【技术实现步骤摘要】
一种固体氧化物电解池及其制备方法
本专利技术涉及电解池
,尤其涉及一种固体氧化物电解池及其制备方法。
技术介绍
固体氧化物电解池(SOEC)具有能量利用率高且不使用贵金属催化剂等优点。但是由于传统高温SOEC工作温度约为1000℃,导致其性能衰减严重(1-4%/1000℃)且材料成本升高,极大限制了其商业化发展,目前低温化(<600℃)已成为SOEC发展的主要趋势。但是工作温度降低导致电解质材料离子传导性能下降,导致传统的电解质氧化钇稳定的氧化锆(YSZ)不适用于低温SOEC;而目前常用的中温(600-800℃)电解质材料--掺杂氧化铈--虽然与YSZ相比具有较好的离子传导性能,但是仍难以满足低温(400-600℃)SOFC的性能要求;此外掺杂氧化铈在低氧分压下容易被还原从而产生电子传导特性,导致电解池的能量转换效率降低。因此开发新型的低温电解质材料是提高低温SOEC性能、促进其发展的有效途径。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种固体氧化物电解池及其制备方法,所述固体氧化物电解池能有效 ...
【技术保护点】
1.一种固体氧化物电解池,包括阳极层、阴极层和电解质层,其特征在于,所述阳极层包括泡沫镍和涂覆在所述泡沫镍上的Ni
【技术特征摘要】
1.一种固体氧化物电解池,包括阳极层、阴极层和电解质层,其特征在于,所述阳极层包括泡沫镍和涂覆在所述泡沫镍上的Ni0.8Co0.15Al0.05LiO2-y层;
所述阴极层包括泡沫镍和涂覆在所述泡沫镍上的Ni0.8Co0.15Al0.05LiO2-y层;
所述电解质层包括层叠设置的n型TiO2层和p型La0.6Sr0.4Co0.2Fe0.8O3-δ层;
所述阳极层中的Ni0.8Co0.15Al0.05LiO2-y层与所述n型TiO2层接触;
所述阴极层中的Ni0.8Co0.15Al0.05LiO2-y层与所述p型La0.6Sr0.4Co0.2Fe0.8O3-δ层接触;
其中,y的取值范围为0<y<2,δ的取值范围为0<δ<3。
2.如权利要求1所述的固体氧化物电解池,其特征在于,所述n型TiO2层的厚度与所述电解池的厚度比为1:(5~15)。
3.如权利要求1所述的固体氧化物电解池,其特征在于,所述p型La0.6Sr0.4Co0.2Fe0.8O3-δ层的厚度与所述电解池的厚度比为1:(2~10)。
4.如权利要求1所述的固体氧化物电解池,其特征在于,所述阳极层中Ni0.8Co0.15Al0.05LiO2-y层的厚度与所述电解池的厚度比为1:(2~5);
所述阴极层中Ni0.8Co0.15Al0.05LiO2-y层的厚度与所述电解池的厚度比为1:(2~10)。
5.权利要求1~4任一项所述的固体氧化物电解池的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
将Ni0.8Co0.15Al0.05LiO2...
【专利技术属性】
技术研发人员:王浚英,刘重庆,陈颖,汪宝元,董文静,夏晨,
申请(专利权)人:湖北大学,
类型:发明
国别省市:湖北;42
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