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一种邻羟基-氮硅烷化合物及其合成方法技术

技术编号:26494503 阅读:32 留言:0更新日期:2020-11-27 15:19
本发明专利技术公开了一种邻羟基‑氮硅烷化合物及其合成方法,所述邻羟基‑氮硅烷化合物具有以下化学通式:

【技术实现步骤摘要】
一种邻羟基-氮硅烷化合物及其合成方法
本专利技术涉及有机化学
,具体涉及一种邻羟基-氮硅烷化合物及其合成方法。
技术介绍
有机硅化合物是各种有机反应中有价值的合成中间体,在材料科学中具有多种潜在用途。此外,最近文献中有越来越多的报道关于有机硅化合物作为治疗相关分子的应用,如阿米洛特,苯二甲酸,四氢异喹啉的含硅类似物,硅丙蛋白和TMS-丙氨酸在药物化学中的应用(J.Am.Chem.Soc.2009,131,8350-8351;Chem.Soc.Rev.2009,38,1002-1010;J.Med.Chem.2013,56,388-405)。由于有机硅类化合物具有潜在的生物活性,可以在抗血压、抗肿瘤、抗抑郁等领域作为潜在药物分子,因此引起人们的广泛关注,有机硅类化合物的制备方法也成为了研究的热点。近年来,使用贵金属钯等作为催化剂并通过碳-氢键硅基化的方式,可大大提高该类骨架化合物的合成效率,降低合成相关中间体的步骤,减少卤代烃等副产物的排放,是一种较好的有机硅类化合物的合成策略。但是,目前的合成方法中采用钯催化剂需要用到多种反应物参本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种邻羟基-氮硅烷化合物,其特征在于,具有以下化学通式:/n

【技术特征摘要】
1.一种邻羟基-氮硅烷化合物,其特征在于,具有以下化学通式:



式中,
Y1-Y9独立地选自于氢原子、卤素原子、C1-22烃基、C1-22卤代烷基、羟基、氨基、羰基、氨基、羧基、酯基、氰基、苯基、苄基或硝基;
R1选自于C1-22烷基。


2.根据权利要求1所述的邻羟基-氮硅烷化合物,其特征在于,式中,
所述Y1-Y9独立地选自于选自于C1-10烃基或C1-10卤代烷基;
R1选自于C1-10烷基。


3.根据权利要求1所述的邻羟基-氮硅烷化合物,其特征在于,式中,R1选自乙基。


4.根据权利要求1所述的邻羟基-氮硅烷化合物,其特征在于,式中,
Y6-Y8中,至少有两个同时为氢原子;
Y1-Y5中至少有2个同时为氢原子。


5.权利要求1至4任一项权利要求所述的邻羟基-氮硅烷化合物的合成方法,其特征在于,包括以下步骤:以如式II所示的亚水杨基苯胺化合物和式III所示的烷基硅化合物为反应原料,在钌催化剂和溶剂存在的条件下,通过加热条件反应得到如式I所示的邻羟基-氮硅烷化合物,反应式如下:

【专利技术属性】
技术研发人员:李滨林子睿黄小敏
申请(专利权)人:五邑大学
类型:发明
国别省市:广东;44

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