2,5－二氰基－3,6－二卤代吡嗪的制造方法技术

2,5－二氰基－3,6－二卤代吡嗪的制造方法。一种式(I)或式(II)所示的化合物。式(I)中的R

【技术实现步骤摘要】
2,5－二氰基－3,6－二卤代吡嗪的制造方法本案是申请日为2016年11月8日、申请号为201680060940.7(PCT/JP2016/083095)、专利技术名称为二氰基吡嗪化合物、发光材料、使用该发光材料的发光元件、以及2,5－二氰基－3,6－二卤代吡嗪的制造方法的专利申请的分案申请。
本专利技术涉及二氰基吡嗪化合物、发光材料、使用该发光材料的发光元件、以及2,5－二氰基－3,6－二卤代吡嗪的制造方法。本申请基于2015年11月10日在日本提出的特愿2015－220371号和2015年12月11日在日本提出的特愿2015－242690号主张优先权，在这里援引其内容。
技术介绍
包含具有供电子基团的二氰基吡嗪骨架的某些化合物作为电子传输材料、电荷产生材料、光学记录材料、光电转换材料、发光材料等有用。例如，专利文献1公开了一种有机固体荧光物质，其含有利用后分光方式的反射率测得的固体时的可见光区域的最大反射率为100％以上的式(1)所示的N,N,N′,N′－四(2－甲基苄基)－2,5－二氨基－3,6－吡嗪甲腈结晶。...

【技术保护点】
1.一种2,5－二氰基－3,6－二卤代吡嗪的制造方法，其特征在于：/n包括使2,5－二氰基－3,6－二氨基吡嗪在亚硝酸或亚硝酸盐的存在下、在溶剂中发生卤代反应的步骤。/n

【技术特征摘要】
20151110 JP 2015-220371;20151211 JP 2015-2426901.一种2,5－二氰基－3,6－二卤代吡嗪的制造方法，其特征在于：
包括使2,5－二氰基－3,6－二氨基吡嗪在亚硝酸或亚硝酸盐的存在下、在溶剂中发生卤代反应的步骤。


2.如权利要求1中任一项所述的制造方法，其特征在于：
还包括将卤代反应时的温度设定为30～60℃的步骤。
...

【专利技术属性】
技术研发人员：安田琢麿，朴仁燮，杨沑锡，住谷弘，福岛幸生，
申请(专利权)人：国立大学法人九州大学，日本曹达株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP