【技术实现步骤摘要】
低静态电流快速响应LDO电路及SOC系统
本专利技术涉及线性稳压器电路
，尤其涉及的是一种低静态电流快速响应LDO电路及SOC系统。
技术介绍
由于PCB（PrintedCircuitBoard，印制电路板）板级空间的限制，越来越多的电路模块被集成到SOC（系统级芯片，也称片上系统）系统里面。因为体积小、噪声低、纹波低等特点，SOC系统内部的电源管理电路一般采用LDO（lowdropoutregulator，是一种低压差线性稳压器）电路架构。传统的LDO电路架构，为了能在负载突变时实现快速瞬态响应，一般在输出端接μF级的大外置电容。而在SOC系统内，为了便于片上集成，LDO的输出电容均是内置，电容容值一般都不大，这样会导致LDO的负载瞬态响应变差。为了改善负载瞬态响应性能，LDO电路往往采用复杂的架构，控制输出功率管栅极的充放电；而复杂的电路架构意味着更多的电流支路，这不可避免地增加了LDO的静态电流。为了延长电池供电系统的使用时间，SOC系统在待机模式下都存在低功耗要求，这个功耗要求与上述的改善LDO瞬态响应...
【技术保护点】
1.一种低静态电流快速响应LDO电路，其特征在于，包括反馈电压放大器AMP、输出电压低冲控制管MP2、输出电压过冲控制管MN1、第一补偿网络、第二补偿网络、第一电流源I1、第二电流源I2、输出功率管MP1、输出电压反馈分压电阻网络、内部电压VDD的输出电容CL；/n所述反馈电压放大器AMP，其正输入端接基准电压VREF，其负输入端接输出电压反馈分压电阻网络，其输出端接输出电压低冲控制管MP2的栅极；/n所述输出电压低冲控制管MP2，其栅极接反馈电压放大器AMP的输出端，源极接输出电压VDD，漏极接输出电压过冲控制管MN1的栅极和输出功率管MP1栅极连接点；/n所述的输出电压...
【技术特征摘要】
1.一种低静态电流快速响应LDO电路，其特征在于，包括反馈电压放大器AMP、输出电压低冲控制管MP2、输出电压过冲控制管MN1、第一补偿网络、第二补偿网络、第一电流源I1、第二电流源I2、输出功率管MP1、输出电压反馈分压电阻网络、内部电压VDD的输出电容CL；
所述反馈电压放大器AMP，其正输入端接基准电压VREF，其负输入端接输出电压反馈分压电阻网络，其输出端接输出电压低冲控制管MP2的栅极；
所述输出电压低冲控制管MP2，其栅极接反馈电压放大器AMP的输出端，源极接输出电压VDD，漏极接输出电压过冲控制管MN1的栅极和输出功率管MP1栅极连接点；
所述的输出电压过冲控制管MN1，其栅极接输出电压低冲控制管MP2的漏极和输出功率管MP1栅极连接点，源极接地，漏极接输出电压VDD；
所述第一补偿网络的一端接反馈电压放大器的输出端，第一补偿网络的另一端接地：第一补偿网络用于提供一个补偿零点；
所述第二补偿网络一端接电源电压VCC，第二补偿网络另一端接输出功率管MP1的栅极：第二补偿网络用于提供另一个补偿零点；
所述第一电流源I1和第二电流源I2的连接点接输出功率管MP1的栅极，第一电流源I1的另一端连接电源电压VCC，第二电流源I2另一端接地；
所述输出功率管MP1，其源极接电源电压VCC，栅极接第一电流源I1和第二电流源I2的连接点，漏端接输出电压VDD；
所述输出电压反馈分压电阻网络一端连接输出电压VDD，输出电压反馈分压电阻网络另一端接地；
所述内部电压VDD的输出电容CL，其一端接输出电压VDD，另一端接地；
所述反馈电压放大器AMP包括第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第三电流镜PMOS管MP3和第四电流镜PMOS管MP4，输出反馈电阻分压电压VFB接第二NMOS管MN2的栅极，基准电压VREF接第三NMOS管MN3的栅极，第二NMOS管MN2和第三NMOS管MN3的源极连一起后接电流源I3的一端，电流源I3的另一端接地；第三NMOS管MN3的漏端接第四电流镜PMOS管MP4的漏极，第二NMOS管MN2的漏端接第三电流镜PMOS管MP3的漏极；第四电流镜PMOS管MP4的栅极和漏极短接，第四电流镜PMOS管MP4的栅极连接到第三电...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐光明，其他发明人请求不公开姓名，
申请(专利权)人：深圳市芯天下技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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