一种磁场偏置的手性分子传感器件制造技术

本发明专利技术涉及磁光表面等离子共振纳米光学器件以及手性分子传感的交叉领域，具体为一种磁场偏置的手性分子传感器件。本发明专利技术采用高磁光效应和低损耗的磁性氧化物材料结合顶层贵金属等离子共振结构层的表面等离子共振或腔体谐振的设计，实现磁性氧化物层的磁圆二色性大于等于顶层贵金属等离子共振结构层的结构手性，从而可以通过外加磁场偏置简单、有效地消除结构手性，精确的获得手性分子的信号，且依然保持强的光学手性近场增强，解决结构加工误差问题；并且由于器件是亚波长结构，利于器件的小型化和集成化，可应用于生物制药领域的手性药物分子的检测。

【技术实现步骤摘要】
一种磁场偏置的手性分子传感器件
本专利技术涉及磁光表面等离子共振纳米光学器件以及手性分子传感的交叉领域，具体为一种磁场偏置的手性分子传感器件。
技术介绍
手性分子在自然界中普遍存在，如组成生物体的氨基酸、蛋白质和糖类等。针对人体疾病，需要特定单一手性的药物才能治愈疾病，而相反手性药物会危害人体健康。因此，手性药物分子检测在生物制药领域极其的重要。目前，常用的手性药物检测的方法：一是利用的手性结构的光学圆二色性来检测；另一个是用已知手性的分子与待测分子相互作用来辨别。前者测试方法简单、快速，而后者费时且昂贵。因此，利用光学圆二色性的方法检测手性药物分子，成为近几年该领域研究的热点。然而，手性分子的光学手性信号主要在紫外频段，在可见光和近红外手性信号弱。我们需要大量的手性分子溶液，经过长时间的积分才能获得微弱的信号。近几年，研究者们通过用手性纳米光学结构的光学手性近场增强来提高手性分子的手性信号，如金的“卐”结构[1]，金的“手里剑”结构[2,3]等。尽管手性纳米光学结构可以实现数量级的手性信号的提高，但是手性结构本身的结构手性信号本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁场偏置的手性分子传感器件，其特征在于：/n由依次堆叠的顶层贵金属等离子共振结构层、中间磁性氧化物层、底层耐高温导电金属层和基底构成；/n所述顶层贵金属等离子共振结构层和中间磁性氧化物层实现等离子共振或腔体谐振，中间磁性氧化物层的磁圆二色性大于等于顶层贵金属等离子共振结构层的结构手性，并通过外加磁场和中间磁性氧化物层的磁圆二色性实现磁场偏置；/n顶层贵金属等离子共振结构层经消旋态的手性分子旋涂到其结构表面，通过磁场偏置，将谐振处的结构手性消除。/n

【技术特征摘要】
1.一种磁场偏置的手性分子传感器件，其特征在于：
由依次堆叠的顶层贵金属等离子共振结构层、中间磁性氧化物层、底层耐高温导电金属层和基底构成；
所述顶层贵金属等离子共振结构层和中间磁性氧化物层实现等离子共振或腔体谐振，中间磁性氧化物层的磁圆二色性大于等于顶层贵金属等离子共振结构层的结构手性，并通过外加磁场和中间磁性氧化物层的磁圆二色性实现磁场偏置；
顶层贵金属等离子共振结构层经消旋态的手性分子旋涂到其结构表面，通过磁场偏置，将谐振处的结构手性消除。


2.如权利要求1所述磁场偏置的手性分子传感器件，其特征在于：所述外加磁场垂直于器件面内。


3.如权利要求1所述磁场偏置的手性分子传感器件，其特征在于：所述顶层贵金属等离子共振结构层为金、银、铂或铝的周期孔洞结构。


4.如权利要求1所述磁场偏置的手性分子传感...

【专利技术属性】
技术研发人员：秦俊，毕磊，邓龙江，康同同，夏爽，杨伟豪，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51