制备镉基合金纳米材料的方法技术

本申请公开了一种制备镉基合金纳米材料的方法。该方法将含有醇溶性镉基纳米材料、掺杂金属源和有机极性溶剂Ⅰ的物料Ⅰ，进行离子交换反应，得到所述镉基合金纳米材料。该方法可成功地合成出多种组分精确可控、能隙可大范围调谐的Cd

【技术实现步骤摘要】
制备镉基合金纳米材料的方法
本申请涉及一种制备镉基合金纳米材料的方法，属于纳米材料合成

技术介绍
无机半导体纳米线，由于结合了半导体材料优异的光电性质和一维光电传输特性，已经引起了人们广泛的关注。然而，由于常规半导体纳米线中可用的带隙非常有限，无法实现能隙的连续可调，从而限制了其在多功能可调谐纳米光/电子器件、光电转换器件中的应用。目前，对不同带隙的半导体材料进行合金化处理已成为了扩展纳米材料能隙的有效手段。因此，制备合金半导体纳米线已成为人们研究的热点。近年来，人们利用液相催化生长法(SLS)成功制备了组分可控的合金半导体纳米线。遗憾的是，该方法通常需要苛刻的反应环境(如高温等条件)，很容易单独形核和生长成非合金半导体纳米线。为了克服以上问题，离子交换法作为一种反应条件温和、快速、组分可控的合成手段,已经广泛应用于合金纳米线的合成中。最近，人们利用离子交换法分别制备了组分和能隙可控的铯铅卤钙钛矿合金纳米线和Hg1-xCdxTe合金纳米线。遗憾的是，目前尚没有利用离子交换法普适性的合成出多种组分精确可控、能隙大范围调谐本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制备镉基合金纳米材料的方法，其特征在于，将含有醇溶性镉基纳米材料、掺杂金属源和有机极性溶剂Ⅰ的物料Ⅰ，进行离子交换反应，得到所述镉基合金纳米材料。/n

【技术特征摘要】
1.一种制备镉基合金纳米材料的方法，其特征在于，将含有醇溶性镉基纳米材料、掺杂金属源和有机极性溶剂Ⅰ的物料Ⅰ，进行离子交换反应，得到所述镉基合金纳米材料。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述镉基纳米材料选自CdTe纳米材料、CdSe纳米材料中的任一种。


3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述镉基合金纳米材料选自具有式Ⅰ所示化学式的化合物中的至少一种，
CdxM2/m-xA式Ⅰ
其中，M表示掺杂金属；
A选自Se或者Te；
m表示掺杂金属M的化合价；
m选自1或者2；
x的取值范围为0.1≤x≤1.9；
优选地，所述M选自银、铅、锌、锗、锡、锑、铋、铜、锰、铕、锶、铟、铊、汞中的至少一种。


4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，镉基合金纳米材料包括镉基合金纳米线、镉基合金纳米片、镉基合金纳米点；
优选地，所述镉基合金纳米线包括碲化镉基合金纳米线；
优选地，所述镉基合金纳米片包括硒化镉基合金纳米片；
优选地，所述镉基合金纳米点包括硒化镉基合金纳米点；
优选地，所述镉基合金纳米线的直径为6～8nm，长度大于1μm；
优选地，所述镉基合金纳米片的尺寸为：厚度为4-7nm,长度10-50nm；
优选地，所述镉基合金纳米点的尺寸为：直径为3-7nm。


5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述物料Ⅰ中还包括有机膦试剂；
所述有机膦试剂选自三正辛基膦、三正苯基膦、三正辛基氧膦中的任一种。


6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述制备镉基合金纳米材料的方法，至少包括以下步骤：
a)获得醇溶性镉基纳米材料；
b)将含有醇溶性镉基纳米材料...

【专利技术属性】
技术研发人员：钟海政，李冬，张小丽，
申请(专利权)人：北京理工大学，
类型：发明
国别省市：北京;11