反射式主动元件阵列基板及其制作方法与反射式显示设备技术

本发明专利技术提供一种反射式主动元件阵列基板及其制作方法与反射式显示设备。反射式主动元件阵列基板包括基板、多个主动组件、保护层以及多个金属氧化物导体层。主动组件分散地配置于基板上。保护层配置于基板上且覆盖主动组件。保护层具有多个开口，且每一开口分别暴露出相对应的主动组件的源极或漏极。金属氧化物导体层配置于基板上且覆盖保护层。每一金属氧化物导体层通过对应的开口与相对应的主动元件的源极或漏极电性连接。因此，可减少外界光线反射。

【技术实现步骤摘要】
反射式主动元件阵列基板及其制作方法与反射式显示设备
本专利技术涉及一种基板及其制作方法，由其涉及一种反射式主动元件阵列基板及其制作方法与采用此反射式主动元件阵列基板的反射式显示设备。
技术介绍
电泳式显示设备多为反射式显示设备，利用其内部的电泳粒子反射外界光束，进而达到显示画面的目的。目前，电泳式显示设备的主动元件阵列基板大都使用不透光的金属材质作为导电电极。金属材质的导电电极除了导电的效果之外，亦可遮光以避免主动元件因照光而有光电效应发生。然而，当显示介质层发生破洞时，金属材料的导电电极会直接反射光线，造成观看者会看到明显亮点，进而影响产品品质。
技术实现思路
本专利技术是针对一种反射式主动元件阵列基板，以金属氧化物导体层取代现有的金属材质的导电电极，具有较低的光反射率，可减少外界光线反射。本专利技术是针对一种反射式主动元件阵列基板的制作方法，用以制作上述的反射式主动元件阵列基板。本专利技术亦提供一种反射式显示设备，包括上述的反射式主动元件阵列基板，具有较佳的显示品质。本专利技术的反射式主动元件阵列基板，其包括基板、多个主动元件、保护层以及多个金属氧化物导体层。主动元件分散地配置于基板上。保护层配置于基板上且覆盖主动元件。保护层具有多个开口，且每一开口分别暴露出相对应的主动元件的源极或漏极。金属氧化物导体层配置于基板上且覆盖保护层。每一金属氧化物导体层通过对应的每一开口与相对应的每一主动元件元件的源极或漏极电性连接。在本专利技术的一实施例中，上述的每一金属氧化物导体层的材质包括氧化钼、氧化钼铌、氧化钽或氧化铝。在本专利技术的一实施例中，上述的每一主动元件包括栅极、半导体通道层、栅绝缘层以及源极与漏极。栅极配置于基板上。栅绝缘层覆盖栅极且位于栅极与半导体通道层之间。源极与漏极配置于半导体信道层的同一侧，且暴露出部分的半导体通道层。本专利技术的反射式主动元件阵列基板的制作方法，其包括以下步骤。提供一阵列基板。阵列基板包括基板、多个主动元件以及保护层。主动元件分散地形成在基板上，而保护层形成在基板上且覆盖主动元件。保护层具有多个开口，而每一开口分别暴露出相对应的每一主动元件的源极或漏极。将阵列基板移至反应腔室内，其中反应腔室设置有金属靶材。将反应气体通入反应腔室，以与金属靶材进行化学反应，而在阵列基板上形成多个金属氧化物导电层。金属氧化物导体层覆盖保护层，且每一金属氧化物导体层通过对应的每一开口与相对应的每一主动元件的源极或漏极电性连接。在本专利技术的一实施例中，上述的金属靶材包括钼、钼铌、钽或铝，而反应气体包括氧。在本专利技术的一实施例中，上述的每一主动元件包括栅极、半导体通道层、栅绝缘层以及源极与漏极。栅极配置于基板上。栅绝缘层覆盖栅极且位于栅极与半导体通道层之间。源极与漏极配置于半导体信道层的同一侧，且暴露出部分的半导体通道层。本专利技术的反射式显示设备，其包括反射式主动元件阵列基板以及电泳显示薄膜。反射式主动元件阵列基板包括基板、多个主动元件、保护层以及多个金属氧化物导体层。主动元件分散地配置于基板上。保护层配置于基板上且覆盖主动元件。保护层具有多个开口，且每一开口分别暴露出相对应的每一主动元件的源极或漏极。金属氧化物导体层配置于基板上且覆盖保护层。每一金属氧化物导体层通过对应的每一开口与相对应的每一主动元件的源极或漏极电性连接。电泳显示薄膜配置于反射式主动元件阵列基板上。在本专利技术的一实施例中，上述的每一金属氧化物导体层的材质包括氧化钼、氧化钼铌、氧化钽或氧化铝。在本专利技术的一实施例中，上述的每一主动元件包括栅极、半导体通道层、栅绝缘层以及源极与漏极。栅极配置于基板上。栅绝缘层覆盖栅极且位于栅极与半导体通道层之间。源极与漏极配置于半导体信道层的同一侧，且暴露出部分的半导体通道层。在本专利技术的一实施例中，上述的电泳显示薄膜包括可挠性基材、透明导电层以及显示介质层。透明导电层配置于可挠性基材上，且位于反射式主动元件阵列基板与可挠性基材之间。显示介质层配置于可挠性基材上，且位于反射式主动元件阵列基板与透明导电层之间。显示介质层包括多个显示介质。每一显示介质包括电泳液以及分布于电泳液中的多个带电粒子。基于上述，在本专利技术的反射式主动元件阵列基板的结构中，是以金属氧化物导体层作为导电电极。相较于现有采用金属材质作为导电电极而言，本专利技术的金属氧化物导体层具有较低的光反射率，可减少外界光线反射。因此，采用本专利技术的反射式主动元件阵列基板的反射式显示设备，当其电泳显示薄膜发生破洞时，金属氧化物导体层可减少外界光线的反射而不产生亮点，可使反射式显示设备具有较佳的显示品质。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。附图说明包含附图以便进一步理解本专利技术，且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本专利技术的实施例，并与描述一起用于解释本专利技术的原理。图1为本专利技术实施例的一种反射式主动元件阵列基板的剖面示意图；图2为本专利技术实施例的反射式主动元件阵列基板的制作方法的流程图；图3A至图3B为图2的反射式主动元件阵列基板的制作方法的剖面示意图；图4为本专利技术实施例的一种反射式显示设备的剖面示意图。附图标号说明10：反射式显示设备；100：反射式主动元件阵列基板；100a：阵列基板；110：基板；120：主动元件；122a：源极；122b：漏极；124：栅极；126：栅绝缘层；128：半导体通道层；130：保护层；132：开口；140：金属氧化物导体层；200：电泳显示薄膜；210：可挠性基材；220：透明导电层；230：显示介质层；232：显示介质；234：电泳液；236：带电粒子；S10、S20、S30：步骤。具体实施方式现将详细地参考本专利技术的示范性实施例，示范性实施例的实例说明于附图中。只要有可能，相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。图1是本专利技术一实施例的一种反射式主动元件阵列基板的剖面示意图。请参照图1，本实施例的反射式主动元件阵列基板100包括基板110、多个主动元件120(图1仅示意地示出二个)、保护层130以及多个金属氧化物导体层140(图1仅示意地示出二个)。主动元件120分散地配置于基板110上。保护层130配置于基板110上且覆盖主动元件120。保护层130具有多个开口132(图1仅示意地示出二个)，且每一开口132分别暴露出相对应的主动元件120的源极122a或漏极122b。金属氧化物导体层140配置于基板110上且覆盖保护层130。每一金属氧化物导体层140通过对应的每一开口132与相对应的每一主动元件120的源极122a或漏极122b电性连接。详细来说，本实施例的主动元件120包括栅极124、半导体通道层128、栅绝缘层126、源极122a及漏极12本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反射式主动元件阵列基板，包括：/n基板；/n多个主动元件，分散地配置于所述基板上；/n保护层，配置于所述基板上，且覆盖所述多个主动元件，其中所述保护层具有多个开口，且所述多个开口的每一个分别暴露出相对应的所述多个主动元件的每一个的源极或漏极；以及/n多个金属氧化物导体层，配置于所述基板上，且覆盖所述保护层，其中所述多个金属氧化物导体层的每一个通过对应的所述多个开口的每一个与相对应的所述多个主动元件的每一个的所述源极或所述漏极电性连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种反射式主动元件阵列基板，包括：
基板；
多个主动元件，分散地配置于所述基板上；
保护层，配置于所述基板上，且覆盖所述多个主动元件，其中所述保护层具有多个开口，且所述多个开口的每一个分别暴露出相对应的所述多个主动元件的每一个的源极或漏极；以及
多个金属氧化物导体层，配置于所述基板上，且覆盖所述保护层，其中所述多个金属氧化物导体层的每一个通过对应的所述多个开口的每一个与相对应的所述多个主动元件的每一个的所述源极或所述漏极电性连接。


2.根据权利要求1所述的反射式主动元件阵列基板，其中所述多个金属氧化物导体层的每一个的材质包括氧化钼、氧化钼铌、氧化钽或氧化铝。


3.根据权利要求1所述的反射式主动元件阵列基板，其中所述多个主动元件的每一个包括：
栅极，配置于所述基板上；
半导体通道层；
栅绝缘层，覆盖所述栅极，且位于所述栅极与所述半导体通道层之间；以及
所述源极与所述漏极，配置于所述半导体通道层的同一侧，且暴露出部分所述半导体通道层。


4.一种反射式主动元件阵列基板的制作方法，包括：
提供阵列基板，所述阵列基板包括基板、多个主动元件以及保护层，其中所述多个主动元件分散地形成在所述基板上，而所述保护层形成在所述基板上且覆盖所述多个主动元件，所述保护层具有多个开口，而所述多个开口的每一个分别暴露出相对应的所述多个主动元件的每一个的源极或漏极；
将所述阵列基板移至反应腔室内，其中所述反应腔室设置有金属靶材；以及
将反应气体通入所述反应腔室，以与所述金属靶材进行化学反应，而在所述阵列基板上形成多个金属氧化物导电层，其中所述多个金属氧化物导体层覆盖所述保护层，且所述多个金属氧化物导体层通过对应的所述多个开口的每一个与相对应的所述多个主动元件的每一个的所述源极或所述漏极电性连接。


5.根据权利要求4所述的反射式主动元件阵列基板的制作方法，其中所述金属靶材包括钼、钼铌、钽或铝，而所述反应气体包括氧。
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【专利技术属性】
技术研发人员：张建兴，
申请(专利权)人：元太科技工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71