主动阵列基板及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种主动阵列基板及其制作方法，主动阵列基板包括基板及配置于基板上的多个像素结构，各像素结构包括扫描线、数据线以及像素电极。扫描线配置于基板上并沿第一方向延伸。数据线配置于基板上并沿第二方向延伸，第一方向相交于第二方向，数据线与扫描线定义像素区以及第一切割净空区。像素电极配置于基板上且具有第一部及与第一部连接的第二部，第一部位于像素区，第二部位于第一切割净空区，第二部在基板的垂直投影不重叠于数据线在基板的垂直投影。可避免切割主动阵列基板时，造成主动阵列基板的边缘处的位于不同层别的导体之间短路的风险，因此可达到提升产品合格率及可靠度的优点。

【技术实现步骤摘要】
主动阵列基板及其制作方法
本专利技术是关于一种主动阵列基板及其制作方法。
技术介绍
近年来，随着科技产业日益发达，电子装置例如移动电话(mobilephone)、平板电脑(tabletcomputer)或电子书(eBook)已广泛地应用于日常生活中。目前常见的电泳显示器是由电泳显示薄膜(electrophoresisdisplayfilm)以及主动元件阵列基板组装而成。然而，以现有技术制作不同尺寸的电泳显示器需要订制，造成成本高昂。而利用切割方式将电泳显示器切割成小尺寸的电泳显示器，可能造成切割处的上下电极导通而短路，产生合格率不佳的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种主动阵列基板，主动阵列基板包括基板及配置于基板上的多个像素结构。各像素结构包括数据线及扫描线，通过数据线及扫描线定义第一切割净空区及第二切割净空区，并使主动阵列基板的切割位置落在第一切割净空区及第二切割净空区，可以依想要的显示装置的尺寸，在主动阵列基板的显示区沿第一方向及第二方向切割所需的主动阵列基板的范围，因此可达到显示装置尺寸弹性化的优点，且无须额外的光罩来制备不同尺寸的主动阵列基板，而可提供模块化的生产，因此可达到工艺弹性化及节省成本的优点。并且，通过在第一切割净空区的不同层的导体在基板的垂直投影不互相重叠，且在第二切割净空区的不同层的导体在基板的垂直投影不互相重叠，可避免在主动阵列基板的显示区(例如第一切割净空区及第二切割净空区)切割时，造成主动阵列基板的边缘处的位于不同层别的导体之间短路的风险，因此可达到提升产品合格率及可靠度的优点。在一实施例中，一种主动阵列基板包括基板及配置于基板上的多个像素结构。各像素结构包括扫描线、数据线以及像素电极。扫描线配置于基板上并沿第一方向延伸。数据线配置于基板上并沿第二方向延伸，第一方向相交于第二方向，数据线与扫描线定义像素区以及第一切割净空区。像素电极配置于基板上，且具有第一部及与第一部连接的第二部，第一部位于像素区，第二部位于第一切割净空区，第二部在基板的垂直投影不重叠于数据线在基板的垂直投影。在一实施例中，像素电极的第二部沿第二方向的长度介于约10微米至约200微米之间。在一实施例中，像素电极的第一部在基板的垂直投影不重叠于数据线在基板的垂直投影。在一实施例中，各像素结构更包括共通电极。共通电极包括第一部及与共通电极的第一部相连接的第二部，共通电极的第一部及第二部别位于像素区及第一切割净空区，共同电极的第二部在基板的垂直投影不重叠于像素电极的第二部在基板的垂直投影。在一实施例中，共通电极的第二部与像素电极的第二部沿第一方向间隔一定距离。在一实施例中，共通电极的第二部与像素电极的第二部之间沿第一方向的距离介于约3微米至约7微米之间。在一实施例中，数据线与扫描线还定义第二切割净空区，像素区位于数据线及第二切割净空区之间，像素电极更包括第三部，第三部位于第二切割净空区，第三部在基板的垂直投影不重叠于共通电极在基板的垂直投影。在一实施例中，共通电极的第二部与像素电极的第三部间隔一定距离。在一实施例中，一种主动阵列基板的制作方法包括以下步骤。在基板上形成栅极。在栅极上形成通道层。在基板上形成源极、漏极、共通电极与数据线，其中源极与漏极连接通道层。在源极、漏极、共通电极与数据线上形成绝缘层，栅极、通道层、源极与漏极构成主动元件。在绝缘层上形成像素电极，其中像素电极包含第一部与第二部，第二部与第一部连接，第一部位于主动元件上，第二部与数据线间隔第一距离，且第二部与共通电极间隔第二距离。在一实施例中，像素电极更包括第三部，第三部与第一部连接，第三部与共通电极间隔第三距离。与现有技术相比，本专利技术的主动阵列基板及其制作方法，可避免切割主动阵列基板时，造成主动阵列基板的边缘处的位于不同层别的导体之间短路的风险，并可提升产品合格率及可靠度。附图说明阅读以下详细叙述并搭配对应的附图，可了解本专利技术的多个方面。需留意的是，附图中的多个特征并未依照该业界领域的标准作法绘制实际比例。事实上，所述的特征的尺寸可以任意的增加或减少以利于讨论的清晰性。图1绘示根据本专利技术的一实施例的主动阵列基板的俯视图；图2为图1中区域R的放大示意图；图3为图2中剖线A-A的剖面图；图4A至图4C是根据本专利技术的一实施例的图2的第一子区域及第二子区域沿剖线B-B的制作流程的剖面示意图；图5是应用本专利技术的像素结构的电泳显示装置的剖面图；以及图6绘示根据本专利技术的一实施例的主动阵列基板的制作方法的流程图。主要附图标记说明：100-主动阵列基板，102-基板，102A-显示区，102B-非显示区，104-像素结构，106-扫描线驱动电路，108-数据线驱动电路，110-扫描线，112-数据线，114-像素电极，114A-金属层，114B-透明导电层，116-辅助电极，118-共通电极，120-第一绝缘层，122-第二绝缘层，124-缓冲层，126-电泳显示装置，128-透明基板，130-透明电极层，132-微胶囊，134-电泳液，136-黑色带电粒子，138-白色带电粒子，200-流程图，202、204、206、208、210-步骤，1140-第一部，1142-第二部，1144-第三部，1180-第一部，1182-第二部，A-A-剖线，B-B-剖线，C1、C2-通道层，CUT1-第一切割线，CUT2-第二切割线，D1-第一方向，D2-第二方向，DE1、DE2-漏极，GE1、GE2-栅极，L1、L2-长度，NP1-第一切割净空区，NP2-第二切割净空区，P-像素区，R-区域，R1-第一子区域，R2-第二子区域，S1-第一距离，S2-第二距离，S3-第三距离，S4-第四距离，SE1、SE2-源极，T、T1、T2-主动元件，TH-开口。具体实施方式以下将以附图及详细说明清楚说明本专利技术的精神，任何所属
中的技术人员在了解本专利技术的实施例后，当可由本专利技术所教示的技术，加以改变及修饰，其并不脱离本专利技术的精神与范围。举例而言，叙述“第一特征形成于第二特征上方或上”，在实施例中将包含第一特征及第二特征具有直接接触；且也将包含第一特征和第二特征为非直接接触，具有额外的特征形成于第一特征和第二特征之间。此外，本专利技术在多个范例中将重复使用元件标号以和/或文字。重复的目的在于简化与厘清，而其本身并不会决定多个实施例以和/或所讨论的配置之间的关系。此外，方位相对词汇，如“在…之下”、“下面”、“下”、“上方”或“上”或类似词汇，在本文中为用来便于描述绘示于附图中的一个元件或特征至另外的元件或特征的关系。方位相对词汇除了用来描述装置在附图中的方位外，其包含装置于使用或操作下的不同的方位。当装置被另外设置(旋转90度或者其他面向的方位)，本文所用的方位相对词汇同样可以相应地进行解释。图1绘示根据本专利技术的一实施例的主动阵列基板100的俯视图，图2为图1中区域R的放大示意图，请一并参照本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种主动阵列基板，其特征在于，包含：/n基板；以及/n多个像素结构，配置于所述基板上，各所述多个像素结构包含：/n扫描线，配置于基板上并沿第一方向延伸；/n数据线，配置于所述基板上并沿第二方向延伸，所述第一方向相交于所述第二方向，所述数据线与所述扫描线定义像素区以及第一切割净空区；以及/n像素电极，配置于所述基板上，且具有第一部及与所述第一部相连的第二部，其中所述第一部位于所述像素区，所述第二部位于所述第一切割净空区，所述第二部在所述基板的垂直投影不重叠于所述数据线在所述基板的垂直投影。/n

【技术特征摘要】
1.一种主动阵列基板，其特征在于，包含：
基板；以及
多个像素结构，配置于所述基板上，各所述多个像素结构包含：
扫描线，配置于基板上并沿第一方向延伸；
数据线，配置于所述基板上并沿第二方向延伸，所述第一方向相交于所述第二方向，所述数据线与所述扫描线定义像素区以及第一切割净空区；以及
像素电极，配置于所述基板上，且具有第一部及与所述第一部相连的第二部，其中所述第一部位于所述像素区，所述第二部位于所述第一切割净空区，所述第二部在所述基板的垂直投影不重叠于所述数据线在所述基板的垂直投影。


2.如权利要求1所述的主动阵列基板，其特征在于，所述像素电极的所述第二部沿所述第二方向的长度介于10微米至200微米之间。


3.如权利要求1所述的主动阵列基板，其特征在于，所述像素电极的所述第一部在所述基板的垂直投影不重叠于所述数据线在所述基板的垂直投影。


4.如权利要求1所述的主动阵列基板，其特征在于，各所述像素结构还包含：
共通电极，所述共通电极包含第一部及与所述共通电极的所述第一部相连接的第二部，所述共通电极的所述第一部及所述第二部别位于所述像素区及所述第一切割净空区，所述共同电极的所述第二部在所述基板的垂直投影不重叠于所述像素电极的所述第二部在所述基板的垂直投影。


5.如权利要求4所述的主动阵列基板，其特征在于，所述共通电极的所述第二部与所述像素电极的所述第二部沿所述第一方向间隔一定距离。


...

【专利技术属性】
技术研发人员：林建闳，伊恩法兰契，林胜隆，钟宪腾，
申请(专利权)人：元太科技工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71