【技术实现步骤摘要】
一种钝化接触电池的制备方法
本专利技术涉及一种钝化接触电池的制备方法。
技术介绍
在晶硅太阳电池制造技术中，随着技术进步，硅片质量逐步提升，硅片表面钝化效果和金属化接触区域的复合逐渐成为限制太阳电池转换效率的主要瓶颈。近年来基于非晶硅的钝化接触电池技术成为有效降低电池表面复合和接触复合的技术手段。典型的钝化接触电池包含HJT（异质结技术）电池以及演变而来的TOPCon（超薄隧穿氧化层钝化接触）电池等已被广泛研究。HJT电池和TOPCon电池存在一些问题：1、HJT电池正面也采用钝化接触技术，但HJT电池正面多晶硅层吸光系数高，限制电池太阳光的吸收率。2、HJT电池在高温下多晶硅层稳定性差，导致钝化效果下降；只能选择低温金属化方案从而引入新的技术问题。3、TOPCon电池正面没有使用钝化接触技术化不存在电池正面吸光问题，但是电池正面金属化区域的复合问题没有得到有效解决。为解决上述问题，出现一种新的钝化接触太阳电池的制备方法，其采用掩膜腐蚀的方法，制备出局部覆盖（正面金属接触区域下方覆盖）...
【技术保护点】
1.一种钝化接触电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/n1）选取硅片：根据电池类型性选择相对应的硅片；/n2）制绒：对硅片进行制绒，在硅片表面形成陷光结构；/n3）制备硅片正面发射极；/n4）去除硅片表面氧化物：通过酸洗，将硅片表面在制作正面发射极过程中形成的氧化物去除；/n5）制备超薄氧化层：在正面发射极表面制备超薄氧化层；/n6）沉积重掺杂非晶硅：通过激光转印，在硅片正面局部沉积重掺杂非晶硅，重掺杂非晶硅的沉积区域与电池正面电极图形相对应；/n7）非晶硅退火：将硅片正面局部沉积的重掺杂非晶硅晶化成为多晶硅，并激活多晶硅内的掺杂元素；/n8）背面刻蚀和抛光：对硅片背...
【技术特征摘要】
1.一种钝化接触电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
1）选取硅片：根据电池类型性选择相对应的硅片；
2）制绒：对硅片进行制绒，在硅片表面形成陷光结构；
3）制备硅片正面发射极；
4）去除硅片表面氧化物：通过酸洗，将硅片表面在制作正面发射极过程中形成的氧化物去除；
5）制备超薄氧化层：在正面发射极表面制备超薄氧化层；
6）沉积重掺杂非晶硅：通过激光转印，在硅片正面局部沉积重掺杂非晶硅，重掺杂非晶硅的沉积区域与电池正面电极图形相对应；
7）非晶硅退火：将硅片正面局部沉积的重掺杂非晶硅晶化成为多晶硅，并激活多晶硅内的掺杂元素；
8）背面刻蚀和抛光：对硅片背面进行刻蚀，去除硅片背面和边沿在制备硅片正面发射极过程中形成的绕扩，并对电池背面进行抛光；
9）制备背面掺杂层：在硅片背面制备背面掺杂层；
10）去除硅片表面氧化物：通过酸洗，去除硅片正背面的氧化物；
11）制备硅片正面和背面钝化层；
12）制备硅片正面和背面金属电极。
2.根据权利要求1所述的钝化接触电池的制备方法，其特征在于，步骤6）中，激光转印的具体步骤包括：
采用背面覆盖有重掺杂非晶硅的透明载板作为靶材，重掺杂非晶硅中的掺杂元素与正面发射极的掺杂元素相同，且重掺杂非晶硅的掺杂浓度高于正面发射极的掺杂浓度；
将靶材置于硅片附近，靶材背面朝向硅片正面，使用激光扫描靶材正面，激光扫描区域与电池正面电极图形相对应；
与激光扫描区域相对应的背面重掺杂非晶硅吸收激光能量并蒸发，背面蒸发的非晶硅脱离靶材并转移至硅片表面，实现硅片正面局部沉积重掺杂非晶硅。
3.根据权利要求2所述的钝化接触电池的制备方法，其特征在于，所述透明载板的正面也覆盖有重掺杂非晶硅，且使用激光扫描靶材正面后，位于激光扫描区域的正面重掺杂非晶硅先吸收激光能量并蒸发至环境中，然后与激光扫描区域相对应的背面重掺杂非晶硅吸收激光能量并蒸发，背面蒸发的非晶硅脱离靶材并转移至硅片表面，实现硅片正面局部沉积重掺杂非晶硅。
4.根据权利要求2或3所述的钝化接触电池的制备方法，其特征在于，所述透明载板为石英板。
5.根据权利要求2或3所述的钝化接触电池的制备方法，其特征在于，所述靶材背面重掺杂非晶硅的厚度为30～300nm。
6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员：沈梦超，符黎明，
申请(专利权)人：常州时创能源股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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