C/SiC复合材料快速制备方法技术

本发明专利技术公开了一种C/SiC复合材料快速制备方法，将针刺编制体CVD镀层处理得到预处理坯料；配制得到第一前驱体，将预处理坯料用第一前驱体浸渍、保温、裂解，重复若干次得到C/SiC坯料；选用含乙烯基全氢聚碳硅烷作为第二前驱体，将C/SiC坯料浸渍、保温裂解，重复若干次得到C/SiC复合材料。通过控制不同性能前驱体的使用，进而实现复合材料高性能、快速制备的过程。第一前驱体保证复合材料适中的界面结合，保证复合材料的最终力学性能；含乙烯基全氢聚碳硅烷陶瓷转化率高，保证复合材料快速致密目的；采用本发明专利技术制备方法所制备的C/SiC复合材料制备周期可缩短三分之一，弯曲强度仍可保持在原有的90％左右。

【技术实现步骤摘要】
C/SiC复合材料快速制备方法
本专利技术属于C/SiC复合材料制备
，具体涉及一种C/SiC复合材料快速制备方法。
技术介绍
C/SiC复合材料性能优异，耐热、耐磨、高强度，多用于航天、航空等军工领域，是不可代替的高精尖材料，尤其是高温下强度不降反升的性能，是目前其他材料无法企及的。先驱体转化法(PIP)是以聚碳硅烷溶解后，在真空作用下，浸渍到纤维缝隙内，经固化后，再经过高温裂解转化为SiC基体。PIP制备工艺受限于陶瓷转化率太低，导致反复浸渍-固化-裂解，成本较高。
技术实现思路
本专利技术的目的就是针对现有技术的缺陷，提供一种成本低的C/SiC复合材料快速制备方法。为实现上述目的，本专利技术所设计的C/SiC复合材料快速制备方法，其特征在于：包括如下步骤：1)将针刺编制体CVD(化学气相沉积)镀层处理得到预处理坯料；2)取二甲苯和聚碳硅烷置于烧杯中升温至完全溶解，配制得到第一前驱体；3)将预处理坯料用第一前驱体浸渍，将浸渍之后的预处理坯料在120～150℃下保温2～5h；最本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种C/SiC复合材料快速制备方法，其特征在于：包括如下步骤：/n1)将针刺编制体CVD镀层处理得到预处理坯料；/n2)取二甲苯和聚碳硅烷置于烧杯中升温至完全溶解，配制得到第一前驱体；/n3)将预处理坯料用第一前驱体浸渍，将浸渍之后的预处理坯料在120～150℃下保温2～5h；最后，将保温后的预处理坯料放入裂解炉中在真空状态下裂解；/n4)重复步骤3)若干次，得到C/SiC坯料；/n5)选用含乙烯基全氢聚碳硅烷作为第二前驱体；将C/SiC坯料用第二前驱体浸渍，将浸渍之后的C/SiC坯料在120～150℃保温2～3h；最后，将C/SiC坯料放入裂解炉中在真空状态下裂解；/n6)重复步骤5)若...

【技术特征摘要】
1.一种C/SiC复合材料快速制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
1)将针刺编制体CVD镀层处理得到预处理坯料；
2)取二甲苯和聚碳硅烷置于烧杯中升温至完全溶解，配制得到第一前驱体；
3)将预处理坯料用第一前驱体浸渍，将浸渍之后的预处理坯料在120～150℃下保温2～5h；最后，将保温后的预处理坯料放入裂解炉中在真空状态下裂解；
4)重复步骤3)若干次，得到C/SiC坯料；
5)选用含乙烯基全氢聚碳硅烷作为第二前驱体；将C/SiC坯料用第二前驱体浸渍，将浸渍之后的C/SiC坯料在120～150℃保温2～3h；最后，将C/SiC坯料放入裂解炉中在真空状态下裂解；
6)重复步骤5)若干次，得到C/SiC复合材料。


2.根据权利要求1所述C/SiC复合材料快速制备方法，其特征在于：所述步骤1)中，镀层处理5～10小时。


3.根据权利要求1所述C/SiC复合...

【专利技术属性】
技术研发人员：高银东，陈海昆，佘平江，李艳阳，
申请(专利权)人：湖北三江航天江北机械工程有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42