高Bs纳米晶带材、高Bs纳米晶屏蔽片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高Bs纳米晶带材、高Bs纳米晶屏蔽片及其制备方法，高Bs纳米晶带材的制备方法包括：取纳米晶带材，所述纳米晶带材的典型成分包括Fe

【技术实现步骤摘要】
高Bs纳米晶带材、高Bs纳米晶屏蔽片及其制备方法
本专利技术涉及磁性材料
，尤其涉及一种高Bs纳米晶带材、高Bs纳米晶屏蔽片及其制备方法。
技术介绍
随着无线充电技术的普及，无线充电功率小的缺点也在慢慢显露出来，现阶段无线充电模组中主要由屏蔽片、充电线圈两大部分组成。限制无线充电功率提升的原因，很大一部分在于屏蔽片的抗直流偏置能力，而屏蔽片的抗直流偏置能力与材料的饱和磁感应强度Bs息息相关，提高材料的Bs就相当于提升材料的抗直流偏置能力，进而提升无线充电的功率。高Bs带材由于元素占比与普通带材不同，需要复杂的热处理工艺才能将带材的Bs值提升至较高水平，若采用常规的热处理工艺，不仅得不到较高的Bs值，而且带材损耗很高，因此需要一种热处理方法来提升带材的Bs值，为电子产品的大功率充电提供基础。常规热处理工艺，如申请号为CN201510990249.6和CN201710605582.X的中国专利文件中公开的热处理工艺，在加热阶段通常采用低升温速率对材料进行加热，这种热处理需要加恒磁场，才能使材料的应力减小及损耗降低，需要较大的能本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高Bs纳米晶带材的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n(1)取纳米晶带材，所述纳米晶带材的典型成分包括Fe

【技术特征摘要】
1.一种高Bs纳米晶带材的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)取纳米晶带材，所述纳米晶带材的典型成分包括FexSiyNbzBwCuv和其他微量元素，x＝81-88％、y＝6.0-8.0％、z＝3.0-5％、w＝1.0-2％、v＝1.0-2.0％，所述其它微量元素的含量为1.5-2％；
(2)在惰性气体保护的条件下或真空条件下，对所述纳米晶带材进行第一次热处理，所述第一次热处理具体为：按照升温速率为5-15℃/min，将所述纳米晶带材从200℃升温至第一目标温度T1，并保温15-30min，所述第一目标温度T1为385-415℃；
(3)在惰性气体保护的条件下或真空条件下，对第一次热处理后的纳米晶带材进行第二次热处理，所述第二次热处理具体为：按照升温速率为2-8℃/min，将第一次热处理后的纳米晶带材升温至第二目标温度T2，并保温15-30min，所述第二目标温度T2为445-485℃；
(4)在惰性气体保护条件下或真空条件下，对第二次热处理后的纳米晶带材进行保温处理，所述保温处理具体为：按照升温速率为2-8℃/min，将第二次热处理后的纳米晶带材升温至第三目标温度T3，并保温120-180min，所述第三目标温度T3为510-540℃；
(5)在惰性气体保护条件下或真空条件下，对保温处理后的纳米晶带材进行降温处理，所述降温处理具体为：按照降温速率为20-30℃/min，将保温处理后的纳米晶带材降温至第四目标温度T4以下；
(6)将降温处理后的纳米晶带材冷却至室温，获得高Bs纳米晶带材。


2.根据权利要求1所述的高Bs纳米晶带材的制备方法，其特征在于，所述第一次热处理中保温的具体条件为：在第一目标温度T1条件下保温15-30min。

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡鹏，周苗苗，王磊，姜桂君，
申请(专利权)人：信维通信江苏有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32