一种二阶曲率温度补偿带隙基准电路制造技术

技术编号:26596163 阅读:44 留言:0更新日期:2020-12-04 21:17
本发明专利技术涉及基准电压技术领域,特别地涉及一种二阶曲率温度补偿带隙基准电路。本发明专利技术公开了一种二阶曲率温度补偿带隙基准电路,其特征在于:包括一阶带隙基准电路和二阶曲率温度补偿电路,二阶曲率温度补偿电路输入一阶带隙基准电路的基准输出电压va,相应地产生一个呈正温度系数特性的电压vR2,基准输出电压va与电压vR2叠加后作为该二阶曲率温度补偿带隙基准电路的基准输出电压vref。本发明专利技术在一阶带隙基准电路的基础上,增加二阶曲率补偿电路,大大降低了基准电压的温度系数,特别适用于温度变化较大的场合,且电路结构简单,无需引入额外类型器件,面积也不大,尤其适合作为带功率器件的芯片内部参考电压。

【技术实现步骤摘要】
一种二阶曲率温度补偿带隙基准电路
本专利技术属于基准电压
,具体地涉及一种二阶曲率温度补偿带隙基准电路。
技术介绍
基准电压源是一种高精度、高稳定性的电压源,在各种模拟、数模混合集成电路中有着广泛的应用,基准电压源主要采用基准电压产生电路来产生。现有的与温度无关的常见基准电压产生电路有:一是基于增强型NMOS和耗尽型NMOS的开启电压之差形成温度稳定的基准电压,这种方法在不同的工艺角下基准电压偏差较大,不适合高精度的应用;二是基于NPN反向击穿BE结构成的齐纳二极管的击穿电压,这种方法由于击穿电压较高,不适合低电源电压应用场合;三是基于等效热电压的正温度系数和三极管BE结电压的负温度系数相互补偿的一阶带隙基准电路,这种电路可以较好地解决前两种基准电压产生电路存在的问题,但这种一阶带隙基准电路的一阶补偿后温度系数仍然较高,不适用于温度变化较大的场合。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种二阶曲率温度补偿带隙基准电路用于解决上述存在的技术问题。为实现上述目的,本专利技术采用的技术方案为:一种二阶曲率温本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种二阶曲率温度补偿带隙基准电路,其特征在于:包括一阶带隙基准电路和二阶曲率温度补偿电路,二阶曲率温度补偿电路输入一阶带隙基准电路的基准输出电压va,相应地产生一个呈正温度系数特性的电压vR2,基准输出电压va与电压vR2叠加后作为该二阶曲率温度补偿带隙基准电路的基准输出电压vref。/n

【技术特征摘要】
1.一种二阶曲率温度补偿带隙基准电路,其特征在于:包括一阶带隙基准电路和二阶曲率温度补偿电路,二阶曲率温度补偿电路输入一阶带隙基准电路的基准输出电压va,相应地产生一个呈正温度系数特性的电压vR2,基准输出电压va与电压vR2叠加后作为该二阶曲率温度补偿带隙基准电路的基准输出电压vref。


2.根据权利要求1所述的二阶曲率温度补偿带隙基准电路,其特征在于:所述一阶带隙基准电路包括电阻R0、电阻R1、PNP三极管Q2、PNP三极管Q3、NPN三极管Q0和NPN三极管Q1,PNP三极管Q2和Q3构成电流镜,PNP三极管Q2和Q3的发射极作为该一阶带隙基准电路的输入端,PNP三极管Q2和Q3的集电极分别接NPN三极管Q0和Q1的集电极,NPN三极管Q0的发射极依次串联电阻R0和R1接地,NPN三极管Q1的发射极接电阻R0和R1之间的节点,NPN三极管Q0和Q1的基极相连接作为该一阶带隙基准电路的基准电压输出端,用于输出基准输出电压va。


3.根据权利要求2所述的二阶曲率温度补偿带隙基准电路,其特征在于:所述二阶曲率温度补偿电路包括NPN三极管Q7、NPN三极管Q5、电阻R2、电阻R3、电阻R8和电阻R9,电阻R2的第一端接NPN三极管Q0和Q1的基极,第二端接NPN三极管Q7的基极,NPN三极管Q7的集电极接电源,NPN三极管Q7的发射极依次串联电阻R8和电阻R9接地,电阻R8和电阻R9之间的节点接NPN三极管Q5的基极,NPN三极管Q5的发射极串联电阻R3接地,NPN三极管Q5的集电极接电阻R2的第一端,电阻R2的第二端作为该二阶曲率温度补偿带隙基准电路的基准电压输出端,用于输出基准输出电压vref。

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【专利技术属性】
技术研发人员:蒋彩艳
申请(专利权)人:厦门为力电子有限公司
类型:发明
国别省市:福建;35

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