【技术实现步骤摘要】
一种用于高能离子注入机射频加速的多通道数字合成同步信号发生器
本专利技术涉及一种用于高能离子注入机射频加速的多通道数字合成同步信号发生器，涉及离子注入机，属于半导体装备制造领域。
技术介绍
高能离子注入机在逻辑和存储集成电路、成像器件及功率器件等半导体各领域有着广泛应用。高能离子注入机与其他类型离子注入机的最大区别在于其高能加速模块。由于所需离子能量较高，应用于大束流离子注入机或中束流离子注入机的常规静电高压加速结构在可靠性或体积方面存在问题。射频加速是高能离子注入机的关键技术，基于射频加速结构的高能离子注入机在束流参数和可靠性等方面有优势，占据市场主导地位。国内目前还只能生产、制造中束流的离子注入机，不能满足某些微纳米器件制造中半导体掺杂工艺的高能大束流离子注入要求。因此，致力于研究和发展高能离子注入机，提升国产高能离子注入机设备制造水平是十分重要的。兆伏级高能离子注入采用线性双腔结构的RF(RadioFrequency)谐振加速，对离子束加速是用一系列双腔结构的射频谐振腔进行加速，每个加速...
【技术保护点】
1.一种用于高能离子注入机射频加速的多通道数字合成同步信号发生器，包括主控计算机，通信接口电路，STM32处理器，显示器，键盘，石英晶体振荡器，高速时钟分配器，多个FPGA芯片，多个高速DAC转换电路，多个驱动电路和多个输出通道，石英晶体振荡器连接高速时钟分配器，高速时钟分配器连接STM32处理器和多个FPGA芯片，STM32处理器连接显示器、键盘、通信接口电路和各FPGA芯片， FPGA芯片连接高速DAC转换电路，高速DAC连接驱动电路，驱动电路连接输出通道，主控计算机通过通信接口电路连接STM32处理器，输出通道还与每一个射频加速腔上的同步加速控制器相连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种用于高能离子注入机射频加速的多通道数字合成同步信号发生器，包括主控计算机，通信接口电路，STM32处理器，显示器，键盘，石英晶体振荡器，高速时钟分配器，多个FPGA芯片，多个高速DAC转换电路，多个驱动电路和多个输出通道，石英晶体振荡器连接高速时钟分配器，高速时钟分配器连接STM32处理器和多个FPGA芯片，STM32处理器连接显示器、键盘、通信接口电路和各FPGA芯片，FPGA芯片连接高速DAC转换电路，高速DAC连接驱动电路，驱动电路连接输出通道，主控计算机通过通信接口电路连接STM32处理器，输出通道还与每一个射频加速腔上的同步加速控制器相连接。
2.根据权利要求1所述的一种用于高能离子注入机射频加速的多通道数字合成同步信号发生器，其特征在于：所述高速时钟分配器主要...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘辉，刘蒙瑞，张琪，叶磊，谢明华，周志英，阙珊，
申请(专利权)人：长沙学院，
类型：发明
国别省市：湖南;43
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