一种单口控制的H桥电机驱动电路及电器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种单口控制的H桥电机驱动电路及电器。H桥电机驱动电路由第一开关管NMOS1、第二开关管NMOS2、第三开关管NMOS3和第四开关管NMOS4组成，第一半桥驱动芯片IC1分别控制第一开关管NMOS1和第三开关管NMOS3的通断，第二半桥驱动芯片IC2分别控制第二开关管NMOS2和第四开关管NMOS4的通断；同一个PWM输出端口分别连接第一半桥驱动芯片IC1和第二半桥驱动芯片IC2，且PWM输出端口通过反相器IC3连接第二半桥驱动芯片IC2。本实用新型专利技术仅需一个I/O口即可实现对电机正反转的控制，节省主控器资源；同时有效地防止H桥电机驱动电路的上下MOS管同时直通而产生的大电流损坏MOS管，提高产品的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种单口控制的H桥电机驱动电路及电器
本技术涉及电机驱动领域，更具体地说，涉及一种单口控制的H桥电机驱动电路及电器。
技术介绍
现在技术中常使用H桥电路去驱动电机的正转和反转，这种H桥电路都是用主控器的两个I/O口去控制四个MOS管的开通和关断，从而达到控制电机的正转和反转的目的。而使用此种电路会有两个不利之处：一是主控器的资源占用多，二是主控需要两个I/O口去控制MOS管的开关和关断，会存在H桥电路的上下两个MOS管直通的现象，导致MOS管损坏。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题在于，针对现有技术的上述缺陷，提供一种单口控制的H桥电机驱动电路及电器。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：构造一种单口控制的H桥电机驱动电路，包括第一半桥驱动芯片IC1、第二半桥驱动芯片IC2、第一开关管NMOS1、第二开关管NMOS2、第三开关管NMOS3、第四开关管NMOS4、反相器IC3；所述第一半桥驱动芯片IC1的输入引脚IN连接PWM输出端口，所述第一半桥驱动芯片IC1的供电引脚VDD连接第一供电电源，所述第一半桥驱动芯片IC1的接地引脚GND接地；所述第一半桥驱动芯片IC1的高电平输出引脚HO连接所述第一开关管NMOS1的栅极，所述第一半桥驱动芯片IC1的低电平输出引脚LO连接所述第三开关管NMOS3的栅极；所述第一开关管NMOS1的漏极连接第二供电电源，所述第一开关管NMOS1的源极连接电机的第一输入端；所述第三开关管NMOS3的漏极连接所述电机的第一输入端，所述第三开关管NMOS3的源极接地；所述PWM输出端口连接所述反相器IC3的输入端，所述反相器IC3的输出端连接所述第二半桥驱动芯片IC2的输入引脚IN，所述反相器IC3的供电端连接第三供电电源，所述反相器IC3的接地端接地；所述第二半桥驱动芯片IC2的供电引脚VDD连接所述第一供电电源，所述第二半桥驱动芯片IC2的接地引脚GND接地；所述第二半桥驱动芯片IC2的高电平输出引脚HO连接所述第二开关管NMOS2的栅极，所述第二半桥驱动芯片IC2的低电平输出引脚LO连接所述第四开关管NMOS4的栅极；所述第二开关管NMOS2的漏极连接所述第二供电电源，所述第二开关管NMOS2的源极连接电机的第二输入端；所述第四开关管NMOS4的漏极连接所述电机的第二输入端，所述第四开关管NMOS4的源极接地；若所述PWM输出端口输出高电平，所述第一半桥驱动芯片IC1的高电平输出引脚HO输出高电平，所述第一开关管NMOS1导通；所述第一半桥驱动芯片IC1的低电平输出引脚LO输出低电平，所述第三开关管NMOS3关断；所述PWM输出端口输出高电平经所述反相器IC3反向后输出低电平，所述第二半桥驱动芯片IC2的高电平输出引脚HO输出低电平，所述第二开关管NMOS2关断，所述第二半桥驱动芯片IC2的低电平输出引脚LO输出高电平，所述第四开关管NMOS4导通，所述电机按照第一预设方向转动；若所述PWM输出端口输出低电平，所述第一半桥驱动芯片IC1的高电平输出引脚HO输出低电平，所述第一开关管NMOS1关断；所述第一半桥驱动芯片IC1的低电平输出引脚LO输出高电平，所述第三开关管NMOS3导通；所述PWM输出端口输出低电平经所述反相器IC3反向后输出高电平，所述第二半桥驱动芯片IC2的高电平输出引脚HO输出高电平，所述第二开关管NMOS2导通，所述第二半桥驱动芯片IC2的低电平输出引脚LO输出低电平，所述第四开关管NMOS4关断，所述电机按照第二预设方向转动；所述第一预设方向和所述第二预设方向为相反转动方向。进一步，在本技术所述的单口控制的H桥电机驱动电路中，若所述PWM输出端口输出高电平，可通过调节PWM信号的占空比来调节所述电机的转速。进一步，在本技术所述的单口控制的H桥电机驱动电路中，若所述PWM输出端口输出低电平，可通过调节PWM信号的占空比来调节所述电机的转速。进一步，本技术所述的单口控制的H桥电机驱动电路还包括电阻R1，所述第三开关管NMOS3的源极连接所述电阻R1的第一端，所述第四开关管NMOS4的源极连接所述电阻R1的第一端，所述电阻R1的第二端接地。进一步，本技术所述的单口控制的H桥电机驱动电路还包括运算放大器，所述运算放大器的输入端连接所述电阻R1的第一端，所述运算放大器的输出端输出放大后的采样电流。进一步，在本技术所述的单口控制的H桥电机驱动电路中，所述第一供电电源为12V直流电源，所述第二供电电源为12V直流电源，所述第三供电电源为3.3V直流电源。另外，本技术还提供一种电器，该电器包括电机，所述电器还包括如上述的单口控制的H桥电机驱动电路。实施本技术的一种单口控制的H桥电机驱动电路及电器，具有以下有益效果：本技术仅需一个I/O口即可实现对电机正反转的控制，节省主控器资源；同时有效地防止H桥电机驱动电路的上下MOS管同时直通而产生的大电流损坏MOS管，提高产品的可靠性。附图说明下面将结合附图及实施例对本技术作进一步说明，附图中：图1是实施例提供的一种单口控制的H桥电机驱动电路的电路图；图2是实施例提供的一种单口控制的H桥电机驱动电路的电路图。具体实施方式为了对本技术的技术特征、目的和效果有更加清楚的理解，现对照附图详细说明本技术的具体实施方式。实施例1参考图1，本实施例的单口控制的H桥电机驱动电路包括第一半桥驱动芯片IC1、第二半桥驱动芯片IC2、第一开关管NMOS1、第二开关管NMOS2、第三开关管NMOS3、第四开关管NMOS4、反相器IC3，其中由第一开关管NMOS1、第二开关管NMOS2、第三开关管NMOS3和第四开关管NMOS4组成H桥电机驱动电路，且第一开关管NMOS1、第二开关管NMOS2、第三开关管NMOS3和第四开关管NMOS4为N型MOS管。第一半桥驱动芯片IC1的输入引脚IN连接PWM输出端口，PWM输出端口为主控器上的一个I/O口，主控器通过PWM输出端口输出PWM信号。第一半桥驱动芯片IC1的供电引脚VDD连接第一供电电源，第一半桥驱动芯片IC1的接地引脚GND接地；第一半桥驱动芯片IC1的高电平输出引脚HO连接第一开关管NMOS1的栅极，第一半桥驱动芯片IC1的低电平输出引脚LO连接第三开关管NMOS3的栅极；第一开关管NMOS1的漏极连接第二供电电源，第一开关管NMOS1的源极连接电机的第一输入端；第三开关管NMOS3的漏极连接电机的第一输入端，第三开关管NMOS3的源极接地。PWM输出端口连接反相器IC3的输入端，反相器IC3的输出端连接第二半桥驱动芯片IC2的输入引脚IN，反相器IC3的供电端连接第三供电电源，反相器IC3的接地端接地；反相器IC3可参考现有技术。第二半桥驱动芯片IC2的供电引脚VDD连接第一供电电源，第二半桥驱动芯片IC2的接地引脚GND接地；第二半桥驱动芯片IC2的高电平输出本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种单口控制的H桥电机驱动电路，其特征在于，包括第一半桥驱动芯片IC1、第二半桥驱动芯片IC2、第一开关管NMOS1、第二开关管NMOS2、第三开关管NMOS3、第四开关管NMOS4、反相器IC3；/n所述第一半桥驱动芯片IC1的输入引脚IN连接PWM输出端口，所述第一半桥驱动芯片IC1的供电引脚VDD连接第一供电电源，所述第一半桥驱动芯片IC1的接地引脚GND接地；所述第一半桥驱动芯片IC1的高电平输出引脚HO连接所述第一开关管NMOS1的栅极，所述第一半桥驱动芯片IC1的低电平输出引脚LO连接所述第三开关管NMOS3的栅极；所述第一开关管NMOS1的漏极连接第二供电电源，所述第一开关管NMOS1的源极连接电机的第一输入端；所述第三开关管NMOS3的漏极连接所述电机的第一输入端，所述第三开关管NMOS3的源极接地；/n所述PWM输出端口连接所述反相器IC3的输入端，所述反相器IC3的输出端连接所述第二半桥驱动芯片IC2的输入引脚IN，所述反相器IC3的供电端连接第三供电电源，所述反相器IC3的接地端接地；所述第二半桥驱动芯片IC2的供电引脚VDD连接所述第一供电电源，所述第二半桥驱动芯片IC2的接地引脚GND接地；所述第二半桥驱动芯片IC2的高电平输出引脚HO连接所述第二开关管NMOS2的栅极，所述第二半桥驱动芯片IC2的低电平输出引脚LO连接所述第四开关管NMOS4的栅极；所述第二开关管NMOS2的漏极连接所述第二供电电源，所述第二开关管NMOS2的源极连接电机的第二输入端；所述第四开关管NMOS4的漏极连接所述电机的第二输入端，所述第四开关管NMOS4的源极接地；/n若所述PWM输出端口输出高电平，所述第一半桥驱动芯片IC1的高电平输出引脚HO输出高电平，所述第一开关管NMOS1导通；所述第一半桥驱动芯片IC1的低电平输出引脚LO输出低电平，所述第三开关管NMOS3关断；所述PWM输出端口输出高电平经所述反相器IC3反向后输出低电平，所述第二半桥驱动芯片IC2的高电平输出引脚HO输出低电平，所述第二开关管NMOS2关断，所述第二半桥驱动芯片IC2的低电平输出引脚LO输出高电平，所述第四开关管NMOS4导通，所述电机按照第一预设方向转动；/n若所述PWM输出端口输出低电平，所述第一半桥驱动芯片IC1的高电平输出引脚HO输出低电平，所述第一开关管NMOS1关断；所述第一半桥驱动芯片IC1的低电平输出引脚LO输出高电平，所述第三开关管NMOS3导通；所述PWM输出端口输出低电平经所述反相器IC3反向后输出高电平，所述第二半桥驱动芯片IC2的高电平输出引脚HO输出高电平，所述第二开关管NMOS2导通，所述第二半桥驱动芯片IC2的低电平输出引脚LO输出低电平，所述第四开关管NMOS4关断，所述电机按照第二预设方向转动；所述第一预设方向和所述第二预设方向为相反转动方向。/n...

【技术特征摘要】
1.一种单口控制的H桥电机驱动电路，其特征在于，包括第一半桥驱动芯片IC1、第二半桥驱动芯片IC2、第一开关管NMOS1、第二开关管NMOS2、第三开关管NMOS3、第四开关管NMOS4、反相器IC3；
所述第一半桥驱动芯片IC1的输入引脚IN连接PWM输出端口，所述第一半桥驱动芯片IC1的供电引脚VDD连接第一供电电源，所述第一半桥驱动芯片IC1的接地引脚GND接地；所述第一半桥驱动芯片IC1的高电平输出引脚HO连接所述第一开关管NMOS1的栅极，所述第一半桥驱动芯片IC1的低电平输出引脚LO连接所述第三开关管NMOS3的栅极；所述第一开关管NMOS1的漏极连接第二供电电源，所述第一开关管NMOS1的源极连接电机的第一输入端；所述第三开关管NMOS3的漏极连接所述电机的第一输入端，所述第三开关管NMOS3的源极接地；
所述PWM输出端口连接所述反相器IC3的输入端，所述反相器IC3的输出端连接所述第二半桥驱动芯片IC2的输入引脚IN，所述反相器IC3的供电端连接第三供电电源，所述反相器IC3的接地端接地；所述第二半桥驱动芯片IC2的供电引脚VDD连接所述第一供电电源，所述第二半桥驱动芯片IC2的接地引脚GND接地；所述第二半桥驱动芯片IC2的高电平输出引脚HO连接所述第二开关管NMOS2的栅极，所述第二半桥驱动芯片IC2的低电平输出引脚LO连接所述第四开关管NMOS4的栅极；所述第二开关管NMOS2的漏极连接所述第二供电电源，所述第二开关管NMOS2的源极连接电机的第二输入端；所述第四开关管NMOS4的漏极连接所述电机的第二输入端，所述第四开关管NMOS4的源极接地；
若所述PWM输出端口输出高电平，所述第一半桥驱动芯片IC1的高电平输出引脚HO输出高电平，所述第一开关管NMOS1导通；所述第一半桥驱动芯片IC1的低电平输出引脚LO输出低电平，所述第三开关管NMOS3关断；所述PWM输出端口输出高电平经所述反相器IC3反向后输出低电平，所述第二半桥驱动芯片IC2的高电平输出引脚HO输出低电平，所述第二开关管NMOS...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢海军，
申请(专利权)人：世强先进深圳科技股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44