具有交变激励场的传感器设备制造技术

本发明专利技术涉及一种磁传感器设备，所述磁传感器设备包括用于产生磁激励场的激励导线（１１，１３）以及用于感测由标记粒子反应于所述激励场而产生的磁场的磁传感器元件，特别是ＧＭＲ传感器（１２）。磁激励场产生为非正弦形式，特别是方波形式，以便其谱范围包括多个频率分量。然后，可以根据具有不同磁响应特性的磁性粒子对所述激励场的不同频率分量的反应来区分这些粒子。优选地，在环形调制器（２２，２４）的帮助下产生所述磁激励场以及驱动所述ＧＭＲ传感器（１２）的感测电流。而且，环形调制器（２７，２９）可以用于解调所述传感器信号。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种包括至少一个磁场发生器、至少一个相关联的磁传感 器元件以及相关联的电源单元的磁传感器设备。而且，本专利技术涉及这种磁 传感器设备的使用以及一种用于检测具有不同磁属性的磁化粒子的方法。
技术介绍
WO 2005/010543 Al和WO 2005/010542 A2中公开了一种微传感器设备， 举例来讲，其可以在用于检测分子，例如用磁珠标记的生物分子，的微流 体生物传感器中得到使用。该微传感器设备设置有传感器阵列，其包括用 于产生交变正弦磁场的导线以及用于检测由磁化的、固定不动的珠产生的 杂散场的巨磁阻(GMR)。然后，GMR的信号指示传感器附近珠的数量。使用前述类型的磁传感器设备进行测量的问题是，磁珠的磁属性可能 会被分散，从而磁化珠的数量与磁响应之间并不具有确定的关系。结果， 传感器的精度会降低。
技术实现思路
基于此种情况，本专利技术的目的在于提供一种用于精确检测具有不同磁 属性的磁性粒子的装置。所述目的通过根据权利要求1所述的磁传感器设备、根据权利要求22 所述的方法以及根据权利要求27的应用来实现。从属权利要求中公开了优 选的实施例。根据本专利技术的磁传感器设备本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于检测磁化粒子（２，２’，２”）的磁传感器设备（１０），包括：　至少一个磁场发生器（１１，１３），用于产生磁激励场（Ｂ）；　至少一个相关联的磁传感器元件（１２），用于记录由所述粒子（２，２’，２”）反应于所述激励场（Ｂ）而产生的磁反应场（Ｂ’）；　激励电源单元，用于向所述磁场发生器（１１，１３）提供包括至少两个谱分量的激励电流（Ｉ↓［１］）。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：JAHM卡尔曼，AHJ伊明克，H杜里克，AJM范图伊吉勒，E坎塔托雷，HJ贝格维尔德，
申请(专利权)人：皇家飞利浦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]