场发射阴极及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种场发射阴极，其包括导电基板以及形成在所述导电基板上的Ti

【技术实现步骤摘要】
场发射阴极及其制备方法
本专利技术属于场发射
，具体涉及一种场发射阴极及其制备方法。
技术介绍
真空电子器件在通讯、空间技术、安全检测、医疗成像等领域中有着广泛的应用。真空电子器件的核心部件是阴极，它是用来产生真空器件工作所需的电子束流。目前，使用最广泛的阴极是金属热阴极，然而，热阴极存在体积大、热辐射功耗大、开启时间长、高温下材料蒸发等缺陷，限制了真空电子器件向微型化和集成化方向发展。近年来，基于各种一维/二维纳米材料的场致发射冷阴极得到了研究者的广泛关注和研究，在较低的电场下，其纳米级的尖端可以形成局域增强效应，电子在较低的电场作用下就能够发生隧穿效应，形成极大的发射电流，其典型代表为石墨烯和碳纳米管。石墨烯具有丰富的尖锐边缘结构，可以作为有效的电子发射地址，再加上其稳定的机械化学性能，以及优异的导电导热特性，是一种理想的场发射纳米材料。碳纳米管作为一维材料，其导电导热性能和石墨烯相似，并且具有巨大的长径比，其纳米级的管端部(开口或者闭合)能够高效的发射电流。相比于热阴极，场发射阴极具有室温工作、快速响应(纳秒级)、低功耗、可本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种场发射阴极，其特征在于，所述场发射阴极包括导电基板以及形成在所述导电基板上的Ti

【技术特征摘要】
1.一种场发射阴极，其特征在于，所述场发射阴极包括导电基板以及形成在所述导电基板上的Ti3C2纳米片薄膜层。


2.根据权利要求1所述的场发射阴极，其特征在于，所述Ti3C2纳米片薄膜层的厚度为1μm～10μm。


3.根据权利要求1或2所述的场发射阴极，其特征在于，所述导电基板选自基材为铁、钛、铜、铬、钴、镍、钨、钼、钽和铂中的至少一种形成的金属基板；或者是，所述导电基板为氧化铟锡导电玻璃或硅片。


4.一种如权利要求1-3任一所述的场发射阴极的制备方法，其特征在于，包括：
提供导电基板；
配制Ti3C2纳米片分散液；
将所述Ti3C2纳米片分散液涂覆于所述导电基板上，在所述导电基板上形成Ti3C2纳米片薄膜层。


5.根据权利要求4所述的场发射阴极的制备方法，其特征在于，所述配制Ti3C2纳米片分散液包括：提供Ti3C2纳米片原料，将所述Ti3C2纳米片原料加入溶剂中，超声搅拌后离心处理获得所述Ti3C2纳米片分散液。


6.根据权利要求5所述的场发射阴极的制备方法，其特征在于，所述Ti3C2纳米片分散液中，Ti3C2纳米片的浓度为1mg/mL～5mg/mL。


7.根据权利要求5所述的场发射阴极的制备方法，其特征在于，所述超声搅拌的...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪序达，梁栋，郑海荣，
申请(专利权)人：深圳先进技术研究院，
类型：发明
国别省市：广东;44