波长转换物质及发光装置制造方法及图纸

波长转换物质包含发光核心以及第一保护层。第一保护层包覆发光核心，其中第一保护层包含二氧化硅，在二氧化硅的多个硅中，各该硅分别为第零组态(Q

【技术实现步骤摘要】
波长转换物质及发光装置
本专利技术涉及波长转换物质及发光装置。
技术介绍
量子点与荧光粉是常见的波长转换物质，应用在发光二极管上，可吸收发光二极管芯片的光线并发出其他颜色的光，之后混合成所需的光色。进一步地，量子点或荧光粉可与发光二极管装置搭配，作为显示器的背光源、或是提供作为显示器的像素。然而，波长转换物质量子点易受氧气及水气破坏，这导致发光亮度与使用寿命降低。因此，亟需一种技术方案来降低氧气及水气对波长转换物质损害，藉此提高波长转换物质的信赖性。
技术实现思路
根据本公开的一个方面，波长转换物质包含发光核心以及第一保护层。第一保护层包覆发光核心，其中第一保护层包含二氧化硅，在二氧化硅的多个硅中，各该硅分别为第零组态(Q0)、第一组态(Q1)、第二组态(Q2)、第三组态(Q3)和第四组态(Q4)中的任一种，第零组态(Q0)的硅未与硅氧基连接，第一组态(Q1)的硅与一个硅氧基连接，第二组态(Q2)的硅与两个硅氧基连接，第三组态(Q3)的硅与三个硅氧基连接，第四组态(Q4)的硅与四个硅氧基连接，其中第三组态(Q3)的硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种波长转换物质，其特征在于，包含：/n一发光核心；以及/n一第一保护层，包覆该发光核心，其中该第一保护层包含二氧化硅，在该二氧化硅的多个硅中，各该硅分别为第零组态(Q

【技术特征摘要】
20190521 TW 1081175551.一种波长转换物质，其特征在于，包含：
一发光核心；以及
一第一保护层，包覆该发光核心，其中该第一保护层包含二氧化硅，在该二氧化硅的多个硅中，各该硅分别为第零组态(Q0)、第一组态(Q1)、第二组态(Q2)、第三组态(Q3)和第四组态(Q4)中的任一种，该第零组态(Q0)的硅未与硅氧基连接，该第一组态(Q1)的硅与一个硅氧基连接，该第二组态(Q2)的硅与两个硅氧基连接，该第三组态(Q3)的硅与三个硅氧基连接，该第四组态(Q4)的硅与四个硅氧基连接，其中该第三组态(Q3)的硅和该第四组态(Q4)的硅的总含量大于该第零组态(Q0)的硅、该第一组态(Q1)的硅和该第二组态(Q2)的硅的总含量。


2.如权利要求1所述的波长转换物质，其中以该二氧化硅的硅的总含量为100％计，该第三组态(Q3)的硅和该第四组态(Q4)的硅的总含量大于80％。


3.如权利要求1所述的波长转换物质，其中该波长转换物质的29Si核磁共振波谱中，在-95～-105ppm中具有该第三组态(Q3)的硅的波峰，在-105～-115ppm中具有该第四组态(Q4)的硅的波峰。


4.如权利要求1所述的波长转换物质，其中该发光核心包含一量子点材料。

【专利技术属性】
技术研发人员：鍾长志，童鸿钧，李育群，蔡宗良，
申请(专利权)人：隆达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71