一种阵列通道控制系统、方法、控制器、存储介质及应用技术方案

本发明专利技术属于网络交换数据传输技术领域，公开了一种阵列通道控制系统、方法、控制器、存储介质及应用，通道控制模块用于产生NandFlash接口控制器所需要的FlashChip自定义底层命令，与NandFlash的数据交互所需要的缓存以及数据的管理机制也在其内，控制四个物理通道；NANDFLASH接口控制用于用于实现底层的NandFlash物理接口操作，实现与NandFlashChip的物理接口交互时序。本发明专利技术利用32bit存储单元并发工作，解决了NANDFLASH异步模式下数据吞吐量不足的问题，使得交换机侧NANDFLASH接口数据吞吐量达到3Gbps，完全可以满足针对的星载交换机存储数据的要求。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列通道控制系统、方法、控制器、存储介质及应用
本专利技术属于网络交换数据传输
，尤其涉及一种阵列通道控制系统、方法、控制器、存储介质及应用。
技术介绍
目前，在宇宙空间中，星与星间或星与地间的网络交换数据传输将受到许多干扰因素的影响，容易出现网络断开的现象，即数据报文将在DTN(时延容忍网络)中传输，这可以通过将报文存储下来并在两个节点建立端到端路径后再发送来提高报文发送的成功率。另一方面，卫星无法每时每刻都保持在卫星观测站的观测范围内，因此需要通过馈电电路发往地面的数据很可能不能及时传输，需要暂时存储在星载交换系统内。以上问题的解决都需要星载交换机能够将数据存储在大容量的NANDFLASH中。因此需要有适用于与交换机对接的NANDFLASH控制器来将交换机需要存储的数据存入NANDFLASH中。目前NANDFLASH控制器使用的方式一般为：一个控制器下挂载多片NANDFLASH，而一个存储系统中又有多个控制器组成多通道，通过多通道并发的方式提高NANDFLASH存储效率。对于一般NANDFLASH控制器，其工作步骤为：(1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列通道控制器，其特征在于，所述阵列通道控制器包括：/n通道控制模块，分别于第一NANDFLASH接口控制、第二NANDFLASH接口控制、第三NANDFLASH接口控制和第四NANDFLASH接口控制相连接；用于产生NandFlash接口控制器所需要的Flash Chip自定义底层命令，与Nand Flash的数据交互所需要的缓存以及数据的管理机制也在其内，控制四个物理通道；/n第一NANDFLASH接口控制、第二NANDFLASH接口控制、第三NANDFLASH接口控制和第四NANDFLASH接口控制，用于实现底层的Nand Flash物理接口操作，实现与Nand Flash Ch...

【技术特征摘要】
1.一种阵列通道控制器，其特征在于，所述阵列通道控制器包括：
通道控制模块，分别于第一NANDFLASH接口控制、第二NANDFLASH接口控制、第三NANDFLASH接口控制和第四NANDFLASH接口控制相连接；用于产生NandFlash接口控制器所需要的FlashChip自定义底层命令，与NandFlash的数据交互所需要的缓存以及数据的管理机制也在其内，控制四个物理通道；
第一NANDFLASH接口控制、第二NANDFLASH接口控制、第三NANDFLASH接口控制和第四NANDFLASH接口控制，用于实现底层的NandFlash物理接口操作，实现与NandFlashChip的物理接口交互时序协议为ONFI2.2。


2.如权利要求1所述的阵列通道控制器，其特征在于，所述第一NANDFLASH接口控制用于实现底层的NandFlash物理接口操作，实现与NandFlashChip的物理接口交互时序，协议为ONFI2.2，其内还包含ECC引擎模块用于ECC编码与校验纠错，第一NANDFLASH接口控制用于控制NAND0、NAND1、NAND2、NAND3；
所述第二NANDFLASH接口控制用于实现底层的NandFlash物理接口操作，实现与NandFlashChip的物理接口交互时序，协议为ONFI2.2，其内还包含ECC引擎模块用于ECC编码与校验纠错，第一NANDFLASH接口控制用于控制NAND4、NAND5、NAND6、NAND7；
所述第三NANDFLASH接口控制用于实现底层的NandFlash物理接口操作，实现与NandFlashChip的物理接口交互时序，协议为ONFI2.2，其内还包含ECC引擎模块用于ECC编码与校验纠错，第一NANDFLASH接口控制用于控制NAND8、NAND8、NAND10、NAND11；
所述第四NANDFLASH接口控制用于实现底层的NandFlash物理接口操作，实现与NandFlashChip的物理接口交互时序，协议为ONFI2.2，其内还包含ECC引擎模块用于ECC编码与校验纠错，第一NANDFLASH接口控制用于控制NAND12、NAND13、NAND14、NAND15。


3.如权利要求1所述的阵列通道控制器，其特征在于，所述阵列通道控制器还包括组帧模块；
组帧模块与所述通道控制模块相连接；
所述组帧模块用于把从接口SRAM读出的帧长不定的交换机一般数据帧进行组帧，组成有利于存入NANDFLASH的定长帧；
还包括SRAM；
SRAM与所述通道控制模块相连接；
所述SRAM用于缓存从交换机接口发送缓存中读取出的交换机一般数据帧，减少FPGA片内缓存的占用；
还包括拆帧模块；
拆帧模块与所述通道控制模块相连接；
所述组拆模块用于将从NANDFlash中读出的定长帧拆解，重新恢复成交换机一般数据帧，并写入交换机接口接收缓存，使得交换机获得读取到的NANDFLASH数据。


4.如权利要求1所述的阵列通道控制器，其特征在于，所述阵列通道控制器的负责实现底层的NandFlash物理接口操作，实现与NandFlashChip的物理接口交互时序，协议为ONFI2.2；其内还包含ECC引擎模块用于ECC编码与校验纠错。


5.一种运行权利要求1～4任意一项所述阵列通道控制器的阵列通道控制系统，其特征在于，所述阵列通道控制系统包括：
控制指令产生模块，用于产生NandFlash接口控制器所需要的FlashChip自定义底层命令；
NANDFLASH接口控制模块，用于实现底层的NandFlash物理接口操作，实现与NandFlashChip的物理接口交互时序。


6.一种运行权利要求5所述阵列通道控制系统的阵列通道控制方法，其特征在于，所述阵列通道控制方法包括：
产生NANDFLASH接口控制所需要的FLAS...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘伟涛，张仲禹，邱智亮，刘松华，肖洪，董勐，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西;61