【技术实现步骤摘要】
应用于微波毫米波的低相移宽带数控衰减器
本专利技术涉及集成电路制造
，具体涉及应用于微波毫米波的低相移宽带数控衰减器。
技术介绍
在微波毫米波电路领域，数控衰减器有着非常广泛的应用。数控衰减器可以实现对射频信号幅度的控制，其最典型的应用为相控阵雷达T/R(发射/接收)组件中的数控衰减器。数控衰减器通常由几个固定衰减量的基本数控衰减器级联组成，通过改变每个衰减器的控制电压来实现每个衰减器的导通与衰减。衡量数控衰减器性能的主要技术指标有：工作频率、衰减位数、衰减精度、附加相移、输入输出驻波等。在微波毫米波频段，随着频率的升高，电路中各元件的寄生效应越来越明显，数控衰减器的附加相移会越来越恶化，实现低附加相移是目前数控衰减器的重点和难点。数控衰减器的附加相移直接由每一位基本数控衰减器的附加相移所决定，对于一个5位或6位数控衰减器来说，若要求数控衰减器的全态附加相移在±4°以内，则每个基本数控衰减器的附加相移一般需要在±1°以内。传统的数控衰减器包括T型衰减器和π型衰减器，当传统的数控衰减器工作在高频时，晶体管上的寄生...
【技术保护点】
1.应用于微波毫米波的低相移宽带数控衰减器，其特征在于，包括衰减电路、传输线TL1、传输线TL2、晶体管FET3、传输线TL5、传输线TL6及电阻R4，所述衰减电路包括相位调节支路Ⅰ、相位调节支路Ⅱ、衰减精度调节支路，所述传输线TL1的一端与传输线TL2连接，所述传输线TL1的另一端为数控衰减器信号输入端，所述晶体管FET3的源极与传输线TL2相对连接传输线TL1端的另一端连接，所述晶体管FET3的栅极与电阻R4连接，所述传输线TL5的两端分别与晶体管FET3的漏极和传输线TL6连接，所述传输线TL6相对连接传输线TL5端的另一端为数控衰减器输出端，所述电阻R4相对连接晶体...
【技术特征摘要】
1.应用于微波毫米波的低相移宽带数控衰减器，其特征在于，包括衰减电路、传输线TL1、传输线TL2、晶体管FET3、传输线TL5、传输线TL6及电阻R4，所述衰减电路包括相位调节支路Ⅰ、相位调节支路Ⅱ、衰减精度调节支路，所述传输线TL1的一端与传输线TL2连接，所述传输线TL1的另一端为数控衰减器信号输入端，所述晶体管FET3的源极与传输线TL2相对连接传输线TL1端的另一端连接，所述晶体管FET3的栅极与电阻R4连接，所述传输线TL5的两端分别与晶体管FET3的漏极和传输线TL6连接，所述传输线TL6相对连接传输线TL5端的另一端为数控衰减器输出端，所述电阻R4相对连接晶体管FET3端的另一端为外接控制电压输入端B；所述相位调节支路Ⅰ连接于传输线TL1与传输线TL2之间的连接线路上，并外接控制电压输入端A，相位调节支路Ⅰ用于对数控衰减器输入信号的相位进行调节；所述相位调节支路Ⅱ连接于传输线TL5与传输线TL6之间的连接线路上，并外接控制电压输入端A，相位调节支路Ⅱ用于对相位调节支路Ⅰ输出信号的相位进行调节；所述衰减精度调节支路连接于传输线TL2与晶体管FET3之间的连接线路以及传输线TL5与晶体管FET3之间的连接线路上，衰减精度调节支路用于对数控衰减器的衰减精度进行调节；所述数控衰减器通过输入的控制电压A和控制电压B输入高低电压的切换来实现直通状态与衰减状态的切换。
2.根据权利要求1所述的应用于微波毫米波的低相移宽带数控衰减器，其特征在于，所述相位调节支路Ⅰ包括晶体管FET1、电阻R1及电容C1，所述晶体管FET1的源极连接在传输线TL1和传输线TL2之间的连接线路上，且其栅极与电阻R1连接，所述电阻R1相对连接晶体管FET1端的另一端为控制电压的输入端A，所述晶体管FET1的漏极与电容C1连接，所述电容C1相对连接晶体管FET1端的另一端接地。
3.根据权利要求2所述的应用于微波毫米波的低相移宽带数控衰减器，其特征在于，所述相位调节支路Ⅱ包括晶体管FET5、电阻R8及电容C2，所述晶体管FET5的源极连接在传输线TL5和传输线TL6之间的连接线路上，且其栅极与电阻R8连接，所述电阻R8相对连接晶体管FET5端的另一端为控制电压的输入端A，所述晶体管FET5的漏极与电容C2连接，所述电容C2相对连接晶体管FET5端的另一端接地。
4.根据权利要求2所述的应用于微波毫米波的低相移宽带数控衰减器，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：成都芯川电子有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51
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