一种用于手性分子探测的微结构制造技术

本发明专利技术提供了一种用于手性分子探测的微结构，包括基底、磁性材料层和微结构层，磁性材料层置于基底上，微结构层置于磁性材料层上，微结构层包括周期性排列的微结构单元，微结构单元为非手性结构，微结构单元的材料为贵金属；应用时，在微结构层上涂覆待测手性分子，在外磁场作用下，圆偏振光倾斜照射微结构层，通过测量磁光效应实现手性分子探测。由于磁光效应的强度严重地依赖于外加磁场的强度，所以可以通过提高外加磁场的强度，增强不同圆偏振光入射时手性分子导致的反射光差异，从而提高手性分子探测的灵敏度，在手性分子探测灵敏具有良好的应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种用于手性分子探测的微结构
本专利技术涉及手性分子探测领域，具体涉及一种用于手性分子探测的微结构。
技术介绍
手性分子探测在医药领域非常重要。传统手性分子的手性探测信号弱、灵敏度低。探索基于新原理的手性分子的手性探测方法及装置，不仅能够提高手性探测的信号强度和灵敏度，而且将有力地推动手性光子学的发展。
技术实现思路
为解决以上问题，本专利技术提供了一种用于手性分子探测的微结构，包括基底、磁性材料层和微结构层，磁性材料层置于基底上，微结构层置于磁性材料层上，微结构层包括周期性排列的微结构单元，微结构单元为非手性结构，微结构单元的材料为贵金属；应用时，在微结构层上涂覆待测手性分子，在外磁场作用下，圆偏振光倾斜照射微结构层，通过测量反射光实现手性分子探测。更进一步地，微结构单元为圆盘。更进一步地，还包括支撑部，支撑部设置在微结构单元的底部、磁性材料层上。更进一步地，支撑部为圆盘，支撑部的半径小于微结构单元的半径。更进一步地，支撑部设置在微结构单元的中心位置。更进一步地，支撑部的高度小于40本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于手性分子探测的微结构，其特征在于，包括：基底、磁性材料层和微结构层，所述磁性材料层置于所述基底上，所述微结构层置于所述磁性材料层上，所述微结构层包括周期性排列的微结构单元，所述微结构单元为非手性结构，所述微结构单元的材料为贵金属；应用时，在所述微结构层上涂覆待测手性分子，在外磁场作用下，圆偏振光倾斜照射所述微结构层，通过测量反射光实现手性分子探测。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于手性分子探测的微结构，其特征在于，包括：基底、磁性材料层和微结构层，所述磁性材料层置于所述基底上，所述微结构层置于所述磁性材料层上，所述微结构层包括周期性排列的微结构单元，所述微结构单元为非手性结构，所述微结构单元的材料为贵金属；应用时，在所述微结构层上涂覆待测手性分子，在外磁场作用下，圆偏振光倾斜照射所述微结构层，通过测量反射光实现手性分子探测。


2.如权利要求1所述的用于手性分子探测的微结构，其特征在于：所述微结构单元为圆盘。


3.如权利要求2所述的用于手性分子探测的微结构，其特征在于：还包括支撑部，所述支撑部设置在所述微结构单元的底部、所述磁性材料层上。


4.如权利要求3所述的用于手性分子探测的微结构，其特征在于：所述支撑部为圆盘，所述支撑...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：中山科立特光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44