一种传感器、传感器的制备方法及电子设备技术

本发明专利技术实施例公开了一种传感器、传感器的制备方法及电子设备。该传感器包括：衬底基板，包括传感器区、转接端子区和焊盘区；传感器组，位于衬底基板一侧；传感器组包括位于传感器区的多个传感器；转接结构组、转接线组和焊盘组，均与传感器组位于衬底基板的同一侧，且转接线组沉积在衬底基板一侧；转接结构组包括多条走线以及位于转接端子区的多个转接端子，转接线组包括多条转接线，焊盘组包括位于焊盘区的多个焊盘；传感器和转接端子通过走线电连接，且转接端子通过转接线和焊盘电连接。本发明专利技术实施例提供的技术方案可以通过沉积的方式形成转接线，代替现有技术中的金线，使得工艺流程简单，成本低。

【技术实现步骤摘要】
一种传感器、传感器的制备方法及电子设备
本专利技术实施例涉及传感器
，尤其涉及一种传感器、传感器的制备方法及电子设备。
技术介绍
传感器是一种检测装置，能感受到被测量的信息，并能将感受到的信息，按一定规律变换成为电信号或其他所需形式的信息输出，以满足信息的传输、处理、存储、显示、记录和控制等要求。在传统半导体制备工艺中，传感器在进行封装的时候，通常需要通过专业的半导体制程设备采用刻蚀方法，使用金线将传感器的电极引出进行电压等测试，但是，在该过程中，所需的半导体制程设备造价高昂，对应成本上涨，工艺流程复杂。
技术实现思路
本专利技术提供一种传感器、传感器的制备方法及电子设备，以简化工艺流程，降低成本。第一方面，本专利技术实施例提供了一种传感器，包括：衬底基板，包括传感器区、转接端子区和焊盘区；传感器组，位于所述衬底基板一侧；所述传感器组包括位于所述传感器区的多个传感器；转接结构组、转接线组和焊盘组，均与所述传感器组位于所述衬底基板的同一侧，且所述转接线组沉积在所述衬底基板一侧；所述转接结构组包括多条走线以及位于所述转接端子区的多个转接端子，所述转接线组包括多条转接线，所述焊盘组包括位于所述焊盘区的多个焊盘；所述传感器和所述转接端子通过所述走线电连接，且所述转接端子通过所述转接线和所述焊盘电连接。第二方面，本专利技术实施例还提供了一种电子设备，该设备包括：第一方面所述的传感器。第三方面，本专利技术实施例还提供了一种传感器的制备方法，该方法包括：提供衬底基板；所述衬底基板包括传感器区、转接端子区和焊盘区；在所述衬底基板一侧形成传感器组，所述传感器组包括位于所述传感器区的多个传感器；在所述衬底基板形成所述传感器组的一侧沉积形成转接结构组、转接线组和焊盘组；所述转接结构组包括位于所述转接端子区的多个转接端子以及位于所述传感器区的多条走线，所述转接线组包括多条转接线，所述焊盘组包括位于所述焊盘区的多个焊盘；所述传感器和所述转接端子通过所述走线电连接，且所述转接端子通过所述转接线和所述焊盘连接。本专利技术实施例提供的传感器，通过沉积的方式在衬底基板一侧形成转接线，转接线将转接端子与焊盘连接起来，使得后续对传感器进行封装时无需制备金线，解决现有技术中由于制备金线带来的工艺流程复杂、成本高的问题，实现简化工艺、降低成本的效果。附图说明图1是本专利技术实施例提供的一种传感器的结构示意图；图2是图1中沿AA’方向的一种截面图；图3是图1中沿BB’方向的一种截面图；图4是图1中沿AA’方向的另一种截面图；图5是图1中沿BB’方向的另一种截面图；图6是本专利技术实施例提供的另一种传感器的结构示意图；图7是图6中沿CC’方向的截面图；图8是图6中沿DD’方向的截面图；图9是本专利技术实施例提供的又一种传感器的结构示意图；图10是图9中沿EE’方面的截面图；图11是本专利技术实施例提供的再一种传感器的结构示意图；图12是图11中沿FF’方向的一种截面图；图13是图11中沿FF’方向的另一种截面图；图14是本专利技术实施例提供的一种传感器的结构示意图；图15是本专利技术实施例提供的另一种传感器的结构示意图；图16是本专利技术实施例提供的又一种传感器的结构示意图；图17是本专利技术实施例提供的再一种传感器的结构示意图；图18是本专利技术实施例提供的一种传感器的制备方法的流程图；图19是本专利技术实施例提供的一种电子设备的结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本专利技术，而非对本专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本专利技术相关的部分而非全部结构。有鉴于
技术介绍
中提到的问题，本专利技术实施例提供了一种传感器，包括：衬底基板，包括传感器区、转接端子区和焊盘区；传感器组，位于衬底基板一侧；传感器组包括位于传感器区的多个传感器；转接结构组、转接线组和焊盘组，均与传感器组位于衬底基板的同一侧，且转接线组沉积在衬底基板一侧；转接结构组包括多条走线以及位于转接端子区的多个转接端子，转接线组包括多条转接线，焊盘组包括位于焊盘区的多个焊盘；传感器和转接端子通过走线电连接，且转接端子通过转接线和焊盘电连接。以上是本申请的核心思想，下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下，所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。图1是本专利技术实施例提供的一种传感器的结构示意图。图2是图1中沿AA’方向的一种截面图。图3是图1中沿BB’方向的一种截面图。参见图1-图3，该传感器210包括：衬底基板110，包括传感器区CG、转接端子区ZJ和焊盘区HP；传感器组210Z，位于衬底基板110一侧；传感器组210Z包括位于传感器区CG的多个传感器210；转接结构组310Z、转接线组410Z和焊盘组510Z，均与传感器组210Z位于衬底基板110的同一侧，且转接线组410Z沉积在衬底基板110一侧；转接结构组310Z包括多条走线320以及位于转接端子区ZJ的多个转接端子310，转接线组410Z包括多条转接线410，焊盘组510Z包括位于焊盘区HP的多个焊盘510；传感器210和转接端子310通过走线320电连接，且转接端子310通过转接线410和焊盘510电连接。具体的，衬底基板110用于支撑和保护形成在其上的膜层，衬底基板110的材料可以选用玻璃、硅、或者其它本领域技术人员可知的材料，此处不作限定。具体的，传感器区CG用于设置传感器210，传感器210可以包括光电传感器、压力传感器、温度传感器、颜色传感器、或者其它本领域技术人员可知的传感器类型，此处不作限定。其中，传感器组210Z的具体膜层与传感器210的类型以及结构相关，该部分内容将在后文中详述，此处先不作说明。具体的，转接端子区ZJ用于设置转接端子310，其与传感器区CG相邻，示例性的，转接端子区ZJ位于传感器区CG四周的其中一侧(如后续图6所示)、转接端子区ZJ位于传感器区CG四周的相对两侧、转接端子区ZJ半包围传感器区CG(如后续图15所示)、转接端子区ZJ围绕传感器区CG(如图1所示)、或者其它本领域技术人员可知的转接端子区ZJ设置情况，此处不作限定。转接结构组310Z包括多个转接端子310和多条走线320，其中，走线320从传感器区CG延伸至转接端子区ZJ，走线320的一端与传感器210连接，另一端与转接端子310连接，以实现传感器210与转接端子310的连接，转接结构组310Z中的多条走线320可以均位于同一层(如图2和图3所示)，也可以位于不同层，此处不作限定。转接结构组310Z中的多本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种传感器，其特征在于，包括：/n衬底基板，包括传感器区、转接端子区和焊盘区；/n传感器组，位于所述衬底基板一侧；所述传感器组包括位于所述传感器区的多个传感器；/n转接结构组、转接线组和焊盘组，均与所述传感器组位于所述衬底基板的同一侧，且所述转接线组沉积在所述衬底基板一侧；所述转接结构组包括多条走线以及位于所述转接端子区的多个转接端子传感器区，所述转接线组包括转接端子区多条转接线，所述焊盘组包括位于所述焊盘区的多个焊盘；所述传感器和所述转接端子通过所述走线电连接，且所述转接端子通过所述转接线和所述焊盘电连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种传感器，其特征在于，包括：
衬底基板，包括传感器区、转接端子区和焊盘区；
传感器组，位于所述衬底基板一侧；所述传感器组包括位于所述传感器区的多个传感器；
转接结构组、转接线组和焊盘组，均与所述传感器组位于所述衬底基板的同一侧，且所述转接线组沉积在所述衬底基板一侧；所述转接结构组包括多条走线以及位于所述转接端子区的多个转接端子传感器区，所述转接线组包括转接端子区多条转接线，所述焊盘组包括位于所述焊盘区的多个焊盘；所述传感器和所述转接端子通过所述走线电连接，且所述转接端子通过所述转接线和所述焊盘电连接。


2.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述转接结构组包括至少一层转接结构层，至少一层所述转接结构层中最远离所述衬底基板一侧的所述转接结构层为第一转接结构层；
所述第一转接结构层与所述焊盘组同层设置。


3.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述转接结构组包括至少两层所述转接结构层，相邻两层所述转接结构层中的转接端子在所述衬底基板上的垂直投影至少部分交叠。


4.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述转接线组包括一层转接线层，各所述转接线位于同一所述转接线层；所述焊盘组包括一层焊盘层，各所述焊盘位于同一所述焊盘层。


5.根据权利要求1所述的传感器，其特征在于，所述传感器组包括第一电极层、第二电极层以及位于所述第一电极层和所述第二电极层之间的传感层；所述传感器包括第一电极、第二电极和传感结构，所述第一电极位于所述第一电极层，所述第二电极位于所述第二电极层，所述传感结构位于所述传感层；
所述第一电极和所述第二电极均通过所述走线与所述转接端子电连接。


6.根据权利要求5所述的传感器，其特征在于，还包括开关晶体管组，所述开关晶体管组包括第三电极层、半导体层和第四电极层；所述开关晶体管包括控制电极、第三电极、第四电极和沟道结构；所述控制电极位于所述第三电极层，所述三电极和所述第四电极位于所述第四电极层；
所述控制电极和所述第三电极均通过所述走线与所述转接端子电连接，所述第四电极与所述第二电极电连接。


7.根据权利要求5所述的传感器，其特征在于，还包括开关晶体管组，所述传感器组位于所述开关晶体组背离所述衬底基板的一侧；所述开关晶体管组包括至少一层电极层，至少一层所述电极层中最靠近所述衬底基板的所述电极层为第三电极层；
所述第三电极层和所述转接线组同层设置。


8.根据权利要求5所述的传感器，其特征在于，所述传感层包括光电传感层、压力传感层、温度传感层、或颜色传感层。


9.根据权利要求5所述的传感器，其特征在于，至少两个所述传感器构成传感器单元；...

【专利技术属性】
技术研发人员：王逸，席克瑞，王林志，贾振宇，林柏全，李伟，杨成龙，粟平，雷登明，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31