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测试磁场产生装置制造方法及图纸

技术编号:2649537 阅读:186 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术公开了一种测试磁场产生装置,由磁化场产生部分和去磁磁场产生部分构成,磁化场产生部分由贮能、放电控制、磁化场形成、贮能电源泄保护电路组成。去磁磁场产生部分由剩余磁场讯号检测处理、指示及去磁电源控制、去磁磁场形成、去磁电源及泄放保护电路组成。被测材料放置在测试磁场产生装置的测试箱中的合适位置,在控制脉冲磁化电源向磁化线圈放电后,材料便被自动磁化到饱和,而后可自动或手动控制去磁线圈中的磁场对材料进行去磁,从而检测出材料的Hc值。磁场产生装置组成十分灵活,使用非常方便,并且体积小,结构简单。使得测试磁场产生装置使用的范围大,被测材料的体积大,测试精度较高。(*该技术在2016年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
测试磁场产生装置,由磁化场产生部分和去磁磁场产生部分构成,磁化场产生部分由贮能、放电控制、磁化场形成、贮能电源泄保护电路组成,去磁磁场产生部分由剩余磁场讯号检测处理、指示及去磁电源控制、去磁磁场形成、去磁电源及泄放保护电路组成,其特征在于:    a、高灵敏度剩余磁场讯号检测及处理,是由2只剩余磁场检测传感器B↓[4]和讯号处理部分组成的RC-1磁通门以及由R↓[7]、R↓[8]、R↓[9]、R↓[10]、R↓[11]、N↓[1]组成的精密电平转换电路构成,磁通门灵敏度可达0.01μT以上,剩余磁场讯号经处理以后由N↓[1]输出;    b、有手动和自动控制的去磁磁场产生部分,它由R↓[22]...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:杨贤友
申请(专利权)人:杨贤友
类型:实用新型
国别省市:43[中国|湖南]

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