【技术实现步骤摘要】
一种不同形貌结构的CuO纳米晶材料的可控制备方法
本专利技术涉及CuO的制备方法领域，具体涉及一种不同形貌结构的CuO纳米晶材料的可控制备方法。
技术介绍
氧化铜，是一种p型半导体氧化物，具有窄带隙。普通的氧化铜主要用作陶瓷、搪瓷、玻璃的着色剂、颜料用来制造人造宝石、陶瓷釉彩、有色玻璃等，当氧化铜粉体大小达到纳米级后，由于其小尺寸效应、宏观量子隧道效应、表面效应、体积效应的影响，它将会显现出独特的性能，纳米氧化铜材料属于典型的金属氧化物半导体纳米材料，在气体传感器、锂电池电极材料、太阳能电池、催化反应、生物制药、环境处理等众多方面具有较好的应用。近年来，科研工作者积极探索合成不同形貌的氧化铜纳米材料，目前，纳米氧化铜的制备方法主要有微乳液法、水热合成法、相沉淀法、溶胶凝胶法、模板法、喷雾热解法、薄膜生长法、激光蒸凝法、电化学法等，制备出的结构包括纳米线、纳米花、纳米片、纳米棒、纳米薄膜等。现有技术中，中国专利(申请号：201910765545.4，专利名称：一种片状纳米氧化铜的制备方法及其应用，公开号...
【技术保护点】
1.一种不同形貌结构的CuO纳米晶材料的可控制备方法，其特征在于，包含如下步骤：/nS1，配制CuSO
【技术特征摘要】
1.一种不同形貌结构的CuO纳米晶材料的可控制备方法，其特征在于，包含如下步骤：
S1，配制CuSO4电解液：将五水合硫酸铜晶体、NaCl固体、明胶固体溶解在蒸馏水中，搅拌均匀，得到CuSO4电解液；
S2，制作生长基底：将圆铜片退火处理，然后进行超声处理，得到圆铜片生长基底；
S3，制备CuO纳米晶：准备电解反应池，电解反应池由培养皿、三维移动平台、精密探针、直流电源组成，开始电解过程，将步骤S1得到的CuSO4电解液倒入培养皿中，将步骤S2得到的生长基底置于CuSO4电解液中，通过三维移动平台将精密探针正对生长基底中心垂直插入电解液并距生长基底一段距离，将直流电源的阳极与生长基底连接，阴极与精密探针连接，通电一段时间后得到上表面生长出CuO纳米晶的生长基底；
S4，后处理：将步骤S3得到的生长出CuO纳米晶的生长基底用清洗剂进行清洗，干燥后即得所述的CuO纳米晶材料。
2.如权利要求1所述的不同形貌结构的CuO纳米晶材料的可控制备方法，其特征在于：所述步骤S1中CuSO4电解液中各成分的浓度为：五水合硫酸铜的浓度范围为50g/L～150g/L、NaCl的浓度范围为5g/L～15g/L、明胶的浓度范围为12g/L～16g/L。
3.如权利要求1所述的不...
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