低反射率薄膜及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种低反射率薄膜及其制造方法。低反射率薄膜包含至少一种硅氧烷类树脂与多个二氧化硅微粒。硅氧烷类树脂具有至少二个烷氧基。二氧化硅微粒由硅氧烷类树脂固定，且突出于硅氧烷类树脂表面。低反射率薄膜的制造方法步骤包含：准备第一溶液，是将催化剂及硅氧烷类树脂的前驱物的混合溶液进行溶胶－凝胶反应后，加入第一溶剂而成；准备第二溶液，是将第一溶液与多个二氧化硅微粒混合而成；将第二溶液涂布于表面；以及进行干燥程序，以形成低反射率薄膜。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种低反射率薄膜；具体而言，本专利技术涉及一种低 反射率薄膜，供降低光学元件或显示装置的显示器中的屏幕的光反射率之用。
技术介绍
光反射率是影响光学元件或显示装置的显示器中的屏幕显示 效果的重要因素之一。较低的光反射率可提高显示效果。因此，光 学元件或显示装置的显示器多会使用抗反射薄膜以降低光反射率。同介质具有不同折射率，导致有部分光会乂人不同介质界面射回原介 质中。已知的降低光反射率薄膜包含氟化物薄膜。其原理在于氟化物 薄膜的折射率比基材低，且所反射的光线的相位差达到180° ,两界面的反射光线因而形成破坏性干涉而达到降低光反射的目的。氟 化物薄膜包含利用蒸镀法形成，然而，此法在制作大面积的基板时， 较难利用蒸镀法形成均匀的氟化物薄膜。中国台湾专利案号91136165 4皮露了具有纳米结构的4氐反射率 薄膜。其原理是利用在薄膜表面做出雕紋等结构变化，进而使折射 率产生变化。然而，此法在制程上4交为繁瑣且成本專交高。另外，在美国专利US6472012中所披露的另一低光反射率薄膜制造方法，制 程中需要经过420。C的高温处理，并不适于应用在如偏光々反等不耐 高温的基一反上。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种低反射率薄膜，具有较低的光 反射率。本专利技术的另 一主要目的在于提供一种低反射率薄膜制造方法， 供减少薄膜的光反射率。本专利技术的低反射率薄膜包含至少一种硅氧烷类树脂与多个二 氧化硅孩i粒。石圭氧烷类树脂具有至少二个烷氧基。二氧化石圭孩t粒由 硅氧烷类树脂固定，且突出于硅氧烷类树脂表面。其中，二氧化硅 微粒的粒径为5-150nm。低反射率薄膜中的硅氧烷类树脂与二氧化 硅微粒以重量为基准的比例为4-71: 96-29。低反射率薄膜的制造方法步骤包含准备第一溶液；准备第二 溶液；将第二溶液涂布于表面；以及进行干燥程序，以形成低反射 率薄膜。第一溶液的准备，是将催化剂及硅氧烷类树脂的前驱物的 混合溶液进行溶胶-凝胶反应后，加入第一溶剂而成。第二溶液的准 备，是将第一溶液与多个二氧化硅孩吏粒混合而成。其中，第一溶液 与二氧化硅微粒的混合步骤，进一步包含混合第一溶液与二氧化硅 樣吏粒的溶液。制造方法步骤中进一步包含在二氧化义圭孩t粒的溶液中 加入第一〉容剂。本专利技术提供了一种低反射率薄膜，包含至少一硅氧烷类树脂与 多个二氧化硅孩i粒，其中所述硅氧烷类树脂具有至少二个烷氧基， 所述二氧化硅微粒由所述硅氧烷类树脂固定，且突出于所述硅氧烷 类树脂表面。其中所述硅氧烷类树脂是从甲基三甲氧硅烷、曱基三乙氧硅 烷、乙基三曱氧娃烷、乙基三乙氧硅烷、正丙基三曱氧硅烷、正丙 基三乙氧硅烷、异丙基三甲氧硅烷、异丙基三乙氧硅烷、乙烯基三曱氧硅烷、乙烯基三乙氧硅烷、3-乙二醇氧基丙基三曱氧硅烷、3-乙二醇氧基丙基三乙氧硅烷、3-硫醇基丙基三甲氧硅烷、3-硫醇基 丙基三乙氧硅烷、苯基三甲氧硅烷、苯基三乙氧硅烷、3,4-环氧基 环己基乙基三甲氧硅烷、3,4-环氧基环己基乙基三乙氧硅烷、二曱 基二甲氧硅烷、二甲基二乙氧硅烷、三氟丙基三曱氧硅烷、三氟丙 基三乙氧硅烷、三癸氟辛基三甲氧硅烷、三癸氟辛基三乙氧硅烷、 庚癸氟癸基三曱氧硅烷、庚癸氟癸基三乙氧硅烷或其混合物中选 择。其中所述二氧化石圭孩t粒具有透光性。其中所述二氧化石圭樣t粒的 粒径为5-150nm。其中所述硅氧烷类树脂与所述二氧化硅孩支粒以重量为基准的 比例为4-71: 96-29。本专利技术还纟是供了 一种低反射率薄膜的制造方法，包含以下步 骤准备第一溶液，是将催化剂及至少一硅氧烷类树脂的前驱物的 混合溶液进行溶胶-凝胶反应后，加入第一溶剂而成；准备第二溶液， 是将所述第一溶液与多个二氧化石圭孩i粒混合而成；将所述第二溶液 涂布于表面；以及进行干燥程序，以形成所述低反射率薄膜；其中， 所形成的所述低反射率薄膜中的所述硅氧烷类树脂具有至少二个 烷氧基，所述二氧化硅微粒是由薄膜中的所述硅氧烷类树脂固定， 且突出于所述石圭氧烷类树脂表面。其中所述第 一溶液与所述二氧化硅孩史粒的混合步骤，进一步包 含混合所述第一溶液与所述二氧化硅微粒的溶液。所述制造方法进一步包含在所述二氧化硅微粒的溶液中加入 所述第一溶剂。其中所述硅氧烷类树脂是从甲基三甲氧硅烷、甲基三乙氧硅 烷、乙基三曱氧硅烷、乙基三乙氧硅烷、正丙基三曱氧硅烷、正丙 基三乙氧硅烷、异丙基三甲氧硅烷、异丙基三乙氧硅烷、乙烯基三甲氧硅烷、乙烯基三乙氧硅烷、3-乙二醇氧基丙基三甲氧硅烷、3-乙二醇氧基丙基三乙氧硅烷、3-硫醇基丙基三甲氧硅烷、3-硫醇基 丙基三乙氧珪烷、苯基三曱氧硅烷、苯基三乙氧硅烷、3,4-环氧基 环己基乙基三甲氧硅烷、3,4-环氧基环己基乙基三乙氧硅烷、二曱 基二曱氧硅烷、二曱基二乙氧硅烷、三氟丙基三曱氧硅烷、三氟丙 基三乙氧硅烷、三癸氟辛基三甲氧硅烷、三癸氟辛基三乙氧硅烷、 庚癸氟癸基三曱氧硅烷、庚癸氟癸基三乙氧硅烷或其混合物中选 择。其中所述催化剂包含酸性或石咸性物质。其中所述第一溶剂是从异丙醇、正丁醇、异丁醇、权丁醇、曱 基乙基酮、甲基异丁酮、乙二醇单曱基醚、乙二醇单乙基醚、二亚 乙基乙二醇单曱基醚、二亚乙基乙二醇单乙基醚、亚丙基乙二醇单 甲基醚或其混合物中选择。其中所述二氧化石圭《鼓粒具有透光性。其中所述二氧化硅微粒的粒径为5-150nm。其中低反射率薄膜中的所述硅氧烷类树脂与所述二氧化硅微 并立以重量为基准的比例为4-71: 96-29。本专利技术还提供了一种透光光学板材，包含低反射率薄膜，其中 所述低反射率薄膜包含硅氧烷类树脂与多个二氧化硅微粒，其中所 述硅氧烷类树脂具有至少二个烷氧基，所述二氧化硅微粒由所述硅 氧烷类树脂固定，且突出于所述石圭氧烷类树脂表面。其中所述硅氧烷类树脂是从曱基三曱氧硅烷、曱基三乙氧硅 烷、乙基三曱氧硅烷、乙基三乙氧硅烷、正丙基三曱氧硅烷、正丙 基三乙氧硅烷、异丙基三曱氧硅烷、异丙基三乙氧硅烷、乙烯基三曱氧硅烷、乙烯基三乙氧硅烷、3-乙二醇氧基丙基三曱氧硅烷、3-乙二醇氧基丙基三乙氧硅烷、3-硫醇基丙基三甲氧硅烷、3-硫醇基 丙基三乙氧硅烷、苯基三曱氧硅烷、苯基三乙氧硅烷、3，4-环氧基 环己基乙基三甲氧硅烷、3，4-环氧基环己基乙基三乙氧硅烷、二曱 基二甲氧硅烷、二甲基二乙氧硅烷、三氟丙基三曱氧硅烷、三氟丙 基三乙氧硅烷、三癸氟辛基三曱氧硅烷、三癸氟辛基三乙氧硅烷、 庚癸氟癸基三甲氧硅烷、庚癸氟癸基三乙氧硅烷或其混合物中选 择。其中所述二氧化石圭孩吏粒具有透光性。其中所述二氧化石圭樣i粒的 粒径为5-150nm。其中所述低反射率薄膜中的所述硅氧烷类树脂与所述二氧化 硅樣i粒以重量为基准的比例为4-71: 96-29。附图说明图1为本专利技术的低反射率薄膜的优选实施例示意图； 图2为本专利技术的低反射率薄膜的优选实施例流程具体实施例方式本专利技术提供了 一种低反射率薄膜，以及制造此低反射率薄膜的 方法。如图1所示的优选实施例，本专利技术的低反射率薄膜100包含至 少一种硅氧烷类树脂300与多个二氧化石圭4效粒500。 二氧化石圭孩么粒 500由硅氧烷类树脂300固定，且突出于该硅氧烷类树脂表面。在 此优选实施例中，低反射率薄膜100涂布于硬涂层210上，且硬涂 层210涂布于以三醋酸纤本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低反射率薄膜，包含至少一硅氧烷类树脂与多个二氧化硅微粒，其中所述硅氧烷类树脂具有至少二个烷氧基，所述二氧化硅微粒由所述硅氧烷类树脂固定，且突出于所述硅氧烷类树脂表面。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：翁畅健，陈庆松，
申请(专利权)人：达信科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]