表面处理铜箔、覆铜积层板及印刷配线板制造技术

本发明专利技术是一种表面处理铜箔1，其具有：铜箔2及形成于铜箔2的一面的第一表面处理层3。该表面处理铜箔1的第一表面处理层3于XPS的纵深分析中，以溅镀速率2.5nm/分钟(SiO

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】表面处理铜箔、覆铜积层板及印刷配线板
本专利技术涉及一种表面处理铜箔、覆铜积层板及印刷配线板。
技术介绍
近年来，随着电子机器的小型化、高性能化等需求的增多，对搭载于电子机器的印刷配线板要求电路图案(也称为“导体图案”)的微间距化(微细化)。作为印刷配线板的制造方法，已知有减成法、半加成法等各种方法。其中，于减成法中，在使绝缘基材附着于铜箔而形成覆铜积层板后，于铜箔表面涂布抗蚀剂并进行曝光而形成特定的抗蚀剂图案，利用蚀刻去除未形成抗蚀剂图案的部分(无用部)，由此形成电路图案。针对上述微间距化的要求，例如专利文献1中记载有于对铜箔的表面进行利用铜-钴-镍合金镀覆的粗化处理后，形成钴-镍合金镀层，进而形成锌-镍合金镀层，由此可获得能够实现电路图案的微间距化的表面处理铜箔。
技术介绍
文献专利文献专利文献1：日本专利第2849059号公报。
技术实现思路
[专利技术所欲解决的课题]然而，现有的表面处理铜箔由于表面处理层(镀层)的蚀刻速度慢于铜箔的蚀刻速度，故而被蚀刻为自铜箔表面(本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种表面处理铜箔，其具有：铜箔、及形成于所述铜箔的一面的第一表面处理层，且/n所述第一表面处理层于XPS的纵深分析中，以溅镀速率2.5nm/分钟(SiO

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180427 JP 2018-087551;20180427 JP 2018-087554;201.一种表面处理铜箔，其具有：铜箔、及形成于所述铜箔的一面的第一表面处理层，且
所述第一表面处理层于XPS的纵深分析中，以溅镀速率2.5nm/分钟(SiO2换算)进行1分钟溅镀时，相对于C、N、O、Zn、Cr、Ni、Co、Si及Cu的元素的合计量的Ni浓度为0.1～15.0atm％。


2.如权利要求1所述的表面处理铜箔，其中，所述Ni浓度为1.0～3.5atm％。


3.如权利要求1或2所述的表面处理铜箔，其中，所述第一表面处理层于XPS的纵深分析中，以溅镀速率2.5nm/分钟(SiO2换算)进行1分钟溅镀时，相对于C、N、O、Zn、Cr、Ni、Co、Si及Cu的元素的合计量的Zn浓度为5.0～40.0atm％。


4.如权利要求3所述的表面处理铜箔，其中，所述Zn浓度为10.0～30.0atm％。


5.如权利要求1至4中任一项所述的表面处理铜箔，其中，所述第一表面处理层于XPS的纵深分析中，以溅镀速率2.5nm/分钟(SiO2换算)进行溅镀时，1分钟～2分钟间的相对于C、N、O、Zn、Cr、Ni、Co、Si及Cu的元素的合计量的Ni浓度的积分值为0.1～18.0atm％。


6.如权利要求1至5中任一项所述的表面处理铜箔，其中，所述第一表面处理层于XPS的纵深分析中，以溅镀速率2.5nm/分钟(SiO2换算)进行溅镀时，1分钟～2分钟间的相对于C、N、O、Zn、Cr、Ni、Co、Si及Cu的元素的合计量的Zn浓度的积分值为5.0～40.0atm％。


7.如权利要求1至6中任一...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫本宣明，三木敦史，
申请(专利权)人：JX金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP