半导体存储设备和操作半导体存储设备的方法技术

一种半导体存储设备包括存储单元阵列、位线开关、块开关和列译码器。该存储单元阵列包括耦合到至少一个字线的存储块，并且存储块中的每个包括存储单元。位线开关连接在第一存储块的第一半局部输入/输出(I/O)线与第一存储块的第二半局部I/O线之间。块开关连接在第一存储块的第二半局部I/O线和与第一存储块相邻的第二存储块的第一半局部I/O线之间。列译码器包括修复电路，该修复电路通过向位线开关施加第一开关控制信号和向块开关施加第二开关控制信号来控制连接。

【技术实现步骤摘要】
半导体存储设备和操作半导体存储设备的方法对相关申请的交叉引用本申请要求于2019年5月15日向韩国知识产权局提交的第10-2019-0056832号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的公开内容通过引用整体合并于此。
本专利技术构思的示例性实施例涉及存储设备，并且更具体地，涉及半导体存储设备以及操作半导体存储设备的方法。
技术介绍
半导体芯片通过半导体制造工艺来制造，并且然后通过测试设备以晶片、裸片或封装状态来测试。通过测试来标识缺陷芯片的缺陷部分，并且如果某些存储单元有缺陷，则执行修复以节省半导体芯片。当前，诸如动态随机存取存储器(DRAM)的半导体芯片通过精细工艺继续减小尺寸，并且相应地，增加了在制造工艺期间发生错误的可能性。另外，如果通过初始测试工艺未检测到缺陷，则芯片操作期间可能发生错误。
技术实现思路
根据本专利技术构思的示例性实施例，一种半导体存储设备包括存储单元阵列、至少一个位线开关、至少一个块开关和列译码器。该存储单元阵列包括耦合到至少一个字线的多个存储块，并且该多个存储块中的每个包括多个动态本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体存储设备，包括：/n存储单元阵列，包括耦合到至少一个字线的多个存储块，其中，所述多个存储块中的每个包括多个动态存储单元；/n至少一个位线开关，连接在所述多个存储块中的第一存储块的第一半局部输入/输出(I/O)线与所述第一存储块的第二半局部I/O线之间，其中，所述第一存储块的第一半局部I/O线连接到所述第一存储块的多个位线中的第一组位线，并且所述第一存储块的第二半局部I/O线连接到多个位线中的第二组位线；/n至少一个块开关，连接在第一存储块的第二半局部I/O线与多个存储块当中的第二存储块的第一半局部I/O线之间，其中，第一存储块和第二存储块彼此相邻；以及/n列译码器，包括修复电路，...

【技术特征摘要】
20190515 KR 10-2019-00568321.一种半导体存储设备，包括：
存储单元阵列，包括耦合到至少一个字线的多个存储块，其中，所述多个存储块中的每个包括多个动态存储单元；
至少一个位线开关，连接在所述多个存储块中的第一存储块的第一半局部输入/输出(I/O)线与所述第一存储块的第二半局部I/O线之间，其中，所述第一存储块的第一半局部I/O线连接到所述第一存储块的多个位线中的第一组位线，并且所述第一存储块的第二半局部I/O线连接到多个位线中的第二组位线；
至少一个块开关，连接在第一存储块的第二半局部I/O线与多个存储块当中的第二存储块的第一半局部I/O线之间，其中，第一存储块和第二存储块彼此相邻；以及
列译码器，包括修复电路，其中，修复电路被配置为通过向至少一个位线开关施加第一开关控制信号来控制第一存储块的第一半局部I/O线与第一存储块的第二半局部I/O线之间的连接，并且被配置为通过向至少一个块开关施加第二开关控制信号来控制第一存储块的第二半局部I/O线与第二存储块的第一半局部I/O线之间的连接。


2.根据权利要求1所述的半导体存储设备，其中：
所述第一组位线包括至少第一备用位线，所述第一备用位线耦合到所述多个动态存储单元当中的第一备用单元；以及
所述第二组位线包括至少第二备用位线，所述第二备用位线耦合到所述多个动态存储单元当中的第二备用单元。


3.根据权利要求2所述的半导体存储设备，还包括与所述第一存储块相对应的局部读出放大器电路，
其中，所述局部读出放大器电路通过至少一个位线开关连接到所述第一存储块的第一半局部I/O线和所述第一存储块的第二半局部I/O线，以及
其中，所述局部读出放大器电路连接到全局I/O线。


4.根据权利要求2所述的半导体存储设备，其中：
所述第一组位线通过第一位线读出放大器连接到所述第一存储块的第一半局部I/O线；以及
所述第二组位线通过第二位线读出放大器连接到所述第一存储块的第二半局部I/O线。


5.根据权利要求1所述的半导体存储设备，其中，所述修复电路被配置为通过向至少一个块开关施加所述第二开关控制信号来连接所述第一存储块的所述第二半局部I/O线和所述第二存储块的所述第一半局部I/O线。


6.根据权利要求5所述的半导体存储设备，其中，如果所述第一存储块的所述第二半局部I/O线和所述第二存储块的所述第一半局部I/O线彼此连接，则所述第二存储块的至少一个备用位线连接到与所述第一存储块相对应的局部读出放大器电路。


7.根据权利要求1所述的半导体存储设备，其中，所述至少一个位线开关包括：
第一位线开关，连接在所述第一存储块的所述第一半局部I/O线与第一节点之间；以及
第二位线开关，连接在所述第一节点与所述第一存储块的第二半局部I/O线之间。


8.根据权利要求7所述的半导体存储设备，其中，所述修复电路被配置为向所述第一位线开关施加所述第一开关控制信号，并且被配置为向所述第二位线开关施加所述第一开关控制信号的反相版本。


9.一种半导体存储设备，包括：
存储单元阵列，包括耦合到至少一个字线的多个存储块，其中，所述多个存储块中的每个包括多个动态存储单元；
至少一个位线开关，耦合在多个存储块中的第一存储块的第一半局部输入/输出(I/O)线与所述第一存储块的第二半局部I/O线之间，其中，所述第一存储块的第一半局部I/O线连接到所述第一存储块的多个位线中的第一组位线，并且所述第一存储块的第二半局部I/O线连接到所述多个位线中的第二组位线；
至少一个块开关，连接在所述第一存储块的第二半局部I/O线与多个存储块当中的第二存储块的第一半局部I/O线之间，其中，所述第一存储块和所述第二存储块彼此相邻；以及
列译码器，被配置为通过控制至少一个位线开关和至少一个块开关来采用所述第一存储块的至少一个备用位线或与所述第一存储块相邻的存储块的备用位线来修复所述第一存储块的第一位线，
其中，所述第一位线耦合到所述多个动态存储单元中的缺陷单元。


10.根据权利要求9所述的半导体存储设备，其中，所述列译码器包括修复电路，以及
其中，所述修复电路被配置为通过向至少一个位线开关施加第一开关控制信号来控制第一存储块的第一半局部I/O线与第一存储块的第二半局部I/O线之间的连接，并...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳睿信，金泰元，吴伦娜，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR