一种二维WS2/MoTe2垂直异质结的制备及测试方法技术

本发明专利技术公开了一种二维WS2/MoTe2垂直异质结的制备方法；本发明专利技术所使用的制备方法对样品的损伤小，方法简单；对制备的二维WS2/MoTe2垂直异质结器件进行了研究测试，得到了相关异质结的电学性能图，拓展了对二维过渡金属硫属化合物异质结的研究。

【技术实现步骤摘要】
一种二维WS2/MoTe2垂直异质结的制备及测试方法
本专利技术涉及无机纳米材料及微电子
，具体涉及两种二维材料组合而成的垂直异质结器件的制备。
技术介绍
经过近年来的开发研究，石墨烯、六方氮化硼(hBN)和过渡金属双卤代烃(TMDs)等新型二维原子薄材料为构建亚微电子技术提供了一个可持续的平台。由于二维材料其独特的晶体结构和能带特征，有希望成为下一代纳米电子器件或光电器件的潜力，吸引了众多科研人员的广泛关注。过渡金属硫属化合物(TMDs)由vanderWaals力结合的原子层所组成，由于它的层与层之间没有共价键存在，使过渡金属硫属化合物具有非常优异的电子传输性能和光电响应性能，且可以通过机械剥离的方法促进了具有几个原子厚层的器件的生产。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足，本专利技术在于提供一种二维WS2/MoTe2垂直异质结的制备及测试方法，具有对样品的损伤小，方法简单的有益效果。为实现上述目的，本专利技术提供了如下技术方案：一种二维WS2/MoTe2垂直异质结的制备及测试方法，其特征在于：包括如下步骤：本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种二维WS2/MoTe2垂直异质结的制备及测试方法，其特征在于：包括如下步骤：/n1.用WO3粉末在1000℃的条件下硫化，沉积在硅片上，以CVD方法生长出WS2三角形纳米片；/n2.用机械剥离的方法，将块状MoTe2层状晶体放于胶带上，用胶带反复撕开，后用PDMS膜贴在可能有薄层MoTe2的胶带位置上，利用转移平台，将PDMS上的MoTe2薄片对准硅片上生长出的WS2三角片，并贴上；制备成WS2/MoTe2垂直异质结；/n3.在光学显微镜下确定异质结的位置，并通过旋涂PMMA并加热固化得到PMMA涂层；/n4.利用PMMA对电子的敏感性，在扫描电镜中使用电子束光刻的方法精准刻出电极位置...

【技术特征摘要】
1.一种二维WS2/MoTe2垂直异质结的制备及测试方法，其特征在于：包括如下步骤：
1.用WO3粉末在1000℃的条件下硫化，沉积在硅片上，以CVD方法生长出WS2三角形纳米片；
2.用机械剥离的方法，将块状MoTe2层状晶体放于胶带上，用胶带反复撕开，后用PDMS膜贴在可能有薄层MoTe2的胶带位置上，利用转移平台，将PDMS上的MoTe2薄片对准硅片上生长出的WS2三角片，并贴上；制备成WS2/MoTe2垂直异质结；
3.在光学显微镜下确...

【专利技术属性】
技术研发人员：张礼杰，罗婷燕，邹超，杨云，
申请(专利权)人：温州大学新材料与产业技术研究院，
类型：发明
国别省市：浙江;33