一种修复PERC电池激光开膜损伤的方法技术

本发明专利技术提供一种修复PERC电池激光开膜损伤的方法，包括对P型单晶硅片的正面和反面进行制绒且在正面和/或反面进行磷扩散形成磷掺杂面；使用激光器对P型单晶硅片的正面进行局域掺杂制作选择性发射极；经过背面刻蚀、热氧化、在背面沉积氧化铝与氮化硅叠层或氮化硅与氮氧化硅叠层和在正面沉积钝化减反射层，进行激光开膜和损伤修复，实现损伤区域的固相外延生长，使晶硅重新结晶恢复有序排列。本发明专利技术无需通过热处理设备，节约处理时长和能源成本，对膜层下硅衬底的损伤进行高效修复，进而提高PERC太阳能电池的转换效率。

【技术实现步骤摘要】
一种修复PERC电池激光开膜损伤的方法
本专利技术涉及太阳能电池领域，特别涉及一种修复PERC电池激光开膜损伤的方法。
技术介绍
PERC电池，背面采用氧化铝/氮化硅的叠层或是氮化硅/氮氧化硅的叠层钝化结构。这些叠层结构都无法被铝浆在高温下烧穿形成良好的接触，必须使用激光将膜层消融，打开铝浆与硅基底的接触通道。在激光开膜的过程中，激光消融膜层后，不可避免的会造成膜层下硅衬底的损伤。现在采用的办法多为使用额外的高温热处理设备。例如，CN110676346A公开了一种PERC电池激光开槽的制作方法，使用激光开槽设备按照特定图形在硅片背面进行开槽，通过二氧化硅膜层的钝化作用对激光开槽处硅片损伤层进行表面钝化，消除激光开槽处由于硅片损伤导致的载流子复合，从而提升最终电池电池片的光电转换效率。采用的高温热处理设备为热氧化机台炉管内加热，炉管内温度650-750℃。CN110739366A专利技术公开了一种修复PERC太阳能电池背膜激光开槽损伤的方法，其在背面开槽之后，将硅片置入热处理设备，所述热处理设备包括高温激活区和低温修复区，所述硅片本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种修复PERC电池激光开膜损伤的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：/nS1、对P型单晶硅片的正面和反面进行制绒，制备出金字塔形状的绒面结构：/nS2、在所述P型单晶硅片的正面和/或反面进行磷扩散形成磷掺杂面；/nS3、使用激光器对P型单晶硅片的正面进行局域掺杂，形成PN结作为选择性发射极；激光掺杂后方阻为60-100Ω；/nS4、用酸或减溶液对P型单晶硅片进行清洗和背面刻蚀，去除背面扩散层和侧面导电通道；/nS5、在管式热氧化炉中对P型单晶硅片进行热氧化；/nS6、在背面沉积氧化铝与氮化硅叠层或氮化硅与氮氧化硅叠层；/nS7、在正面沉积钝化减反射层；/nS8、激光开膜和损伤修复：使...

【技术特征摘要】
1.一种修复PERC电池激光开膜损伤的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
S1、对P型单晶硅片的正面和反面进行制绒，制备出金字塔形状的绒面结构：
S2、在所述P型单晶硅片的正面和/或反面进行磷扩散形成磷掺杂面；
S3、使用激光器对P型单晶硅片的正面进行局域掺杂，形成PN结作为选择性发射极；激光掺杂后方阻为60-100Ω；
S4、用酸或减溶液对P型单晶硅片进行清洗和背面刻蚀，去除背面扩散层和侧面导电通道；
S5、在管式热氧化炉中对P型单晶硅片进行热氧化；
S6、在背面沉积氧化铝与氮化硅叠层或氮化硅与氮氧化硅叠层；
S7、在正面沉积钝化减反射层；
S8、激光开膜和损伤修复：使用第一激光器开膜后，在旋转台面的下一个工位，使用第二激光器对开膜后的损伤区域进行扫描，实现损伤区域的固相外延生长，使晶硅重新结晶恢复有序排列；
S9、在背面印刷第一电极和电场，在正面印刷第二电极。


2.根据权利要求1所述的修复PERC电池激光开膜损伤的方法，其特征在于，在步骤S2中单面或双面磷扩散的工艺条件为在管式磷扩散炉中温度为500-900℃，通入三氯氧磷、干氧、氮气等气体进行扩散，扩散后方块电阻为80-200Ω，掺杂层厚度为0.2-1um。


3.根据权利要求1所述的修复PERC电池激光开膜损伤的方法，其特征在于，步骤S5中热氧化的具体条件为在管式热氧化炉中温度为500-800℃，通入干氧、氮气等气体进行热氧化，氧化层厚度为1-30nm。


4.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：符欣，魏青竹，倪志春，赵保星，连维飞，
申请(专利权)人：苏州腾晖光伏技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32