【技术实现步骤摘要】
超宽带高精度差分衰减器
本专利技术涉及电子电路设计
，特别是涉及一种超宽带高精度差分衰减器。
技术介绍
近年来，新一代通信技术取得了快速发展，基于sub-6GHz频段的通信已经不能满足日益增长的带宽需求，因而基于6GHz以上的高频通信，如毫米波5G通信、宽带卫星通信等成为备受关注的发展方向。尽管高频通信可以提供大的带宽，但其存在的高损耗、低覆盖率的问题仍待解决。相控阵技术可以有效地弥补高频通信的高损耗、提升高频通信的覆盖能力，因而被广泛地使用于高频通信系统。通过多天线阵列和波束赋形技术，相控阵系统可以实现更高的输出功率以克服传播损耗；同时，可以根据用户的实时需求，调整波束的指向，提供灵活的信号覆盖。相控阵系统的每个阵元需要一个幅度控制模块，一方面用来补偿各通道间的幅度偏差，另一方面用于波束赋形，以降低合成波束的旁瓣。典型的幅度控制模块有可变增益放大器和衰减器，其中可变增益放大器能够在调幅的同时提供一定的增益，但需消耗直流功率；相比之下，衰减器无直流功耗，是实现低功耗调幅的优选方案。开关型衰减器主要由晶体...
【技术保护点】
1.一种超宽带高精度差分衰减器，其特征在于包括依次连接的第一差分8dB衰减单元、差分0.5dB衰减单元、差分4dB衰减单元、第二差分8dB衰减单元、差分2dB衰减单元、差分1dB衰减单元和第三差分8dB衰减单元，所述的各差分衰减单元均由上下两个单端半电路以中心轴H对称构成。/n
【技术特征摘要】
1.一种超宽带高精度差分衰减器，其特征在于包括依次连接的第一差分8dB衰减单元、差分0.5dB衰减单元、差分4dB衰减单元、第二差分8dB衰减单元、差分2dB衰减单元、差分1dB衰减单元和第三差分8dB衰减单元，所述的各差分衰减单元均由上下两个单端半电路以中心轴H对称构成。
2.根据权利要求1所述的超宽带高精度差分衰减器，其特征在于：所述差分0.5dB衰减单元和差分1dB衰减单元采用差分简化式T型结构，差分2dB衰减单元和差分4dB衰减单元采用差分电容补偿式T型结构，第一差分8dB衰减单元、第二差分8dB衰减单元和第三差分8dB衰减单元采用差分电容补偿式Π型结构。
3.根据权利要求1所述的超宽带高精度差分衰减器，其特征在于：所述第一差分8dB衰减单元、差分0.5dB衰减单元、差分4dB衰减单元、第二差分8dB衰减单元、差分2dB衰减单元、差分1dB衰减单元和第三差分8dB衰减单元包括上侧衰减单元(100、200、300、400、500、600、700)和下侧衰减单元(110、210、310、410、510、610、710)。
4.根据权利要求1所述的超宽带高精度差分衰减器，其特征在于：第一差分8dB衰减单元(100、110)、第二差分8dB衰减单元(400、410)和第三差分8dB衰减单元(700、710)的器件尺寸相同，所述第一差分8dB衰减单元(100、110)和第三差分8dB衰减单元(700、710)使用相同的控制信号。
5.根据权利要求2所述的超宽带高精度差分衰减器，其特征在于：所述差分简化式T型结构由两个相同的单端简化式T型结构构成，其单端半电路(200、600)由第一晶体管(201、601)和第一电阻(202、602)组成，其中：第一晶体管(201、601)的栅极接数字控制电压，漏极接第一电阻(202、602)的一端，源极与另一单端半电路(210、610)相接；第一电阻(202、602)的另一端连接于信号通路上。
6.根据权利要求2所述的超宽带高精度差分衰减器，其特征在于：所述差分电容补偿式T型结构由两个相同的单端电容补偿式T型结构构成，其单端半电路(300、500)由第二晶体管(301、501)、第二电阻(303、503)、第一电容(302、502)、第三电阻(304、504)、第四电阻(305、505)及第三晶体管(306、506)组成，其中：第二电阻(303、503)和第一电容(302、502)并联，第二晶体管(301、501)的栅极接数字控制电压，漏极接第二电阻(303、503)和第一电容(302、502)的一个公共端，源极与另一单端半电路(310、510)相接；第二电阻(303、503)和第一电...
【专利技术属性】
技术研发人员：尤肖虎，赵涤燹，顾鹏，张成军，
申请(专利权)人：成都天锐星通科技有限公司，东南大学，
类型：发明
国别省市：四川;51
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