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本发明公开了一种二维WS2/MoTe2垂直异质结的制备方法；本发明所使用的制备方法对样品的损伤小，方法简单；对制备的二维WS2/MoTe2垂直异质结器件进行了研究测试，得到了相关异质结的电学性能图，拓展了对二维过渡金属硫属化合物异质结的研究...
该专利属于温州大学新材料与产业技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过温州大学新材料与产业技术研究院授权不得商用。

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