一种晶体驱动电路制造技术

本发明专利技术公开了一种晶体驱动电路，涉及集成电路技术领域。该晶体驱动电路包括启动子电路、稳压器子电路、振荡器子电路和输出子电路，所述启动子电路连接于所述稳压器子电路并为所述稳压器子电路提供启动电压，所述稳压器子电路连接于所述振荡器子电路以稳定所述振荡器子电路的振幅，所述振荡器子电路连接于输出子电路；所述振荡器子电路包括晶体，所述晶体的一端连接有第一电容、另一端连接有第二电容和第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏极连接于所述稳压器子电路、源极连接于所述第一电容和所述第二电容、栅极连接于稳压器子电路。本发明专利技术技术方案为晶体提供驱动，并可稳定晶体两端的震荡幅值。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体驱动电路
本专利技术涉及集成电路
，特别是涉及一种晶体驱动电路。
技术介绍
晶体驱动器自上世纪20年代问世以来，其理论研究与制造水平都得到了飞速发展，各项性能指标显著提升。作为一种是时钟频率源，与其他类型的振荡器相比，晶体振荡器以其优异的Q值、频率精度、稳定度等，广泛应用于军工以及民用消费电子领域。而在集成电路领域，为了使晶体频率信号有效、合理地传输至芯片核心，IO接口集成电路地作用至关重要。随着对晶体驱动电路要求越来越高，低电源供电成为趋势，尤其低至单节干电池供电更是设计现有结构的瓶颈。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种晶体驱动电路，旨在为晶体提供单节干电池供电的驱动电路。为实现上述目的，本专利技术提供一种晶体驱动电路，所述驱动电路包括启动子电路、稳压器子电路、振荡器子电路和输出子电路，所述启动子电路连接于所述稳压器子电路并为所述稳压器子电路提供启动电压，所述稳压器子电路连接于所述振荡器子电路以稳定所述振荡器子电路的振幅，所述振荡器子电路连接于输出子电路；所述振荡器子电路包括晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体驱动电路，其特征在于，所述驱动电路包括启动子电路、稳压器子电路、振荡器子电路和输出子电路，所述启动子电路连接于所述稳压器子电路并为所述稳压器子电路提供启动电压，所述稳压器子电路连接于所述振荡器子电路以稳定所述振荡器子电路的振幅，所述振荡器子电路连接于输出子电路；/n所述振荡器子电路包括晶体，所述晶体的一端连接有第一电容、另一端连接有第二电容和第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏极连接于所述稳压器子电路、源极连接于所述第一电容和所述第二电容、栅极连接于稳压器子电路。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶体驱动电路，其特征在于，所述驱动电路包括启动子电路、稳压器子电路、振荡器子电路和输出子电路，所述启动子电路连接于所述稳压器子电路并为所述稳压器子电路提供启动电压，所述稳压器子电路连接于所述振荡器子电路以稳定所述振荡器子电路的振幅，所述振荡器子电路连接于输出子电路；
所述振荡器子电路包括晶体，所述晶体的一端连接有第一电容、另一端连接有第二电容和第一NMOS管，所述第一NMOS管的漏极连接于所述稳压器子电路、源极连接于所述第一电容和所述第二电容、栅极连接于稳压器子电路。


2.根据权利要求1所述的晶体驱动电路，其特征在于，所述稳压器子电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管和第三电容、第四电容、第五电容和第六电容，所述第一PMOS管分别连接于电源和第二PMOS管，所述第三PMOS管通过第三电容连接于所述振荡器子电路中的所述第一NMOS管，所述第四PMOS管通过第四电容连接于电源，所述第五PMOS管连接于第四PMOS管、并通过第五电容连接于电源，所述第六PMOS管连接于所述第五PMOS管和第六电容、并通过第一电阻连接于电源。


3.根据权利要求2所述的晶体驱动电路，其特征在于，所述第一PMOS管的源极连接于电源、栅极和漏极连接于第二PMOS管的源极；所述第二PMOS管的漏极连接有第二NMOS管、栅极连接于第四PMOS管和第五PMOS管的栅极；所述第三PMOS管的栅极连接于所述第三电容的一端、源极连接于电源、漏极连接有第三NMOS管，所述第三电容的另一端连接于所述第一NMOS管的栅极；所述第四PMOS管的源极连接于所述第五PMOS管的漏极、漏极连接于所述第四电容；所述第五PMOS管的源极连接于所述第五电容、漏极连接于所述第六电容和所述第六PMOS管的栅极；所述第六PMOS管的源极连接于所述第一电阻、漏极连接有第四NMOS管。


4.根据权利要求3所述的晶体驱动电路，其特征在于，所述第二NMOS管的漏极连接于所述第二PMOS管的漏极和栅极、源极接地、栅极连接于所述第三NMOS管和所述第四NMOS管的栅极并同时连...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋登明，
申请(专利权)人：成都锐成芯微科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51