栅极单元及其制备方法、阵列基板的制备方法、显示机构技术

本发明专利技术涉及一种栅极单元及其制备方法、阵列基板的制备方法、显示机构。该栅极单元的制备方法包括如下步骤：在衬底上设置导电层；在导电层远离衬底的一侧形成光刻胶层；对光刻胶层进行曝光处理，再经显影而在光刻胶层上形成贯通光刻胶层的凹槽，形成具有图案的光刻胶层；及在具有图案的光刻胶层上电化学沉积功能材料，然后去除光刻胶层，得到形成有图案层的导电层，得到栅极单元。采用上述制备方法得到的栅极单元能够制备充电时间较短的阵列基板。

【技术实现步骤摘要】
栅极单元及其制备方法、阵列基板的制备方法、显示机构
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种栅极单元及其制备方法、阵列基板的制备方法、显示机构。
技术介绍
TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)。TFT式显示屏是一类有源矩阵液晶显示设备，其上的每个液晶像素点都是由集成在像素点后面的薄膜晶体管来驱动，具有高响应度、高亮度、高对比度等优点，是主流显示设备。一般地，阵列基板的制备方法主要包括如下步骤：通过在基板上形成金属层，并通过蚀刻金属层以形成图案。此种方式得到的阵列基板的充电时间较长，不能满足实际需求。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种栅极单元的制备方法，采用该制备方法得到的栅极单元能够制备充电时间较短的阵列基板。此外，还提供一种栅极单元、阵列基板的制备方法、显示机构。一种栅极单元的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在衬底上设置导电层；在所述导电层远离所述衬底的一侧形成光刻胶层；对所述光刻胶层进行曝光处理，再经显影而在所述光刻胶层上形成贯通所述光刻胶层的凹槽，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种栅极单元的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n在衬底上设置导电层；/n在所述导电层远离所述衬底的一侧形成光刻胶层；/n对所述光刻胶层进行曝光处理，再经显影而在所述光刻胶层上形成贯通所述光刻胶层的凹槽，形成具有图案的所述光刻胶层；及/n在具有图案的所述光刻胶层上电化学沉积功能材料，然后去除所述光刻胶层，得到形成有图案层的所述导电层，得到栅极单元。/n

【技术特征摘要】
1.一种栅极单元的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
在衬底上设置导电层；
在所述导电层远离所述衬底的一侧形成光刻胶层；
对所述光刻胶层进行曝光处理，再经显影而在所述光刻胶层上形成贯通所述光刻胶层的凹槽，形成具有图案的所述光刻胶层；及
在具有图案的所述光刻胶层上电化学沉积功能材料，然后去除所述光刻胶层，得到形成有图案层的所述导电层，得到栅极单元。


2.根据权利要求1所述的栅极单元的制备方法，其特征在于，在具有图案的所述光刻胶层上电化学沉积功能材料，然后去除所述光刻胶层，得到形成有图案层的所述导电层的步骤包括：在具有图案的所述光刻胶层上依次电化学沉积金属材料和阻挡材料，然后去除所述光刻胶层，以形成层叠的金属层和阻挡层而得到所述图案层。


3.根据权利要求2所述的栅极单元的制备方法，其特征在于，所述在具有图案的所述光刻胶层上依次电化学沉积金属材料和阻挡材料的步骤包括：
将具有图案的所述光刻胶层置于电解液中，所述电解液含有第一离子和第二离子；
在第一还原电位或者第一还原电流的条件下对所述电解液通电，以使所述第一离子还原，而沉积在具有图案的所述光刻胶层上以形成金属材料层；及
在第二还原电位或者第二还原电流下对所述电解液通电，以使所述第二离子还原，而沉积在所述金属材料层上以形成阻挡材料层。


4.根据权利要求3所述的栅极单元的制备方法，其特征在于，所述第一离子为Cu2+，所述第一还原电位为0.3419V，所述第一还原电流的密度为1.5A/dm2～8.0A/dm2，所述第二还原电位为-0.0036V，所述第二还原电流密度为0.5A/dm2～1.2A/dm2；
或者，所述第一离子为Cu2+，所述第一还原电位为0.3419V，所述第一还原电流的密度为1.5A/dm2～8.0A/dm2，所述第二离子为Ti2+，所述第二还原电位为-1.2V～-1.7V，所述第二还原电流密度为5A/dm2～50A/dm2。


5.根据权利要求2所述的栅极单元的制备方法，其特征在于，所述在具有图案的所述光刻胶层上依次电化学沉积金属材料和阻挡材料的步骤包括：
所述第一电解液含有第一离子，将具有图案的所述光刻胶层置于所述第一电解液进行电化学沉积，以使所述第一离子还原而沉积在具有图案的所述光刻胶层上以形成金属材料层；及
所述第二电解液含有第二离子，将形成有所述金属层的所述光刻...

【专利技术属性】
技术研发人员：夏玉明，卓恩宗，唐崇伟，
申请(专利权)人：北海惠科光电技术有限公司，惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广西;45