一种用于半导体晶片加工的研磨液的制备方法技术

本发明专利技术公开一种用于半导体晶片加工的研磨液的制备方法，涉及硬脆材料研磨抛光加工技术领域。本发明专利技术公开的用于半导体晶片加工的研磨液的制备方法，具体步骤为：将增稠剂、润湿剂、偶联剂、分散剂、润滑剂、消泡剂依次加入到溶剂中搅拌均匀，加入去离子水，搅拌均匀至形成均一流体，然后加入固体磨料，搅拌直至形成稳定均一的悬浮体系。本发明专利技术制备的研磨液悬浮性能稳定，加工过程中研磨剂不易沉底，可重复循环使用多次；流动性良好，不会出现结块现象，避免堵塞输液管道；表面润湿性和分散性俱佳，加工过程中研磨液分布均匀，避免加工界面产生划伤，提高加工良品率；易清洗，避免为后续加工过程引入杂质，研磨去除率高，提高加工效率。

【技术实现步骤摘要】
一种用于半导体晶片加工的研磨液的制备方法
本专利技术属于硬脆材料研磨抛光加工
，尤其涉及一种用于半导体晶片加工的研磨液及其制备方法。
技术介绍
近年来，伴随着我国经济的高速发展，移动通讯等电子产品崛起，智能商品市场呈爆发式增长，尤其是5G时代的到来，对各类半导体材料的需求不断增长。如单晶硅可用于计算机芯片，多晶硅可用于太阳能电池，砷化镓、磷化铟等可用于集成电路，单晶氧化铝可用于显示屏等。在半导体材料应用之前先要对其进行加工，而在半导体的研磨加工工艺中，研磨液起到至关重要的作用。在半导体晶片的加工过程中，研磨液能够使磨料均匀分散，提高加工效率，同时也具有润滑冷却以及保证后续容易清洗的效果，在晶片的加工过程中保证晶片表面质量。目前，半导体材料加工过程中的研磨液主要由大颗粒的碳化硼、碳化硅等作为研磨剂，加入一定量的分散剂及表面活性剂，以水稀释配比而成。其悬浮性能较差，研磨剂易沉淀，稳定性不足，且分散不均匀，对半导体晶片表面质量影响较大，良品率低，循环使用寿命短，加工成本较高。迫于半导体晶片加工精度要求苛刻的压力，目前一些企业使用美国进口本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于半导体晶片加工的研磨液的制备方法，其特征在于，包括以下具体步骤：/n(1)将增稠剂、润湿剂、偶联剂依次加入到溶剂中，控制搅拌转速在300～700转/分钟，温度为25～35℃，搅拌均匀即可；/n(2)将分散剂、润滑剂、消泡剂依次加入到溶剂中，控制搅拌转速在300～700转/分钟，温度为25～35℃，搅拌均匀即可；/n(3)将上述步骤(1)的溶液加入到步骤(2)的溶液，控制搅拌转速在300～700转/分钟，温度为25～35℃，搅拌均匀后，加入去离子水，控制搅拌转速在500～800转/分钟，搅拌均匀至形成均一流体；/n(4)将固体磨料加入到步骤(3)得到的溶液中，控制搅拌转速直至固体磨料...

【技术特征摘要】
1.一种用于半导体晶片加工的研磨液的制备方法，其特征在于，包括以下具体步骤：
(1)将增稠剂、润湿剂、偶联剂依次加入到溶剂中，控制搅拌转速在300～700转/分钟，温度为25～35℃，搅拌均匀即可；
(2)将分散剂、润滑剂、消泡剂依次加入到溶剂中，控制搅拌转速在300～700转/分钟，温度为25～35℃，搅拌均匀即可；
(3)将上述步骤(1)的溶液加入到步骤(2)的溶液，控制搅拌转速在300～700转/分钟，温度为25～35℃，搅拌均匀后，加入去离子水，控制搅拌转速在500～800转/分钟，搅拌均匀至形成均一流体；
(4)将固体磨料加入到步骤(3)得到的溶液中，控制搅拌转速直至固体磨料在溶液中均匀分散，形成稳定均一的悬浮体系，即为所需研磨液。


2.根据权利要求1所述的用于半导体晶片加工的研磨液的制备方法，其特征在于，所述研磨液的组分是由以下重量百分比组成：固体磨料20～30％，增稠剂10～20％，分散剂3～10％，润湿剂3～10％，润滑剂3～10％，偶联剂10～30％，消泡剂1～3％，溶剂10～50％和余量为去离子水。


3.根据权利要求1所述的用于半导体晶片加工的研磨液的制备方法，其特征在于，所述固体磨料为金刚石、碳化硼、碳化硅、氧化铝、氧化铬、氧化铈中的一种或几种。


4.根据权利要求1所述的用于半导体晶片加工的研磨液的制备方法，其特征在于，所述增稠剂为缔合型聚氨酯、黄原胶、琼脂、聚吡...

【专利技术属性】
技术研发人员：南振华，祁有丽，
申请(专利权)人：中科孚迪科技发展有限公司，
类型：发明
国别省市：湖南;43