一种DDS输出补偿电路制造技术

本发明专利技术公开一种DDS输出补偿电路，属于集成电路技术领域，包括NMOS电流管NM1和NM2、NMOS开关管NM3和NM4、可调电流源I1和反相器INV；NM1、NM2的源极与地GND连接，栅极相连并连接至NM1漏极，NM2漏极与NM4漏极相连并连接DDS输出端V

【技术实现步骤摘要】
一种DDS输出补偿电路
本专利技术涉及集成电路
，特别涉及一种DDS输出补偿电路。
技术介绍
DDS(DirectDigitalSynthesizer，直接数字频率合成器)是一种数字化频综电路，内部包括配置相位累加器、相幅转换器、MUX、DAC等模块，可输出相位、幅度和频率字灵活可调的模拟正弦信号。器件具有高速可编程配置、精密跳频与微调、高稳定性等特点，目前作为关键器件广泛应用在雷达、通讯及测试测控等领域中。在目前的DDS的制作工艺中，由于半导体制造过程中不可避免的存在工艺偏差、温度漂移等非理想因素，会造成DDS输出电流失调，从而影响输出共模电压及器件动态指标。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种DDS输出补偿电路，以解决现有DDS输出电流失调，从而影响输出共模电压及器件动态指标的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种DDS输出补偿电路，包括NMOS电流管NM1和NM2、NMOS开关管NM3和NM4、可调电流源I1和反相器INV；NMOS电流管NM1、NM2的源极与地GND连接，栅极相连并连接至NM1漏极，NM2漏极与NMOS开关管NM4漏极相连并连接DDS输出端VOUT；NMOS开关管NM3的漏极和NM4的源极相连；反相器INV输入端连接开关信号K1控制NMOS开关管NM4，输出端连接开关信号K2控制NMOS开关管NM3。可选的，所述可调电流源I1包括调节字输入端和电流输出端，所述电流输出端与NMOS开关管NM3的漏极相连。可选的，所述可调电流源I1的精度为N，内部编码方式为二进制编码、温度计码，或是二进制编码与温度计码的混合编码，其最大输出电流小于DDS最大输出电流。可选的，所述可调电流源I1的精度为6，采用混合编码方式，低3位控制字采用温度计码；高3位控制字采用二进制码。可选的，所述开关信号K1和K2为互补信号，用于控制补偿电流的方向。在本专利技术中提供了一种DDS输出补偿电路，包括NMOS电流管NM1和NM2、NMOS开关管NM3和NM4、可调电流源I1和反相器INV；NMOS电流管NM1、NM2的源极与地GND连接，栅极相连并连接至NM1漏极，NM2漏极与NMOS开关管NM4漏极相连并连接DDS输出端VOUT；NMOS开关管NM3的漏极和NM4的源极相连；反相器INV输入端连接开关信号K1控制NMOS开关管NM4，输出端连接开关信号K2控制NMOS开关管NM3。当NMOS开关管NM3打开，NM4关闭时，该电路对DDS输出级进行正向补偿，补偿电流值为I1；当NMOS开关管NM3关闭，NM4打开时，该电路对DDS输出级进行负向补偿，补偿电流值为-I1。本专利技术使用一组可调电流源实现了对DDS输出电流注入和抽取的双向补偿，可用于修正输出失调、补偿馈通及调整输出共模等作用，具有结构简单、调整精度高等特点，降低了后级器件应用时设计难度，可应用于高精度DDS器件设计中。附图说明图1是本专利技术提供的补偿电路用在DDS器件中的示意图；图2是本专利技术提供的DDS输出补偿电路的结构示意图；图3是本专利技术提供的DDS输出补偿电路打开后输出补偿前后对比示意图；图4是N=6的可调电流源的示意图。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本专利技术提出的一种DDS输出补偿电路作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。实施例一本专利技术提供了一种DDS输出补偿电路，用在DDS器件中，如图1所示。该DDS器件为典型的直接式数字频率合成器，包括相位累加器、相幅转换器、MUX和DAC；本专利技术提供的补偿电路与DAC相连。外部输入控制字用于调节器件的相位幅度频率等指标，相位累加器完成相位累加生成相位信号并传递给相幅转换器转换为相对应的幅度信号；经MUX合成为双路交织的数字正弦信号，最后由内部DAC转换为模拟信号输出；该补偿电路作用于DDS输出级，通过配置字调节补偿电流及方向，为DAC提供补偿电流。如图2所示为本专利技术提供的DDS输出补偿电路的结构示意图，包括NMOS电流管NM1和NM2、NMOS开关管NM3和NM4、可调电流源I1和反相器INV。NMOS电流管NM1、NM2的源极与地GND连接，栅极相连并连接至NM1漏极，NM2漏极与NMOS开关管NM4漏极相连并连接DDS输出端VOUT；NMOS开关管NM3的漏极和NM4的源极相连；反相器INV输入端连接开关信号K1控制NMOS开关管NM4，输出端连接开关信号K2控制NMOS开关管NM3。所述可调电流源I1包括调节字输入端和电流输出端，所述电流输出端与NMOS开关管NM3的漏极相连。所述可调电流源I1的精度为N，内部编码方式为二进制编码、温度计码，或是二进制编码与温度计码的混合编码，其最大输出电流小于DDS最大输出电流。所述开关信号K1和K2为互补信号，用于控制补偿电流的方向。本实施例一中，可调电流源I1的精度为6位，开关信号K1和K2为互补信号：当开关信号K1控制NMOS开关管NM4打开时，NMOS开关管NM3关闭，补偿电路对DDS输出级节点VOUT进行电流抽取，抽取电流值为-I1，此时DDS输出信号范围变化为VDD-(I2-I1)*R1到VDD；当开关信号K1控制NMOS开关管NM4关闭时，NMOS开关管NM3打开，补偿电路通过镜像电流管对DDS输出级节点VOUT进行电流注入，注入电流值为I1，此时DDS输出信号范围变化为VDD-(I2+I1)*R1到VDD。图3是本专利技术提供的DDS输出补偿电路打开后输出补偿前后对比示意图，未进行补偿时DDS输出信号范围为VDD-I2*R1到VDD。可以看出该补偿电路可双向调节并精确修正DDS输出级固有的输出失调，同时也可辅助对输出幅度进行一定的调节。图4是本实施例一中的6位可调电流源，采用混合编码方式，K11、K12、K13为低3位控制字，采用温度计码；K14、K15、K16为高3位控制字，采用二进制码，K21~K28为由高3位二进制码K14、K15、K16编译出来的八位温度计码。该电流源可以以I=I1/2N的步进进行调节。需特别之处，在实际应用中应注意补偿电路最大电流I1应小于DDS最大输出电流I2，以免造成溢出。上述描述仅是对本专利技术较佳实施例的描述，并非对本专利技术范围的任何限定，本专利
的普通技术人员根据上述揭示内容做的任何变更、修饰，均属于权利要求书的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种DDS输出补偿电路，其特征在于，包括NMOS电流管NM1和NM2、NMOS开关管NM3和NM4、可调电流源I1和反相器INV；/nNMOS电流管NM1、NM2的源极与地GND连接，栅极相连并连接至NM1漏极，NM2漏极与NMOS开关管NM4漏极相连并连接DDS输出端V

【技术特征摘要】
1.一种DDS输出补偿电路，其特征在于，包括NMOS电流管NM1和NM2、NMOS开关管NM3和NM4、可调电流源I1和反相器INV；
NMOS电流管NM1、NM2的源极与地GND连接，栅极相连并连接至NM1漏极，NM2漏极与NMOS开关管NM4漏极相连并连接DDS输出端VOUT；NMOS开关管NM3的漏极和NM4的源极相连；
反相器INV输入端连接开关信号K1控制NMOS开关管NM4，输出端连接开关信号K2控制NMOS开关管NM3。


2.如权利要求1所述的DDS输出补偿电路，其特征在于，所述可调电流源I1包括调节字输入端和电流输出端，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张涛，王佳琪，张皓然，薛伟，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：江苏;32