【技术实现步骤摘要】
存储器件及其操作方法相关申请的交叉引用本申请要求于2019年6月5日提交的申请号为10-2019-0066757的韩国专利申请的优先权,其全部公开内容通过引用合并于此。
本专利技术的各种实施例涉及半导体设计技术,并且更具体地,涉及具有修复功能的存储器件及其操作方法。
技术介绍
存储器件可以具有修复功能。例如,修复功能可以用冗余存储单元(备用存储单元)替换有缺陷存储单元。通常,由于存储器件具有其中每个存储区域(例如,存储体)分配有备用存储区域的结构,因此在特定存储区域中的有缺陷存储单元只能用在对应的被分配备用存储区域中的备用存储单元来替换。因此,当在给定存储区域中的有缺陷存储单元的数量比在对应的被分配备用存储区域中的备用存储单元的数量大时,备用存储区域没有足够的备用存储单元来替换全部的有缺陷存储单元。相反,较大的备用存储区域(即,容纳比对应的存储区域中的存储单元多的备用存储单元的一个备用存储区域)占用了不必要的大面积。存储器件可以在低温下运行,并且这样做比在室温下运行的存储器件所消耗的功 ...
【技术保护点】
1.一种存储器件,包括:/n多个第一数据线;/n多个第二数据线;/n公共冗余存储区域,其耦接到所述第二数据线中的至少一个修复线;/n多个正常存储区域,其共同耦接到所述第一数据线,并且共同耦接到除所述修复线以外的其余第二数据线;以及/n修复电路,其耦接到所述第一数据线和所述第二数据线,并且适用于基于行地址、列地址和区域地址,通过将所述第一数据线中的一些或全部移位到所述第二数据线中的一些或全部,用所述公共冗余存储区域中的至少一个冗余存储单元替换所述正常存储区域中的至少一个有缺陷存储单元。/n
【技术特征摘要】
20190605 KR 10-2019-00667571.一种存储器件,包括:
多个第一数据线;
多个第二数据线;
公共冗余存储区域,其耦接到所述第二数据线中的至少一个修复线;
多个正常存储区域,其共同耦接到所述第一数据线,并且共同耦接到除所述修复线以外的其余第二数据线;以及
修复电路,其耦接到所述第一数据线和所述第二数据线,并且适用于基于行地址、列地址和区域地址,通过将所述第一数据线中的一些或全部移位到所述第二数据线中的一些或全部,用所述公共冗余存储区域中的至少一个冗余存储单元替换所述正常存储区域中的至少一个有缺陷存储单元。
2.根据权利要求1所述的存储器件,其中,所述修复电路将所述第一数据线中相对于有缺陷线设置在一侧上的至少一个移位到所述第二数据线中的至少一个,其中通过所述有缺陷线传输所述有缺陷存储单元的数据。
3.根据权利要求2所述的存储器件,其中,耦接到所述公共冗余存储区域的所述至少一个修复线包括作为所述第二数据线之中的靠外侧线的一个修复线。
4.根据权利要求1所述的存储器件,其中,所述修复电路基于所述行地址、所述列地址和所述区域地址来检测所述至少一个有缺陷存储单元,以及基于检测结果来将所述第一数据线中的一些或全部移位到所述第二数据线中的一些或全部。
5.根据权利要求1所述的存储器件,其中,所述修复电路包括:
第一检测器,其适用于基于所述行地址、所述列地址和所述区域地址来检测所述有缺陷存储单元并产生第一检测信号;
第二检测器,其适用于基于所述第一检测信号来产生与所述第一数据线之中的有缺陷线相对应的第二检测信号,其中通过所述有缺陷线传输所述有缺陷存储单元的数据;以及
线移位器,其适用于基于所述第二检测信号来将所述第一数据线中相对于所述有缺陷线设置在一侧上的至少一个移位到所述第二数据线中的至少一个。
6.如权利要求5所述的存储器件,
其中,所述第二数据线中的至少一个包括耦接到所述公共冗余存储区域的所述至少一个修复线,以及
其中,耦接到所述公共冗余存储区域的所述至少一个修复线包括作为所述第二数据线之中的靠外侧线的一个修复线。
7.根据权利要求5所述的存储器件,其中,所述第一检测器包括储存器,在所述储存器中储存指示所述至少一个有缺陷存储单元的位置的所述行地址、所述列地址和所述区域地址。
8.根据权利要求5所述的存储器件,其中,所述第二检测器包括储存器,在所述储存器中储存指示所述有缺陷线的位置的线地址。
9.根据权利要求5所述的存储器件,其中,所述线移位器包括:
控制逻辑电路,其适用于基于所述第二检测信号来产生多个移位控制信号;以及
多个移位逻辑电路,每个移位逻辑电路适用于基于所述移位控制信号来选择所述第一数据线和所述第二数据线中的任意一个,并且将选中的数据线耦接到多个第三数据线中的任意一个。
10.根据权利要求9所述的存储器件,其中,所述移位逻辑电路中的每个包括:
第一耦接组件,其适用于基于对应的移位控制信号来将对应的第三数据线耦接到对应的第一数据线;
反相组件,其适用于将所述对应的移位控制信号进行反相,并产生被反相的移位控制信号;以及
第二耦接组件,其适用于基于所述被反相的移位控制信号来将所述对应的第三数据线耦接到对应的第二数据线。
11.根据权利要求1所述的存储器件,其中,所述冗余存储单元包括静态随机存取存储器SRAM或锁存器。
12.一种存储器件,包括:
多个第一全局数据线;
多个第二全局数据线;
多个第三全局数据线;
公共冗余存储区域,其耦接到所述第二全局数据线之中的修复线;
多个正常存储区域,其共同耦接到...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄美显,李钟天,
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司,
类型:发明
国别省市:韩国;KR
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