一种基于EEPROM调修的温度补偿晶体振荡器制造技术

本发明专利技术提供一种基于EEPROM调修的温度补偿晶体振荡器，包括数字逻辑控制单元和信号发生单元；信号发生单元通过电荷泵连接有高压控制单元，信号发生单元与高压控制单元连接，用于为电荷泵和高压控制单元提供时钟信号；数字逻辑控制单元连接有EEPROM寄存器，高压控制单元与EEPROM寄存器连接；EEPROM寄存器连接有ROM寄存器；数字逻辑控制单元分别与信号发生单元、电荷泵和高压控制单元连接；提升温度补偿晶体振荡器的擦写功能、读可靠性，降低整系统功耗。可有效解决：温度补偿晶体振荡器电路设计中补偿压差、功耗高、可靠性差等问题。

【技术实现步骤摘要】
一种基于EEPROM调修的温度补偿晶体振荡器
本专利技术涉及晶体振荡器设计
，具体涉及一种基于EEPROM调修的温度补偿晶体振荡器。
技术介绍
温度补偿晶体振荡器(TCCO)具有中精度频率稳定度、体积小、功耗低、可靠性高等优势，目前广泛应用于各个行业当中。TCCO一般采用模拟和数字两种补偿方式，其中采用模拟方式实现的集成度高、电路规模较小，且伴随补偿算法等技术的提升，其方式可以达到较高精度。但是由于石英晶体切角偏差、芯片制造工艺的偏差等，模拟补偿TCCO方式中一般会有调修寄存器对其进行补偿电压调修，用来提升精度和稳定度。传统的TCCO实现方式是通过其内的压控晶体振荡器电路和补偿电压发生电路来实现的。其中压控晶体振荡电路包含压控电容，使晶体两端的并联负载电容可随电压变化而改变容值，进而达到对输出频率的影响；而补偿电压发生电路产生所的补偿电压(温度偏移补偿电压和老化特性补偿电压)，通过补偿电压的改变来使输出频率不因温度变化而变化。目前现有方案由于晶体切角偏差，不同批次石英晶体的补偿电压存在各异偏差；其余由于制造工艺偏差，实际上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于EEPROM调修的温度补偿晶体振荡器,其特征在于,包括数字逻辑控制单元和信号发生单元；/n信号发生单元通过电荷泵连接有高压控制单元，信号发生单元与高压控制单元连接，用于为电荷泵和高压控制单元提供时钟信号；/n数字逻辑控制单元连接有EEPROM寄存器，高压控制单元与EEPROM寄存器连接；EEPROM寄存器连接有ROM寄存器；/n数字逻辑控制单元分别与信号发生单元、电荷泵和高压控制单元连接；/n数字控制逻辑单元，根据输入信号产生地址信号和控制信号；/nEEPROM寄存器，用于存储调修数据，通过校验比对存储数据的不同来消除补偿电压的偏差；/n电荷泵，用于产生EEPROM寄存器擦写操作所...

【技术特征摘要】
1.一种基于EEPROM调修的温度补偿晶体振荡器,其特征在于,包括数字逻辑控制单元和信号发生单元；
信号发生单元通过电荷泵连接有高压控制单元，信号发生单元与高压控制单元连接，用于为电荷泵和高压控制单元提供时钟信号；
数字逻辑控制单元连接有EEPROM寄存器，高压控制单元与EEPROM寄存器连接；EEPROM寄存器连接有ROM寄存器；
数字逻辑控制单元分别与信号发生单元、电荷泵和高压控制单元连接；
数字控制逻辑单元，根据输入信号产生地址信号和控制信号；
EEPROM寄存器，用于存储调修数据，通过校验比对存储数据的不同来消除补偿电压的偏差；
电荷泵，用于产生EEPROM寄存器擦写操作所需的高电压并通过高压控制电路输出控制信号来控制EEPROM寄存器工作模式；
ROM寄存器，用于接收EEPROM寄存器输出的调修数据，并将调修数据源转成模拟量实现补偿电压的调修。


2.根据权利要求1所述的一种基于EEPROM调修的温度补偿晶体振荡器,其特征在于,信号发生单元为环形振荡器，环形振荡器，用于为电荷泵和高压控制单元提供两相非重叠的时钟信号。


3.根据权利要求1所述的一种基于EEPROM调修的温度补偿晶体振荡器,其特征在于,高压控制单元数量为若干个，电荷泵分别与每个高压控制单元连接；每个高压控制单元分别与EEPROM寄存器连接。


4.根据权利要求2所述的一种基于EEPROM调修的温度补偿晶体振荡器,其特征在于,高压控制单元包括逻辑模块和输出控制模块；
逻辑模块的输入端与数字逻辑控制单元连接，逻辑模块的输出端与输出控制模块连接；
电荷泵的输入端与输出控制模块连接；环形振荡器的输出端与输出控制模块连接；逻辑模块和输出控制模块分别与EEPROM寄存器连接。


5.根据权利要求4所述的一种基于EEPROM调修的温度补偿晶体振荡器,其特征在于,逻辑模块包括第一或非门和第二或非门；
数字逻辑控制单元的控制信号分别与第一或非门和第二或非门的第一输入端连接，数字逻辑控制单元的地址信号与第一或非门的第二输入端连接，数字逻辑控制单元的地址信号还通过第一非门与第二或非门的第二输入端连接；
第一或非门的输出端为逻辑模块的第一输出端与输出控制模块连接，第一或非门的输出端与第二非门连接，第二非门的输出端为逻辑模块第二输出端与输出控制模块连接；
第二或非门的输出端为逻辑模块的第三输出端与输出控制模块连接，第二或非门的输出端与第三非门连接，第三非门的输出端为逻辑模块的第四输出端与输出控制模块连接。


6.根据权利要求5所述的一种基于EEPROM调修的温度补偿晶体振荡器,其特征在于,输出控制模块包括晶体管M201和晶体管M202；
晶体管M201的栅极与逻辑模块的第二输出端连接，晶体管M201的漏极和晶体管M202的漏极连接有晶体管M213的源极，晶体管M213的栅极连接有晶体管M214的漏极，晶体管M213的漏极与晶体管M214的栅极连接，晶体管M214的源极连接有晶体管M203的漏极，晶体管M203的栅极与晶体管M202的栅极连接，晶体管M203的漏极还连接有晶体管M204的漏极，晶体管M204的栅极与逻辑模块的第二输出端连接；
晶体管M213的漏极连接有晶体管M218的漏极，晶体管M218的栅极连接到逻辑模块的第一输出端，晶体管M218的源极连接有电源VDD；晶体管M218的漏极还连接有晶体管M222的源极，晶体管M222的源极和晶体管M218的漏极均连接到环形振荡器的第一输出端；晶体管M222的漏极连接有晶体管M228的源极，晶体管M228的栅极连接到逻辑模块的第二输出端，晶体管M228的基极连接有晶体管M229的基极，晶体管M229的源极连接有晶体管M223的漏极，晶体管M223的源极连接有晶体管M219的漏极,晶体管M219的栅极连接到逻辑模块的第一输出端，晶体管M219的漏极还与晶体管M214的漏极连接并且连接点连接到环形振荡器的第二输出端；晶体管M214的漏极还连接有晶体管M205的栅极，晶体管M205的漏极连接有晶体管M206的漏极，晶体管M206的栅极连接到逻辑模块的第二输出端，晶体管M206的漏极连接有晶体管M224的源极，且连接点为输出控制模块的第一输出端；晶体管M224的漏极连接有晶体管M230的源极，晶体管M230的栅极连接到晶体管M229的栅极；晶体管M201的源极分别与晶体管M204的源极和晶体管M206的源极连接；
晶体管M201的源极还连接有晶体管M207的源极、晶体管M210的源极和晶体管M212的源极；晶体管M207的栅极与逻辑模块的第四输出端连接，晶体管M207的漏极连接有晶体管M208的漏极和晶体管M215的源极，晶体管M208的栅极连接有晶体管M209的栅极，晶体管M209的漏极与晶体管M210的漏极连接，且连接点连接有晶体管M216的源极，晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：张明哲，
申请(专利权)人：苏州浪潮智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32