一个场效应发射极针具有小于1μm的直径，并且具有硅，/n其中，能够借助所述第一开关设备接通或者断开所述多个场效应发射极针(F1，F2，FN)中的第一组(G1)，/n其中，能够借助所述第二开关设备接通或者断开所述多个场效应发射极针(F1，F2，FN)中的第二组(G2)，/n其中，所述第一组(G1)与所述第二组(G2)不同，以及/n其中，所述控制单元(S)被构造为...

【技术特征摘要】
20190605 EP 19178363.81.一种X射线管(R)，具有：
-阳极(A)，
-第一开关设备，
-第二开关设备，
-控制单元(S)，以及
-具有多个场效应发射极针(F1，F2，FN)的发射极(E)，
其中，所述多个场效应发射极针(F1，F2，FN)中的至少一个场效应发射极针具有小于1μm的直径，并且具有硅，
其中，能够借助所述第一开关设备接通或者断开所述多个场效应发射极针(F1，F2，FN)中的第一组(G1)，
其中，能够借助所述第二开关设备接通或者断开所述多个场效应发射极针(F1，F2，FN)中的第二组(G2)，
其中，所述第一组(G1)与所述第二组(G2)不同，以及
其中，所述控制单元(S)被构造为用于控制所述第一开关设备和所述第二开关设备。


2.根据权利要求1所述的X射线管(R)，其中，所述第一组(G1)与所述第二组(G2)在多个场效应发射极针(F1，F2，FN)的布置上不同。


3.根据权利要求2所述的X射线管(R)，其中，所述第一组(G1)与所述第二组(G2)在多个场效应发射极针(F1，F2，FN)的数量上不同。


4.根据上述权利要求中任一项所述的X射线管(R)，其中，所述第一组(G1)与所述第二组(G2)在所施加的加速电压上不同。


5.根据权利要求1所述的X射线管(R)，其中，所述第一组(G1)与所述第二组(G...

【专利技术属性】
技术研发人员：J弗罗伊登伯格，A弗里茨勒，
申请(专利权)人：西门子医疗有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE